Introduction of the buffer layer and the nitridation of a sapphire substrate were one of the most general methods employed for the reduction of lattice defects in GaN thin films Brown on sapphire by MOCVD. In an effort to improve the initial nucleation and growth condition of the GaN, reactive ion beam (RIB) of nitrogen treatment of the sapphire surface has been attempted. The 10 nm thick, amorphous $AlO_xN_y$ layer was formed by RIB and was partially crystallized alter the main growth of GaN at high temperature, leaving isolated amorphous regions at the interface. The beneficial effect of amorphous layer at interface in relieving the thermal stress between substrate and GaN film was examined by measuring the lattice strain value of the GaN film grown with and without the RIB treatment. Higher order Laue zone pattern (HOLZ) of $[\bar{2}201]$ zone axis was compared with simulated patterns and lattice strain was estimated It was confirmed that the great reduction of thermal strain was achieved by RIB process and the amount of thermal stress was 6 times higher in the GaN film grown by conventional method without the RIB treatment.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.14
no.2
s.43
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pp.17-21
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2007
Dense and periodic arrays of holes and Si nano dots were fabricated on silicon substrate. The nanopatterned holes were approximately $15{\sim}40nm$ wide, 40 nm deep and $40{\sim}80\;nm$ apart. To obtain nano-size patterns, self?assembling diblock copolymer were used to produce layer of hexagonaly ordered parallel cylinders of polymethylmethacrylate (PMMA) in polystyrene(PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed with acetic acid rinse to produce a PS. $100\;{\AA}-thick$ Au thin film was deposited by using e-beam evaporator. PS template was removed by lift-off process. Arrays of Au nano dots were transferred by using Fluorine-based reactive ion etching(RE). Au nano dots were removed by sulfuric acid. Si nano dots size and height were $30{\sim}70\;nm$ and $10{\sim}20\;nm$ respectively.
Park, Jeong-Yeon;Koh, Byum-seok;Kim, Ki-Young;Lee, Dong-Mok;Yoon, Gil-Sang
Design & Manufacturing
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v.15
no.2
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pp.11-16
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2021
Recently, three-dimensional (3D) cell culture systems, which are superior to conventional two-dimensional (2D) vascular systems that mimic the in vivo environment, are being actively studied to reproduce drug responses and cell differentiation in organisms. Conventional two-dimensional cell culture methods (scaffold-based and non-scaffold-based) have a limited cell growth rate because the culture cannot supply the culture medium as consistently as microvessels. To solve this problem, we would like to propose a 3D culture system with an environment similar to living cells by continuously supplying the culture medium to the bottom of the 3D cell support. The 3D culture system is a structure in which microvascular structures are combined under a scaffold (agar, collagen, etc.) where cells can settle and grow. First, we have manufactured molds for the formation of four types of microvessel-mimicking chips: width / height ①100 ㎛ / 100 ㎛, ②100 ㎛ / 50 ㎛, ③ 150 ㎛ / 100 ㎛, and ④ 200 ㎛ / 100 ㎛. By injection molding, four types of microfluidic chips were made with GPPS (general purpose polystyrene), and a 100㎛-thick PDMS (polydimethylsiloxane) film was attached to the top of each microfluidic chip. As a result of observing the flow of the culture medium in the microchannel, it was confirmed that when the aspect ratio (height/width) of the microchannel is 1.5 or more, the fluid flows from the inlet to the outlet without a backflow phenomenon. In addition, the culture efficiency experiments of colorectal cancer cells (SW490) were performed in a 3D culture system in which PDMS films with different pore diameters (1/25/45 ㎛) were combined on a microfluidic chip. As a result, it was found that the cell growth rate increased up to 1.3 times and the cell death rate decreased by 71% as a result of the 3D culture system having a hole membrane with a diameter of 10 ㎛ or more compared to the conventional commercial. Based on the results of this study, it is possible to expand and build various 3D cell culture systems that can maximize cell culture efficiency by cell type by adjusting the shape of the microchannel, the size of the film hole, and the flow rate of the inlet.
$2-\mu{m}$ thick GaN epilayer was prepared, and 80 KeV $Co^{-}$ ions with a dose of $3X10^{16}\;cm^{-2}$ were implanted into GaN at $350^{\circ}C$. The implanted samples were post annealed at $700^{\circ}C$. We have investigated the magnetic and structural properties of Co ion-implanted GaN by various measurements. HRXRD results did not show any peaks associated with second phase formation and only the diffraction from the GaN layer and substrate structure were observed. SIMS profiles of Co implanted into GaN before and after annealing at $700^{\circ}C$ have shown a projected range of $\sim390\AA$ with 7.4% concentration and that there is little movement in Co. AFM measurement shows the form of surface craters for $700^{\circ}C$-annealed samples. The magnetization curve and temperature dependence of magnetization taken in zero-field-cooling (ZFC) and field-cooling (FC) conditions showed the features of superparamagnetic system in film. XPS measurement showed the metallic Co 2p core levels spectra for $700^{\circ}C$-annealed samples. From this, it could be explained that magnetic property of our films originated from Co magnetic clusters.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.54-54
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2009
Ag thick film has been used for electrode materials with the excellent conductivity. Ag electrode is used in screen-printed silicon solar cells as a electrode material. Compared to photolithography and buried-contact technology, screen-printing technology has the merit of fabricating low-priced cells and enormous cells in a few hours. Ag paste consists of Ag powders, vehicles and additives such as frits, metal powders (Pb, Bi, Zn). Frits accelerate the sintering of Ag powders and induce the connection between Ag electrode and Si wafer. Thermophysical properties of frits and reactions among Ag, frits and Si influence on cell performance. In this study, Ag pastes were fabricated with adding different kinds of frits. After Ag pastes were printed on silicon wafer by screen-printing technology, the cells were fired using a belt furnace. The cell parameters were measured by light I-V to determine the short-circuit current, open-circuit voltage, FF and cell efficiency. In order to study the relationship between the reactivity of Ag, frit, Si and the electrical properties of cells, the reaction of frits and Si wafer on was studied with thermal properties of frits. The interface structure between Ag electrode and Si wafer were also measured for understanding the reactivity of Ag, frit and Si wafer. The excessive reactivity of Ag, frit and Si wafer certainly degraded the electrical properties of cells. These preliminary studies suggest that reactions among Ag, frits and Si wafer should optimally be controlled for cell performances.
The diffusion of hydrogen ions into a sensing membrane causes the output voltage of pH-ISFET to vary with time, which might be considered to be drift in this sensor. We tried to deposit ultra-thin film for minimizing tile drift that has been considered to be main obstacle for putting pH-ISFET to practical use. In this paper, tantalum pentoxide, known as a good pH sensing membrane, was formed to about $70{\AA}$ thick by sol-gel method on $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}$-gate of pH-ISFET. The fabricated $Ta_{2}O_{5}$-gate pH-ISFET showed good sensitivity(about 59mV/ pH) and good lineality in the range of pH $3{\sim}11$, and had relatively small average pH drift of about 0.06 pH/day.
Kim, Kyungho;Lee, Sungmin;Im, Chae-Nam;Kang, Seung-Ho;Cheong, Hae-Won;Han, Yoonsoo
Journal of Powder Materials
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v.24
no.5
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pp.364-369
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2017
Ceramic powder, such as MgO, is added as a binder to prepare the green compacts of molten salts of an electrolyte for a thermal battery. Despite the addition of a binder, when the thickness of the electrolyte decreases to improve the battery performance, the problem with the unintentional short circuit between the anode and cathode still remains. To improve the current powder molding method, a new type of electrolyte separator with porous MgO preforms is prepared and characteristics of the thermal battery are evaluated. A Spherical PMMA polymer powder is added as a pore-forming agent in the MgO powder, and an organic binder is used to prepare slurry appropriate for tape casting. A porous MgO preform with $300{\mu}m$ thickness is prepared through a binder burnout and sintering process. The particle size of the starting MgO powder has an effect, not on the porosity of the porous MgO preform, but on the battery characteristics. The porosity of the porous MgO preforms is controlled from 60 to 75% using a pore-forming agent. The batteries prepared using various porosities of preforms show a performance equal to or higher than that of the pellet-shaped battery prepared by the conventional powder molding method.
In this study, a new cleaning process with a low cost of ownership (CoO) was developed with ozonated DI water ($DIO_3$). An ozone concentration of 40 ppm at room temperature was used to remove organic wax film and particles. Wax residues thicker than $200\;{\AA}$ remained after only a commercial dewaxer treatment. A $DIO_3$ treatment in place of a dewaxer showed a low removal rate on a thick wax layer of $8000\;{\AA}$ due to the diffusion-limited reaction of ozone. A dewaxer was combined with a $DIO_3$ rinse to reduce the wax removal time and remove wax residue completely. Replacing DI rinse with the $DIO_3$ rinse resulted in a surface with a contact angle of less than $5^{\circ}$, which indicates no further cleaning steps would be required. The particle removal efficiency (PRE) was further improved by combining a SC-1 cleaning step with the $DIO_3$ rinsing process. A reduction in the process time was obtained by introducing $DIO_3$ cleaning with a dewaxing process.
Park, Seong-Dae;Lee, Sang-Myoung;Kang, Nam-Kee;Oh, Jin-Woo;Kim, Dong-Kook
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.532-532
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2008
본 연구에서는 Embedded 기판용 폴리머 후막저항의 허용편차 개선을 위하여 새로운 후막 패터닝 기술을 도입하는 연구를 실시하였다. 기존의 Embedded 기판용 폴리머 후막저항은 스크린 인쇄에 의하여 형성됨에 따라 패턴의 정밀성이 떨어지고 기판 상 위치별 두께편차에 의하여 저항값의 허용편차(tolerance)가 ${\pm}$20~30% 정도로 큰 단점을 가지고 있다. 따라서 경화 후 laser trimming 공정을 필수적으로 동반하게 된다. 이를 개선하기 위하여 본 연구에서는 알칼리 수용액에 현상이 가능한 감광성 레진을 이용하여 폴리머 후막저항 페이스트를 제작하는 것과 함께 기판 전면에 균일한 두께로 인쇄하는 roll coating 방법을 도입하는 실험을 수행하였다. 알칼리 현상형의 감광성 레진 시스템은 노광 및 현상에 의해 정밀한 패턴을 구현할 수 있는 장점을 가지고 있으며, 본 연구에는 A사의 일액형 레진과 T사의 이액형 레진을 사용하였다. 여기에 전도성 필러로서 카본블랙을 첨가하였는데, 그 첨가량의 조절에 따른 후막저항의 시트저항값 변화와 현상 특성을 관찰하였다. 테스트 보드는 FR-4 기판 상에 전극 형상의 동박을 패터닝 후 Ni/Au 도금까지 실시하여 제작하였고, 이 테스트 보드 상에 별도로 제작된 저항 페이스트를 도포한 후 저항체 패턴이 입혀져 있는 Cr 마스크를 이용하여 노광하였다. 이후 현상 공정을 통하여 저항체를 패터닝하고, 이를 $200^{\circ}C$에서 1시간 열경화하는 것으로 후막 저항 테스트쿠폰을 제작하였다. 실험결과 roll coating에 의해 도포된 후막저항체들은 균일한 두께 범위를 나타내었고, 이에 따라 최종 경화 후 허용편차도 통상 ${\pm}$5~10% 이내로 제어될 수 있었다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.12
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pp.852-856
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2014
$BaTiO_3$ nano powder can be synthesized by hydrate salt method at $120^{\circ}C$ in air. Decreasing the thickness of thick film, the nano dielectric particle is needed in electronic ceramics. However, the synthesis of $BaTiO_3$ nano particle at low temperature in air and their mechanism were not reported enough. And ultrasonic treatment can be tried because of low temperature process in air. Therefore, in this study, the $BaTiO_3$ nano powder was synthesised with the synthesis time and ultrasonic treatment at $120^{\circ}C$ in air. In the synthesis process, the effects of process were evaluated. From the experimental observation, the synthesis mechanism was proposed. The homogeneous $BaTiO_3$ particle was synthesised by KOH salt solution at $120^{\circ}C$ for 1hour. It was conformed that the ultrasonic treatment effected on the increase of synthesis rate. After cutting the salt powder using FIB, $BaTiO_3$ nano particles observed homogeneously in the cross-section of the salt particle.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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