본 논문에서는 다시점 색상 카메라와 다시점 깊이 카메라를 이용하여 촬영한 영상의 후처리 방법과 3차원 장면의 깊이 정보를 생성하는 방법을 제안한다. 깊이 카메라는 장면의 깊이 정보를 실시간으로 측정할 수 있는 장점이 있지만, 잡음과 왜곡이 발생하고 색상 영상과의 상관도도 떨어진다. 따라서 다시점 깊이 영상에 후처리 작업을 수행한 후, 이를 다시점 색상 영상과 조합하여 3차원 깊이 정보를 생성한다. 깊이 카메라로부터 얻은 각 시점에서의 초기 변이 정보를 기반으로 한 스테레오 정합의 결과는 기존 방법의 결과 보다 우수한 성능을 나타내었음을 볼 수 있었다.
3개 혹은 그 이상의 고정노드로 구성된 다변측량법은 실내의 실시간 위치 인식 시스템 분야에서 현재 널리 사용되고 있다. 하지만 이 고정노드 중 일부가 장애물 및 고정노드의 불안정에 따라 통신도달성이 결여된 상황에서는 효율적 위치 정보를 획득하기가 어렵다. 이러한 환경에서 위치측정 결여 및 변동을 개선하기위하여 본 논문에서는 TOF(Time of Flight)기반으로 이동노드의 변위 추정을 위한 벡터예측알고리즘과 효율적인 거리평균을 위한 칼만필터를 이용하여 기존의 다변측량법에서 발생하는 내재적 위치측정오차를 줄일 수 있는 새로운 알고리즘을 제안한다. 보행자가 이동노드와 함께 이동하고 임의의 고정노드로부터 거리측정이 실패하더라도, 현재 및 이전 거리측정 값을 이용하는 제안한 알고리즘은 이동노드와 거리측정에 실패한 고정노드 사이의 거리를 예측할 수 있다. 실험결과 기존의 방법 대비 위치추정 성능과 효율이 향상됨을 확인하였다.
Various microorganisms play important roles in food fermentation, food spoilage, and agriculture. In this study, the biotype of 54 yeast and bacterial strains having high potential for utilization in food and agriculture, including Candida spp., Lactobacillus spp., and Acetobacter spp., were characterized by matrix-assisted laser desorption/ionization time-of flight mass spectrometry (MALDI-TOF MS). This characterization using a fast and robust method provides much-needed information on the selected microorganisms and will facilitate effective usage of these strains in various applications. Importantly, the unique protein profile of each microbial species obtained from this study was used to create a database of fingerprints from these species. The database was validated using microbial strains of the same species by comparing the mass spectra with the created database through pattern matching. The created reference database provides crucial information and is useful for further utilization of a large number of valuable microorganisms relevant to food and agriculture.
Large aperture optical modulator called optical shutter is a key component to realize time-of-flight (TOF) based three dimensional (3D) imaging systems [1-2]. The transmission type electro-absorption modulator (EAM) is a prime candidate for 3D imaging systems due to its advantages such as small size, high modulation performance [3], and ease of forming two dimensional (2D) array over large area [4]. In order to use the EAM for 3D imaging systems, it is crucial to remove GaAs substrate over large area so as to obtain high uniformity modulation performance at 850 nm. In this study, we propose and experimentally demonstrate techniques for backside etching of GaAs substrate over a large area having high uniformity. Various methods such as lapping and polishing, dry etching for anisotropic etching, and wet etching ([20%] C6H8O7 : H2O2 = 5:1) for high selectivity backside etching [5] are employed. A high transmittance of 80% over the large aperture area ($5{\times}5mm^2$) can be obtained with good uniformity through optimized backside etching method. These results reveal that the proposed methods for backside etching can etch the substrate over a large area with high uniformity, and the EAM fabricated by using backside etching method is an excellent candidate as optical shutter for 3D imaging systems.
This paper calculates and gives the analysis of mean energy in pure $SiH_4,\;Ar-SiH_4$ mixture gases ($SiH_4-0.5[%],\;5[%]$) over the range of $E/N =0.01{\sim}300[Td]$, p = 0.1, 1, 5.0 [Torr] by Monte Carlo the Backward prolongation method of the Boltzmann equation using computer simulation without using expensive equipment. The results have been obtained by using the electron collision cross sections by TOF, PT, SST sampling, compared with the experimental data determined by the other author. It also proved the reliability of the electron collision cross sections and shows the practical values of computer simulation. The calculations of electron swarm parameters require the knowledge of several collision cross-sections of electron beam. Thus, published momentum transfer, ionization, vibration, attachment, electronic excitation, and dissociation cross-sections of electrons for $SiH_4$ and Ar, were used. The differences of the transport coefficients of electrons in $SiH_4$, mixtures of $SiH_4$ and Ar, have been explained by the deduced energy distribution functions for electrons and the complete collision cross-sections for electrons. A two-term approximation of the Boltzmann equation analysis and Monte Carlo simulation have been used to study electron transport coefficients.
This paper calculates and gives the analysis of electron swarm transport coefficients as described electric conductive characteristics of pure Ar, pure $SiH_4$, Ar-$SiH_4$ mixture gases($SiH_4$-0.5%, 2.5%, 5%) over the range of E/N = 0.01~300[Td], P = 0.1, 1, 5.0 [Torr] by Monte Carlo the backward prolongation method of the Boltzmann equation using computer simulation without using expensive equipment. The results have been obtained by using the electron collision cross sections by TOF, PT, SST sampling, compared with the experimental data determined by the other author. It also proved the reliability of the electron collision cross sections and shows the practical values of computer simulation. Electron swann parameters in argon were drastically changed by adding a small amount of mono-silane. The electron drift velocity in these mixtures showed unusual behaviour against E/N. It had negative slope in the medium range of E/N, yet the slope was not smooth but contained a small hump. The longitudinal diffusion coefficient also showed a corresponding feature in its dependence on E/N. A two-tenn approximation of the Boltzmann equation analysis and Monte Carlo simulation have been used to study electron transport coefficients.
Mean energy of electrons in $SF_6-Ar$ Mixtures Gas used by MCS-BEq algorithm has been analysed over the E/N range $30{\sim}300[Td]$ by a two term Boltzmann equation and by a Monte Carlo Simulation using a set of electron cross sections determined by other authors, experimentally the electron swarm parameters for 0.2[%] and 0.5[%] $SF_6-Ar$, 0.1[%] and 5.0[%], $SF_6-Ar$ mixtures were measured by time-of-flight(TOF) method. The transport Coefficients for electrons in (100[%])$SF_6$. (100[%])Ar, (0.2[%])$SF_6-Ar$ and (0.5[%]) $SF_6-Ar$, (5.0[%]) $SF_6-Ar$, (0.1[%])$SF_6-Ar$ mixtures were measured by time-of-flight method, and the electron energy distribution function and the parameters of the velocity and the diffusion were determined by the variation of the collision cross-sections with energy. The results obtained from Boltzmann equation method and Monte Carlo simulation have been compared with present and previously obtained data and respective set of electron collision cross sections of the molecules.
Energy distribution function for electrons in $SF_6$-Ar mixtures gas used by MCS-BEq algorithm has been analysed over the E/N range $30\sim300$[Td] by a two term Boltzmann equation and by a Monte Carlo Simulation using a set of electron cross sections determined by other authors, experimentally the electron swarm parameters for 0.2[%] and 0.5[%] $SF_6$-Ar mixtures were measured by time-of-flight(TOF) method. The results show that the deduced electron drift velocities, the electron ionization or attachment coefficients, longitudinal and transverse diffusion coefficients and mean energy agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values. The transport coefficients for electrons in (0.2[%])$SF_6$-Ar and (0.5[%]$SF_6$ - Ar mixtures were measured by time-of-flight method, and the electron energy distribution function and the parameters of the velocity and the diffusion were determined by the variation of the collision cross-sections with energy. The results obtained from Boltzmann equation method and Monte Carlo simulation have been compared with present and previously obtained data and respective set of electron collision cross sections of the molecules.
During the long-time service of a bolt, its preload may suffer slight perturbations or significant reductions. It is a dilemma to monitor preload changes at high resolution and full scale. Approaches for bolt preload monitoring with multi-resolution should be developed. In this paper, a simple and effective multi-resolution bolt preload monitoring approach using ultrasonic guided waves (UGW) is proposed. A linear relationship between the time-of-flight (TOF) variation of multi-reflected waves and preload is derived to theoretically reveal the multi-resolution properties of UGW. The variations of TOF before and after the slight preload perturbations are extracted by using a global evaluation method. Experimental results show that the signal-to-noise ratio (SNR) of the 1st, 2nd, and 3rd-reflected UGWs is larger than 20 dB. The resolution of the 2nd-reflected UGW is higher than that of the 1st-reflected UGW and lower than that of the 3rd-reflected UGW. The ultimate detectable resolutions of bolt preload (DRBP) of the 1st and 3th-reflected UGWs are 0.9% and 0.5%, respectively. By using the 1st and 3th-reflected guided waves, the bolt looseness with different degrees can be monitored simultaneously.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.185-188
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2002
This paper describes the information for quantitative simulation of weakly ionized plasma. We should grasp the meaning of the plasma state condition to utilize engineering application and to understand materials of plasma state. In this paper, the drift velocity of electron in $SF_6+O_2$ mixture gas calculated for range E/N values l~900[Td] at the temperature is 300[$^{\circ}K$] and pressure is 1[Torr], using a set of electron collision cross sections determined by the authors and the values of drift velocity of electrons are obtained for TOF, PT, SST sampling method of Backward Prolongation by two term approximation Boltzmann equation method. It has also been used to predict swarm parameter using the values of cross section as input. The result of Boltzmann equation, the drift velocity of electrons, has been compared with pure $SF_6$, pure $O_2$ and mixture gas.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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