This study was carried out to compare the hair mineral status of obese, over-weighted and non-obese individuals, to gather basic data for customizing menu development and to create an education manual for the obese persons. Food preferences or various disease states could be suggested by different mineral patterns in TMA(tissue mineral analysis). The results indicated that Zn status was considerably lower in the obese individuals than in the non-obese(p<0.001) whereas hair Na(p<0.0001), K(p<0.01) and Fe(p<0.05) were at significantly higher levels in the obese individuals. The ratio of Ca/K(p<0.001) was significantly lower in the obese than in the non-obese. But the levels of hair toxic minerals such as Sb, As, Hb, Al et al. were not differ according to BMI groups. The obtained data demonstrate the changes of hair mineral content in both overweight and obese individuals thus suggesting metabolic mineral disturbance in those groups.
Physical and chemical properties on the aging inhibition mechanism of hydrous aluminum oxide were studied by means of dehydration velocity, activation energy, DTA, TGA, IR spectra, X-ray diffraction and TMA. During aging, changes may occur in the hydrous aluminum oxide structure which results in a loss of acid reactivity and in crystal formation to the hydrated hydrous alumina. The results obtained from the X-ray diffraction pattern and DTA, TGA thermogram studies showed that the aging product stabilized with either sorbitol or mannitol was hydrous aluminum oxide ($Al_{2}O_{3}{\cdot}xH_{2}O$) but the aging product not stabilized with either sorbitol or mannitol product not stabilized was hydrated hydrous aluminum oxide $Al_{2}O_{3}{\cdot}xH_{2}O{\cdot}yH_{2}O$. The activation energy of dehydration of the hydrous almina was about 17 Kcal. mol$^{1}$ deg$^{-1}$ which was observed a little less than that of 22 kcal.mol.$^{-1}$ deg.$^{-1}$ of or mannitol, the inhibition mechanism in the aging process from oxide is assumed to prevent the formation of the hydrated hydrous aluminum oxide and the aging process is thought of as analogous to the polymorphic transformations which occur as a system converts to its most stable state.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.175-175
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2008
투명전극으로 사용되고 있는 Indium tin oxide (ITO) 박막은 전기적 전도도와 기판과의 접확성, 화학적 안정성, 광투과율 등의 특성과 함께 우수한 전기 광학적 거동을 보이고 있다. 그러나 ITO는 고가의 재료이기 때문에 대체 투명전극으로 Al을 도핑한 ZnO 박막의 연구가 활발히 진행되고 있다. ZnO:Al 박막은 chemical vapor deposition, reactive magnetron sputtering, electron-beam evaporation, pulsed laser deposition 등의 당양한 방법을 이용하여 증착하였다. 그러나 최근 낮은 온도에서 대면적의 균일성과 우수한 특성 때문에 atomic layer depositon (ALD) 방법을 이용하여 많은 연구가 진행되고 있으며, 이런 투명전극은 태양전지를 위해 연구되어지고 있다. 따라서 본 연구에서는 ALD 방법으로 Al의 도핑 양을 조절하여, ZnO:Al 박막을 제조하여 그 특성을 평가하고, 또한 ZnO TFT를 제작하여 발표하고자 한다. ZnO와 ZnO:Al 박막은 실리콘과 유리 기판 위에 ALD (Lucida-D200, NCD Technology) 장치로 증착하였다. DEZn, TMA, $H_2O$는 ZnO와 ZnO:Al 박막을 증착하기 위한 전구체와 반응가스로 사용하였다. 증착된 박막은 XRD와 HRTEM을 이용하여 결정구조와 미세구조를 분석하였다. AFM과 4-point probe를 이용하여 증착된 박막의 표면 거칠기와 면저항을 관찰하였다. semiconductor parameter 분석기를 이용하여 제작된 ZnO TFT를 평가하였다.
This study was carried out to research the change of mineral phases and the characteristics(apparent specific gra-vity water absorption firing shrinkage modulus of rupture thermal expansion and specific dielectric constant) of the sintered bodies manufactured by kaolin and limestone. Samples were composed of the same theoretical composition as it of anorthite and fired up to 145$0^{\circ}C$ Investigated the change and micro-structure of the mineral phases by XRD and SEM the characterisdtics of the sintered bodies by TMA Automatic Capacitance Bridge and etc. The results were as follow. 1. Reactions of sintering are occurred between 860-95$0^{\circ}C$ and 1200-138$0^{\circ}C$ and state of bloating is occurred at 1410-145$0^{\circ}C$ 2. For the inclusion of feldspar and its fine particles of materials the temperature of producing and collapsing is decreased. 3. Pseudo-wollastonite and gehlenite are formed about 95$0^{\circ}C$ 4. At 114$0^{\circ}C$ anorthite are begin to forming and increase continuously to 138$0^{\circ}C$. Above 141$0^{\circ}C$ content of anorthite are decreased. 5. The variations of bending strength with sintering temperature reflect similar trend of sintered contraction and in-crease continuously from 120$0^{\circ}C$. At 145$0^{\circ}C$ reached about 680kg/cm2. 6. Specific dielectric constant$($\varepsilon$_s)$ of specimen sintered at 141$0^{\circ}C$ is 7.12 and that value is most favorable.
We present a three-mirror anastigmat(TMA) optical system for New Generation GOCI. In order to reduce the ghost optimized filter and baffle. By using carefully chosen antireflective coating and tilted filter angle, we fulfilled the design SNR requirement of 1500. We then designed a new entrance baffle and an internal baffle capable of producing the ghost ratio better than 0.01% of the nominal signal. The entrance baffle limits FOV to $0.75^{\circ}$ (E/W) $\times$$0.60^{\circ}$ (S/N), and prevents the system from strong sun illumination, and the internal baffle prevents stray and scattered ray from entering into the telescope cavity. From these filter and baffle design, we confirmed that the instrument signal to noise ratio can be met with the current conceptual opto-mechanical design.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.276-276
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2007
기존에 전자부품들에 사용되어 온 봉착용, 결합용, 코팅용 유리들은 타유리와 비교하여 낮은 융점을 가지고 있으면서도 열처리 전후에 물리, 화학적으로 매우 안정한 특성을 가지고 있는 PbO를 50~85% 이상 함유한 유리들이 대부분을 차지해왔다. 그러나 PbO 성분은 산성비 등의 산에 용해되어 Pb이온이 생성되면서 환경오염의 원인이 되기 때문에 유해성분으로 규정하고 있다. 최근 유해물질의 규제가 강화됨에 따라 PbO를 대체할 수 있는 $B_2O_3,\;Bi_2O_3,\;V_2O_5,\;P_2O_5$ 등의 새로운 조성의 유리에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 봉착용으로 사용되는 인산계 유리에서 RO계 첨가에 따른 TMA와 고온현미경, 필테스트를 통하여 접합성 및 열적특성 등의 변화에 대하여 조사하였다.
ZnO 나노와이어는 ZnO 파우더를 볼밀 처리하여 열증착 방법으로 $1380^{\circ}C$에서 촉매없이 Si 기판위에서 합성되었다. 합성된 ZnO 나노와이어의 길이와 직경은 $20{\sim}30{\mu}m$와 $50{\sim}200$ nm 였다. ZnO 나노와이어 표면을 atomic layer deposition(ALD) 방법으로 $Al_2O_3$ 박막을 얇게 코팅하였다. 성장온도는 $300^{\circ}C$였고, 사용한 전구체는 Trimethlaluminum(TMA)와 distilled water($H_2O$) 이다. Transmission electron microscopy(TEM) 으로 측정한 $Al_2O_3$ 박막의 두께는 40 nm 로서 매우 균일하게 ZnO 나노와이어에 증착되었음을 알 수 있었다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.2
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pp.137-141
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2009
AZO transparent conductive thin films were grown on $SiO_2$/Si and glass substrates using diethylzinc (DEZ) and trimethylaluminium (TMA) as the precursor and $H_2O$ as oxidant by atomic layer deposition. The structural, electrical, and optical properties of the AZO films were characterized as a function of film thickness at a deposition temperature of $150^{\circ}C$. The AZO films with various thicknesses show well-crystallized phases and smooth surface morphologies. The 190-nm-thick AZO films grown on Coming 1737 glass substrates exhibit rms(root mean square) roughness of 8.8 nm, electrical resistivity of $1.5{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$, and an optical transmittance of 84% at 600nm wavelength. Atomic layer deposition technique for the transparent conductive oxide films is possible to apply for the deposition on flexible polymer substrates.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.343-343
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2010
Tetra(4-carboxyphenyl)porphine(TCPP) 흡착으로부터 그래핀 표면의 기능화에 대하여 방사광을 이용한 광전자 분광법으로 연구하였다. 최근 들어 그래핀을 이용한 소자개발에 있어서 그래핀의 우수한 전기적 특성을 저해하지 않으며 그 표면의 화학적 활성도를 개선하고자 하는 필요성이 대두되고 있다. 따라서 기능성 작용기를 가지고 있는 유기반도체 물질을 이용하여 그래핀 표면의 화학적 활성화를 촉진시킴과 동시에 보호층을 형성시키고자 하는 연구가 보고되고 있다. 그러나 일반적으로 그 유기분자들이 그래핀 표면에 흡착되었을 때 전하의 이동을 유도함으로서 원래 그래핀의 물리적 특성을 변화시킬 가능성을 가지고 있다. 본 연구에서는 6H-SiC 표면 위에 두층으로 에피텍셜 성장된 그래핀에 TCPP 분자를 흡착시킴으로서 그래핀의 고유 특성을 거의 저해하지 않음과 동시에 기능성 작용기의 역할을 충실히 수행할 수 있음을 보여 주고 있다. 이는 valence band dispersion과 일함수 변화 측정으로 관찰할 수 있었다. 또한 TMA를 이용한 TCPP의 수산화 작용기의 반응 과정은 일반적인 실리콘 산화막에 적용했을 때 일어나는 화학적 반응 과정과 다른 메커니즘으로 진행됨을 관찰하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.246-246
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2013
Atomic layer deposition (ALD)에 의해 증착된 알루미늄 산화막($Al_2O_3$)은 고효율 결정질 실리콘 태양전지를 위한 우수한 패시베이션 효과를 보인다. $Al_2O_3$은 고정 음전하를 가지고 있기때문에 p-형 태양전지 후면에서 field effect passivation에 의한 효과적인 표면 패시베이션을 형성한다. 하지만 ALD에 의한 $Al_2O_3$ 증착은 긴 공정시간이 필요하다. 이는 기존의 태양전지 산업에 적합하지 않다. 본 논문에서는 공정 시간의 단축을 위해 plasma-assisted atomic layer deposition (PA-ALD) 기술을 사용함으로서 $Al_2O_3$을 증착했다. PA-ALD 기술은 trimethyaluminum (TMA)와 plasma 분위기에서의 $O_2$ 가스를 사용하여 표면 반응을 한다. $Al_2O_3$ 층의 특성을 최적화하기 위해 증착 온도를 $150{\sim}250^{\circ}C$의 범위에서 가변하고, 열처리 온도와 시간을 변화하였다. 결과적으로, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 $1250^{\circ}C$의 공정온도에서 증착한 $Al_2O_3$은 $400^{\circ}C$에서 10분 동안의 열처리 온도와 시간에서 1,610 ${\mu}s$의 최고의 유효 반송자 수명을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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