• 제목/요약/키워드: Te-rich $Sb_xTe_{1-x}$

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Te이 과량 포함된 $Sb_xTe_{1-x}$ 나노와이어 및 나노튜브의 합성 및 분석 (Synthesis and Characterization of Te-rich $Sb_xTe_{1-x}$ Nanowires and Nanotubes)

  • 이준석;노광수;정순원;윤성민;유병곤
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.423-423
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    • 2008
  • One dimensional (1D) nanostructures, including nanowires, nanorods, nanobelts, and nanotubes, have been the focus of current research on nanotechnology because of their fundamental significance in chemistry, physics, materials science and engineering, and potential applications in nanoelectronics. We have synthesized Te-rich $Sb_xTe_{1-x}$ nanowires and nanotubes via thermal evaporation method under vapor-solid mechanism. The physical morphology and chemical composition of the fabricated nanowires and nanotubes were investigated by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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Te가 증가된 AgInSbTe 박막의 상변화 특성 연구 (The study for phase change properties of Te-rich AgInSbTe thin films)

  • 김성원;임우식;이현용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.135-135
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    • 2007
  • AgInSbTe물질은 compact disc rewritable(CD-RW)와 rewritable digital versatile disc (DVD+RW)과 같은 상변화 기록매체에 널리 쓰여지고 있다. 본 논문에서는 기존 AgInSbTe조성에 Te가 증가되었을때 변화하는 상변화 특성에 대한 연구를 수행하기 위하여 ($Ag_{3.4}In_{3.7}Sb_{76.4}Te_{16.5})x(Te)1-x$의 조성 (x=1,0.9,0.8,0.7)의 벌크 및 박막시료를 제작하였고 열증착방식을 이용하여 200nm 두께의 박막을 형성하였다. 각 박막은 질소분위기에서 100-300도 범위에 1 시간동안 열처리 하였고 XRD와 UV-ViS-NIR Spectrophotometer룰 통해 각 조성의 구조 및 광학적 특성 분석을 살시하였다. 또한 as-deposited 박막에 대하여 4-point probe를 사용하여 면저항을 측정하였고 AFM (atom force microscopy)을 통해 표면분석을 실시하였다.

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Influence of Annealing Temperature on Structural and Thermoelectrical Properties of Bismuth-Telluride-Selenide Ternary Compound Thin Film

  • Kim, Youngmoon;Choi, Hyejin;Kim, Taehyeon;Cho, Mann-Ho
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.304.2-304.2
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    • 2014
  • Chalcogenides (Te,Se) and pnictogens(Bi,Sb) materials have been widely investigated as thermoelectric materials. Especially, Bi2Te3 (Bismuth telluride) compound thermoelectric materials in thin film and nanowires are known to have the highest thermoelectric figure of merit ZT at room temperature. Currently, the thermoelectric material research is mostly driven in two directions: (1) enhancing the Seebeck coefficient, electrical conductivity using quantum confinement effects and (2) decreasing thermal conductivity using phonon scattering effect. Herein we demonstrated influence of annealing temperature on structural and thermoelectrical properties of Bismuth-telluride-selenide ternary compound thin film. Te-rich Bismuth-telluride-selenide ternary compound thin film prepared co-deposited by thermal evaporation techniques. After annealing treatment, co-deposited thin film was transformed amorphous phase to Bi2Te3-Bi2Te2Se1 polycrystalline thin film. In the experiment, to investigate the structural and thermoelectric characteristics of Bi2Te3-i2Te2Se1 films, we measured Rutherford Backscattering spectrometry (RBS), X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, Scanning eletron microscopy (SEM), Transmission electron microscopy (TEM), Seebeck coefficient measurement and Hall measurement. After annealing treatment, electrical conductivity and Seebeck coefficient was increased by defect states dominated by selenium vacant sites. These charged selenium vacancies behave as electron donors, resulting in carrier concentration was increased. Moreover, Thermal conductivity was significantly decreased because phonon scattering was enhanced through the grain boundary in Bi2Te3-Bi2Te2Se1 polycrystalline compound. As a result, The enhancement of thermoelectric figure-of-merit could be obtained by optimal annealing treatment.

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울산 광산의 철-텅그스텐 스카른화작용 (Magnetite and Scheelite-Bearing Skarns in Ulsan Mine, Korea)

  • 최선규;이마이 나오야
    • 자원환경지질
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    • 제26권1호
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    • pp.41-54
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    • 1993
  • 경상분지 남동부에 위치한 울산광산은 석회암을 교대한 전형적인 calcareous skarn강상으로 Fe W광화작용 이외에도 Cu, Pb, Zn, As, Bi, Ni, Co, Cr, Ag, Sn, In, Te, Sb 등이 수반되는 다금속광화작용의 특성을 보여주고 있다. 본 광상은 직립에 가까운 파이프상 광체로 산출되며, 자철석과 함께 북측의 혼펠스와의 경계부근에 회중석이 부분적으로 광염되어 있다. 본 광상의 스카른대는 석회암 및 혼펠스를 교대한 괴상 스카른과 양자를 각기 절단하는 맥상스카른으로 구분된다. 괴상스카른은 석회암 기원의 스카른이 주체를 이루며, 이러한 스카른대는 규회석 스카른, 석류석 스카른, 단사휘석-석류석 스카른, 단사휘석 스카른으로 분류되며, 부분적으로 스카른대 주변부를 따라 거정질 방해석대가 존재하고 있다. 스카른 진화과정은 초기스카른 및 후기스카른의 두 시기로 분류되며, 초기스카른은 prograde한 스카른 생성시기로 초기에는 규회석, Mg-rich 단사휘석, Al-rich garnet가 주로 정출되며 광석광물은 거의 불모한 시기이나, 초기스카른의 말기로 진행됨에 따라 자철석과 회중석이 정출된다. 그리고, 후기스카른의 전반기까지는 Fe-rich 단사휘석, Fe-rich garnet와 함께 자철석 회중석이 연속적으로 정출되었으나, 후기스카른의 중기부터는 Ni, Co, As, Cu, Zn, Fe, Bi 등의 황화광물이 정출되는 다금속광화 작용의 특정을 보인다. 또한, 최후기 열수작용시기에는 섬아연석과 방연석 등의 Base-metal 황화광물이 주로 정출되는 연 아연 광화작용의 양상을 나타낸다. 이러한 각 광화시기별 스카른 광물과 광석광물의 변화양상은 고온의 열수용액이 천부로 유출되는 과정에서 광화용액의 온도가 급격히 떨어진 결과 (telescope)에 기인된 것으로 사료된다.

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