본 연구에서는 웨어러블 Fabric(Nylon) + MWCNT 가스센서 내부에서 열확산을 해석하기 위해서 요소해석 프로그램(comsol)을 이용하여 센서 내부에서의 열용량의 확산 과정과 열용량 분포 경도를 확인하였다. 열용량의 확산과정을 해석하기 위해서 가스센서의 구조체에 대하여 이차원으로 모델링을 진행하였으며, 제시된 모델링에 대해서 센서 구성 부분에 대한 특성값을 제시하여 메시 요소법(FEM)을 이용하여 설계된 웨어러블 가스센서에 대해서 열용량이 확산되는 정도와 열용량 경도를 구하기 위해서 지배방정식으로 1계 편미분방정식을 제안하여 해석하였으며, 열속도 전달식을 제안하여 전극층과 가스 검출부의 10[K/mm] 온도 경도를 구하였다.
Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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제13권1호
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pp.31-40
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2009
In the present work transformation of dimensionless heat diffusion equation for the solution of moving boundary problems have been formulated. The formulation is based on 1-D, 2-D and 3-D, unsteady heat diffusion equations. These equations are rst turned int dimensionless form by using dimensionless quantities and their transformation was formulated in liquid and solid phases. The salient feature of this work is that during the transformation of dimensionless heat diffusion equation there arises a convective term $\tilde{v}$ which is responsible for the motion of interface in liquid as well as solid phase. In the transformed heat equation, a correction factor $\beta$ also arises naturally which gives the correct transformed flux at interface.
Galerkin's finite element method is applied to a two-dimensional heat convection-diffusion problem arising in the hydrodynamic lubrication of thrust bearings used in naval vessels. A parabolized thermal energy equation for the lubricant, and thermal diffusion equations for both bearing pad and the collar are treated together, with proper juncture conditions on the interface boundaries. it has been known that a numerical instability arises when the classical Galerkin's method, which is equivalent to a centered difference approximation, is applied to a parabolic-type partial differential equation. Probably the simplest remedy for this instability is to use a one-sided finite difference formula for the first derivative term in the finite difference method. However, in the present coupled heat convection-diffusion problem in which the governing equation is parabolized in a subdomain(Lubricant), uniformly stable numerical solutions for a wide range of the Peclet number are obtained in the numerical test based on Galerkin's classical finite element method. In the present numerical convergence errors in several error norms are presented in the first model problem. Additional numerical results for a more realistic bearing lubrication problem are presented for a second numerical model.
To find out the optimum design of hydrogen storage and supply tank using Metal Hydride (briefly MH) and to make clear the performance characteristics under various conditions are our research purpose. In order to use the low-temperature exhaust heat, $LaNi_{4.7}Al_{0.3}$ which operates under the low pressure of 1 MPa is chosen, and we measure the basic properties, namely density, specific heat, PCT(Pressure-Concentration-Temperature) characteristics, and effective thermal conductivity. Then, a numerical calculation model of hydrogen storage using MH alloy is suggested and this thermal diffusion equation of model is solved by the backward difference method. This calculation results are compared with the experimental results of the systems which installed 1kg MH alloy and, it is found out that our calculation model can well predict the experimental results. By the experimental using MH alloy, it is recognized that the hydrogen flow rate can control by the step adjustment of brine temperature.
Graphite has excellent mechanical and physical properties. It is known to advanced materials and is used to materials for molds, thermal treatment of furnace, sinter of diamond and cemented carbide tool etc. SiC materials are coated on the surface and holes of graphite to protect particles emitted from porous graphite with 5%~20% porosity and make graphite hard surface. SiC materials have high durability and thermal stability. Thermal CVD method is widely used to manufacture SiC thin films but high cost of machine investment and production are required. SiC thin films manufactured by Si reaction liquid and vapore with carbon are effective because of low cost of machine and production. SiC thin films made by vapor silicon infiltration into porous graphite can be obtained for shorter time than liquid silicon. Si materials are evaporated to the graphite surface in about $10^{-2}$ torr and high temperature. Si materials are melted in $1410^{\circ}C$. Si vapor is infiltrated into the surface hole of porous graphite and $Si_xC_y$ compound is made. $Si_x$ component is proportional to the Si vapor concentration. Si diffusion coefficient is estimated from quadratic equation obtained by Fick's second law. The steady stae is assumed. Si concentration variation for the depth from graphite surface is fitted to quadratic equation. Diffusion coefficient of Si vapor is estimated at about $10^{-8}cm^2s^{-1}$.
본 논문에서는 열손실에 의한 오차를 배제하기 위하여 원판형시편의 전후면에 서의 열손실과 반경방향의 열손실을 고려하고 2층으로 된 적층재료의 열확산방정식을 Green함수를 이용하여 해석하므로서 피복재료들의 열물성치를 정확하게 측정하기 위한 임의의 축대칭 열원의 펄스를 사용하여 열손실 및 펄스시간의 효과에 의한 오차를 최 소화 할 수 있는 방법을 제시 하고자 한다.
The objective of the present work is to develop a precise instrument for measuring the thermal property of insulating material over a temperature range from 30 K to near room temperature by utilizing a cryocooler. The instrument consists of two thermal links, a test sample, heat sink, heat source and vacuum vessel. The cold head of the cryocooler as a heat sink is thermally anchored to the thermal link and used to bring the apparatus to a desired temperature in a vacuum chamber. An electric heater as a heat source is placed in the middle of test sample for generating uniform heat flux. The entire apparatus is covered by thermal shields and wrapped in multi-layer insulation to minimize thermal radiation in a vacuum chamber. For a supplied heat flux the temperature distribution in the insulating material is measured in steady and transient state. The thermal conductivity of insulating material is measured from temperature difference for a given heat flux. In addition, the specific heat of insulating material is obtained by solving one-dimensional heat diffusion equation.
Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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제11권3호
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pp.7-20
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2007
We examined the steady state solution for a strongly exothermic mixtures in some class A geometries subjected to different boundary conditions under Arrhenius, Bimolecular and Sensitised reactions. The solution of the governing nonlinear reaction diffusion equation was obtained using the variational method formulation executed in Mathematica package. The paper elucidates the influence of geometry, boundary conditions and types of reaction on the thermal ignition of the reactive mixture. Apart from validating known results in literature, the solution gave further insight into the influence of material properties and conditions on the occurrence of thermal ignition.
Graphite's thermal stability facilitates its widespread use as crucibles and molds in high temperatures processes. However, carbon atoms can be rather easily detached from pores and outer surfaces of the graphite due to the weak molecular force of the c axis of graphites. Detached carbon atoms are known to become a source of dust during fabrication processes, eventually lowering the effective yield of products. As an effort to reduce these problems of dust scattering, we have fabricated SiC composites by employing Si vapor infiltration method into the pores of graphites. In order to understand the diffusion process of the Si vapor infiltration, Si and C atomic percentages of fabricated SiC composites are carefully measured and the diffusion law is used to estimate the diffusion coefficient of Si vapor. A quadratic equation is obtained from the experimental results using the least square method. Diffusion coefficient of Si vapor is estimated using this quadratic equation. The result shows that the diffusion length obtained through the Si vapor infiltration method is about 10.7 times longer than that obtained using liquid Si and clearly demonstrates the usefulness of the present method.
한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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pp.30-33
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2004
Shallow p+-n junctions were formed by low-energy ion implantation and dual-step annealing processes The dopant implantation was performed into the crystalline substrates using $BF_2$ ions. The annealing was performed with a rapid thermal processor and a furnace. FA+RTA annealing sequence exhibited better junction characteristics than RTA+FA thermal cycle from the viewpoint of junction depth. A new simulator is designed to model boron diffusion in silicon, which is especially useful for analyzing the annealing process subsequent to ion implantation. The model which is used in this simulator takes into account nonequilibrium diffusion, reactions of point defects, and defect-dopant pairs considering their charge states, and the dopant inactivation by introducing a boron clustering reaction. Using a resonable parameter values, the simulator covers not only the equilibrium diffusion conditions but also the nonequilibrium post-implantation diffusion. Using initial conditions and boundary conditions, coupled diffusion equation is solved successfully. The simulator reproduced experimental data successfully.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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