• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.139-140
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• 2008

최근 누설전류를 줄이기 위해서 게이트 산화막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 게이트 산화막에 유전상수가 큰 high-k 물질을 적용시킴으로서 누설 전류를 줄일 수 있어 특성의 향상을 가져다 줄 수 있다. 본 연구에서는 여러 high-k 물질중 $CeO_2$를 블로킹 산화막에 적용시켰다. $CeO_2$는 높은 유전상수를 가지고 있고 실리콘과 화학적으로 안정한 물질이어서 좋은 특성을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 Al/$CeO_2/SiN_x/SiO_xN_y$/Si 의 MINOS 구조를 만들고 $CeO_2$ 두께변화에 따른 MINOS 구조의 전기적인 특성을 측정하였다. 그 결과 $CeO_2$의 박막 두께가 40nm 일 때 더 좋은 특성이 나타난다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.186-186
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• 2013

종래의 흑연 위주 연료전지 분리판 개발되어 최근 고분자 전해질 막 연료전지가 높은 전력, 낮은 배기 가스 배출, 낮은 작동 온도로 자동차 산업에서 상당한 주목을 받고 있다. 요구사항은 높은 전기 전도도, 높은 내식성, 낮은 가스 투과성, 낮은 무게, 쉬운 가공, 낮은 제조비용이다. Thin film Cr 장비로 저항가열 furnace, sputter 등이 사용된다. 연료전지 분리판의 고전도도, 내부식성 보호막의 고속 증착을 위한 새로운 증착원으로 스퍼터 - 승화형 소스의 가능성을 유도 결합 플라즈마에 금속 봉을 직류 바이어스 함으로써 시도하였다. 유도 결합 플라즈마를 이용하여 승화증착 시스템을 사용하여 OES (SQ-2000)와 QMS (CPM-300)를 사용하여 $N_2$ flow에 따른 유도 결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화증착 시스템을 사용 하여도 균일한 공정을 하는 것을 확인 하였다. 5 mTorr의 Ar 유도 결합 플라즈마를 2.4 MHz, 500 W로 유지하면서 직류 바이어스 전력을 30 W (900 V, 0.02 A) 인가하고, $N_2$의 유량을 0.5, 1.0, 1.5 SCCM로 변화를 주어 특성을 분석하였다. MID (Multiple Ion Detection) mode에서 유도결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화 증착 장비를 사용하여 CrN thin flim 성장시켰고, deposition rate은 44.8 nm/min으로 얻을 수 있었다. 또한 $N_2$의 유량이 증가할 수록 bias voltage가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. OES time acquisition을 이용한 공정 분석에서는 $N_2$ 유량을 off 하였을 때 Ar, Cr의 중성 intensity peak이 상승하였고, 시간 경과에 따라 sublimation에 의한 영향이 없는 것을 확인 할 수가 있었다. XRD data에서는 질소 유량이 증가함에 따라 $Cr_2N$이 감소하고, CrN이 증가하는 것을 확인할 수가 있었다. 결정배향성과 Morphology는 다결정 재료의 경도에 영향을 주는 인자이다. CrN 결정 구조의 경우는 (200)면이 경도가 제일 높은데 (200)면에서 성장한 것을 확인 할 수 있었다. 잔류가스 분석 결과로는 일정한 Ar의 유량을 흘렸을 때 $N_2$의 변화량이 비례적인 경향이 보이는 것을 확인 할수 있었다. 또한 $N_2$가 흐르면서도 유도 결합 플라즈마를 이용한 스퍼터-승화 증착 시스템을 사용하면 일정한 공정을 하는 것을 확인 할 수 있었다. 질소의 분압이 유량에 따라서 $3.0{\times}10^{-10}$ Torr에서 $1.65{\times}10^{-9} $Torr까지 일정한 비율로 증가한다. 즉, 이 시스템으로 양산장비 설계를 하여도 가능 하다는 것을 말해준다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• v.20 no.5
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• pp.103-113
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• 1996

The properties of the deposited film depend on the deposition condition and these, in turn depend critically on the morphology and crystal orientation of the films. Therefore, it is important to clarify the nucleation occurrence and growth stage of the morphology and orientation of the film affected by deposition parameters, e.g. the gas pressure and bias voltage etc. In this work, magnesium thin flims were prepared on cold-rolled steel substrates by a thermo-eletron activation ion plating technique. The influence of nitrogen gas pressure and substrate bias voltage on their crystal orientation and morphology of the coated films were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction, respectively. The diffraction peaks of magnesium film became less sharp and broadened with the increase of nitrogen gas pressure. With an increase in nitrogen gas pressure, flim morphology changed from colum nar to granular structure, and surface crystal grain-size decreased. The morphology of films depended not only on gas pressure but also on bias voltage, i.e., the effect of increasing bias voltage was similar to that of decreasing gas pressure. The effect of crystal orientation and morphology of magnesium films on corrosion behaviors was estimated by measuring anodic polarization curves in deaerated 3%NaCl solution. Magnesium, in general, has not a good corrosion resistance in all environments. However, these magnesium films prepared by changing nitrogen gas pressure showed good corrosion resistance. Among the films, magnesium films which exhibited granular structure had the highest corrosion resistance. The above phenomena can be explained by applying the effects of adsorption, occlusion and ion sputter of nitrogen gas.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.10a
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• pp.12-14
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• 2004

We investigated current limiting characteristics of the flux-lock type high-Tc superconcting fault current limiter(HTSC-FCL) according to fault angles. The Flux-lock type HTSC-FCL consists of primary and the secondary copper coils that are wound in parallel each other through the iron core and YBCO thin flim. In this paper, the current limiting characteristics of the flux-lock type HTSC-FCL according to fault angles in case of the subtractive and additive polarity windings were compared and analyzed. From the results, the flux-lock type HTSC-FCL could limit more quickly fault current as the fault angles increased irrespective of the fault angles. On the other hand, the initial power burden of HTSC element after a fault happened increased as the fault angles increased. In addition, it was confirmed that the resistance of flux-lock type HTSC-FCL in case of subtractive polarity winding was more increased than that of additive polarity winding and that the peak current of fault current in case of subtractive polarity winding was larger than that of the additive polarity winding case.