• 제목/요약/키워드: THz channel modeling

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Ultra Broadband Indoor Channel Measurements and Calibrated Ray Tracing Propagation Modeling at THz Frequencies

  • Priebe, Sebastian;Kannicht, Marius;Jacob, Martin;Kurner, Thomas
    • Journal of Communications and Networks
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    • 제15권6호
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    • pp.547-558
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    • 2013
  • Ultra broadband communication systems operated at THz frequencies will require the thorough knowledge of the propagation channel. Therefore, an extensive measurement campaign of 50 GHz wide indoor radio channels is presented for the frequencies between 275 and 325 GHz. Individual ray paths are resolved spatially according to angle of arrival and departure. A MIMO channel is recorded in a $2{\times}2$ configuration. An advanced frequency domain ray tracing approach is used to deterministically simulate the THz indoor propagation channel. The ray tracing results are validated with the measurement data. Moreover, the measurements are utilized for the calibration of the ray tracing algorithm. Resulting ray tracing accuracies are discussed.

THz 실내 무선 통신시스템을 위한 전파환경 분석 (Analysis of Propagation Environments for Indoor Wireless Communication Systems at THz Frequencies)

  • 이원희;정태진
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제10권2호
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    • pp.1-6
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    • 2010
  • 근거리 무선 통신시스템은 사무실과 가정의 응용으로 빠르게 확장하고 있다. 무선 네트워크의 개발은 더 높은 data rate의 요구를 만족하도록 수행되었다. 이것으로 높은 주파수에서 동작하는 통신시스템 개발의 필요성이 강조된다. 따라서 근거리 무선 통신 네트워크는 테라헤르츠 주파수 쪽으로 옮겨갈 것으로 기대된다. 실내의 벽과 바닥, 천장에 의해 발생하는 전파 환경 분석은 3차원 광선방출기법을 이용하였다. 또한 테라헤르츠 주파수에서의 rough한 건물 벽면의 특성을 파악하기 위해 광학적으로 두꺼운 smooth한 건물 재질의 반사 모델로부터 접근하여 나타내었다. 전파환경 시뮬레이션 결과평균 수신 전력이 참고문헌의 결과와 유사한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 실내 공간의 크기가 $6m(L){\times}5m(W){\times}2.5m(H)$에서 콘크리트 벽의 경우 RMS 지연시간은 9.11 ns로 계산되었다.

Small-Signal Modeling of Gate-All-Around (GAA) Junctionless (JL) MOSFETs for Sub-millimeter Wave Applications

  • Lee, Jae-Sung;Cho, Seong-Jae;Park, Byung-Gook;Harris, James S. Jr.;Kang, In-Man
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제12권2호
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    • pp.230-239
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    • 2012
  • In this paper, we present the radio-frequency (RF) modeling for gate-all-around (GAA) junctionless (JL) MOSFETs with 30-nm channel length. The presented non-quasi-static (NQS) model has included the gate-bias-dependent components of the source and drain (S/D) resistances. RF characteristics of GAA junctionless MOSFETs have been obtained by 3-dimensional (3D) device simulation up to 1 THz. The modeling results were verified under bias conditions of linear region (VGS = 1 V, VDS = 0.5 V) and saturation region (VGS = VDS = 1 V). Under these conditions, the root-mean-square (RMS) modeling error of $Y_{22}$-parameters was calculated to be below 2.4%, which was reduced from a previous NQS modeling error of 10.2%.