• 대한기계학회논문집
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• 제12권6호
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• pp.1320-1326
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• 1988

본 연구에서는 파괴역학적인 해석법과 표면레프리카법을 확장, 적용시켜 피로 -크리프하의 유지시간에 따른 작은 표면균열의 분포상태와 이의 합체, 성장 및 밀도변 화특성을 해석하여 기초적 자료를 얻는다.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권4호
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• pp.141-144
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• 2005

[ $(Y_{0.5}Sm_{0.25}Nd_{0.25})Ba_2Cu_3O_y$ ] [(YSN)-123] high $T_c$ composite superconductors with $CeO_2$ addition were systematically investigated by top seeded melt growth (TSMG) process in air atmosphere. A melt textured $NdBa_2Cu_3O_y$ (Nd-123) single crystal was used as a seed for achieving the c-axis alignment large grains perpendicular to the surface of (YSN)-123 composite oxides. The size of $(Y_{0.5}Sm_{0.25}Nd_{0.25})_2BaCuO_5$ [(YSN)211] nonsuperconducting inclusions of the melt textured (YSN)-123 samples with $CeO_2$ addition were remarkably reduced and uniformly distributed within the (YSN)123 superconducting matrix except in the region very close to the Nd-123 seed crystal. The sample showed a sharp superconducting transition of 91 K.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.146.2-146.2
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• 2013

Copper is considered to be the most promising substrate for the growth of high-quality and large area graphene by chemical vapor deposition (CVD), in particular, on the (111) facet. Because the interactions between graphene and Cu substrates influence the orientation, quality, and properties of the synthesized graphene, we studied the interactions using angle-resolved photoemission spectroscopy. The evolution of both the Shockley surface state of the Cu(111) and the ${\pi}$ band of the graphene was measured from the initial stage of CVD growth to the formation of a monolayer. Graphene growth was initiated along the Cu(111) lattice, where the Dirac band crossed the Fermi energy (EF) at the K point without hybridization with the d-band of Cu. Then two rotated domains were additionally grown as the area covered with graphene became wider. The Dirac energy was about -0.4 eV and the energy of the Shockley surface state of Cu(111) shifted toward the EF by ~0.15 eV upon graphene formation. These results indicate weak interactions between graphene and Cu, and the electron transfer is limited to that between the Shockley surface state of Cu(111) and the ${\pi}$ band of graphene. This weak interaction and slight lattice mismatch between graphene and Cu resulted in the growth of rotated graphene domains ($9.6^{\circ}$ and $8.4^{\circ}$), which showed no significant differences in the Dirac band with respect to different orientations. These rotated graphene domains resulted in grain boundaries which would hinder a large-sized single monolayer growth on Cu substrates.

• 한국자기학회지
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• 제14권2호
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• pp.59-64
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• 2004

나노 결정립 구조를 갖는 Fe-Al-O 연자성 산화막을 이온빔 에칭법으로 에칭하면서 연자기적 특성의 변화를 조사하였다. 두께가 감소할수록 보자력과 각형비가 증가하고 AFM 으로 조사한 표면굴곡도 증가하는 것으로 보아 결정립의 크기가 증가하는 것으로 판단된다. 이러한 현상은 비정질을 열처리한 나노결정립 연자성 재료와 다르게 성막하는 과정의 온도 상승에 의한 결정성장이 원인으로 판단된다. 따라서 우수한 연자성 박막을 제조하기 위해서는 두께 및 성막시간 등 최적 제조조건을 찾아야 한다. 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 Fe-Al-O 산화막의 경우 900 nm 이상에서 보자력이 1 Oe 이하인 연자성 박막을 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권5호
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• pp.321-327
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• 2000

다공성 알루미나 소결체내부로 3Y-TZP 및 12Ce-TZP 전구체를 각각 액상침투시킴으로써 2종류의 $Al_2O_3/TZP$복합체를 제조하였다. 소량의 (~11.0 wt%) TZP의 첨가는 Al2O3소결체 ($1600^{\circ}C$, 2시간)의 강도 (19~59%)와 파괴인성(14~157%)을 증가시켰다. 3Y-TZP의 첨가는 복합체의 강도의 향상에 12Ce-TZP의 첨가는 인성의 향상에 보다 효과적이었다. 침투도니 TZP는 복합체의 내부보다 표면에 집중되었으며, 그 결과 이곳에서의 입성장에 빨랐고 $Al_2O_3$의입성장 억제효과도 상대적으로 뛰어났다. 입계 및 입내균열전파가 일어났으나 $Al_2O_3/12Ce-TZP$의 경우가 $Al_2O_3/3Y-TZP$에 비하여 입계파괴가 우세하였다

• 한국결정성장학회지
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• 제10권3호
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• pp.199-204
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• 2000

본 연구에서는 청색 발광다이오드, 광전모듈레이터, 태양전지의 창문층 등의 광범위한 응용분야를 갖는 ZnS를 용액 성장법에 의해 nanometer 사이즈의 입자로 구성된 박막의 형태로 슬라이드 유리기판에 성장하고 구조적, 광학적 특성을 분석하고, 이 결과를 토대로 ZnS박막의 양자사이즈효과에 대해 연구하였다. 성장조건에 관련된 인자는 precursor 용액의 농도, 성장온도, 암모니아 용액의 농도, 성장시간 등이었다. X-선 회절분석 결과, 본 연구에서 용액성장법으로 성장한 ZnS박막은 cubic 구조($\beta$-ZnS)를 가졌다. 성장온도가 $75^{\circ}C$일 때 막의 표면상태가 가장 양호했으며 입자사이즈의 균일도도 가장 우수했다 광에너지 변화에 따른 광투과도 측정 결과, 본 연구의 ZnS 시료는 성장조건을 조절함에 따라 에너지밴드갭이 3.69 eV~3.91 eV까지 조절 할 수 있었고, 이는 벌크 ZnS의 에너지밴드갭인 3.65 eV보다 훨씬 높은 수치로서 양자사이즈효과에 의한 blue-shift 현상이 용액성장법으로 합성된 ZnS에서 큰 폭으로 나타남을 알 수 있었다. 그리고 photoluminescence(PL)측정 결과, ZnS 입자의 미세성으로 인한 입자 표면준위의 영향으로 PL 피크가 에너지밴드갭보다 훨씬 적은 에너지 영역에서 발생했다. 특히 PL피크의 위치가 입자사이즈와 막두께에 따라 shift했는데, 이는 용액성장법으로 성장한 ZnS의 경우 본 연구에서 최초로 보고되는 것이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제23권5호
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• pp.55-60
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• 1986

A mechanism for formation of surface reoxidation layer in Surface Boundary Layer Capacitor (SBLC) has been studied. SBLC were prepared by reduction of $BaTiO_3$ doped with $Bi_2O_3$ and electrode firing of silver paste containing $Bi_2O_3$ The apparent dielectric constant was in the order of $10^5$ and the insulation resistance larger than $10^6$$\Omega$ It can be expected that $Bi_2O_3$ dopant in $BaTiO_3$ plays the role of inhibition of grain growth and decreasing the resistivity of $BaTiO_3$. In order to confirm the process of surface reoxidation layer effects of atmosphere and annealing time in electrode sintering were investigated.

• 한국작물학회:학술대회논문집
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• 한국작물학회 2017년도 9th Asian Crop Science Association conference
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• pp.238-238
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• 2017

Salt stress is one of the deteriorating abiotic stresses due to the climate change, which causes over-accumulation of $Na^+$ and $Cl^-$ ions in plants and inhibits the growth and yield of rice especially in coastal Southeastern Asia. The yield components of rice plant (panicle number, spikelet number per panicle, 1000-grain weight, % of ripened grains) that are majorly affected by salt stress vary with growth stages at which the plant is subjected to the stress. In addition, the salt sensitivity of each yield component differs among rice varieties even when the salt-affected growth stage was same, which indicates that the physiological mechanism to maintain each yield component is different from each other. Therefore, we hypothesized that rice plant has different genes/QTLs that contribute to the maintenance of each yield component. Using a Japanese leading rice cultivar, Koshihikari, and salt-tolerant Nona bokra's chromosome segment substitution lines (CSSLs) with the genetic background of Koshihikari (44 lines in total) (Takai et al. 2007), we screened higher yielding CSSLs under salinity in comparison to Koshihikari and identified the yield components that were improved by the introgression of chromosome segment(s) of Nona bokra. The experiment was conducted in a salinized paddy field. One-month-old seedlings were transplanted into a paddy field without salinity. These were allowed to establish for one month, and then the field was salinized by introducing saline water to maintain the surface water at 0.4% salinity until harvest. The experiments were done twice in 2015 and 2016. Although all the CSSLs and Koshihikari decreased their yield under salinity, some CSSLs showed relatively higher yield compared with Koshihikari. In Koshihikari, all the yield components except panicle number were decreased by salinity and % of ripened grains was mostly reduced, followed by spikelet number per panicle and 1000-grain weight. When compared with Koshihikari, keeping a higher % of ripened grains under salinity attributed to the significantly greater yield in one CSSL. This indicated that the % of ripened grains is the most sensitive to salt stress among the yield components of Koshihikari and that the Nona bokra chromosome segments that maintained it contributed to increased yield under salt stress. In addition, growth analyses showed that maintaining relative growth rate in the late grain filling stage led to the increased yield under salt stress but not in earlier stages.

• 한국작물학회지
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• 제42권6호
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• pp.699-705
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• 1997

벼의 유효생육기간이 짧은 남부 산간고냉지에서 직파재배를 위한 기초자료를 얻고자, 경남 함양(해발 430m)에서 조생종인 금오벼를 공시하여 1994년 4월 25일부터 5월 15일까지 담수표면 직파 시기를 달리하여 생육특성과 수량반응을 검토한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 직파시기가 빠를수록 벼의 초기생육은 더디었으나, 생육이 진전됨에 따라 초장이 크고, 최고분얼수가 많았다. 2. 파종후 30일간의 적산온도는 파종기가 늦어질수록 높아졌고, 파종에서 최고분얼기까지 의적산온도는 1,010~l,052$^{\circ}C$, 출수기까지는 1,785~l,846$^{\circ}C$로 파종시기간에 비슷하였으며 ,출수 소요일수는 파종기가 늦으질수록 짧았다. 3. 파종시기에 따른 간장 및 단위면적당 수수는 4월 25일부터 5월 5일까지 직파는 이앙재배와 비슷하였으며, 등숙율은 이앙재배의 86.8%보다 직파재배구에서 낮았는데, 그 중에서 5월 1일 파종구가 76.3%로 가장 높았다. 4. 파종후 30일간 적산온도와 수수, 이삭수, 수량간에는 부의 상관이 이루어졌다. 5. 파종기(X)와 쌀수량(Y)간에는 $\hat{Y}$(MT/ha)=3.80990＋0.06207X-0.00174 $X^2$($R^2$=0.704) 의 관계가 성립하였는데, 적정 파종기는 4월 25일부터 5월 1일까지로 추정되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권5호
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• pp.247-252
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• 2002

$(Pb_{1-x}La_x)TiO_3$ (x = 0.1) 박막을 초음파분무 MOCVD법으로 ITO-coated glass 기판 위에 제조하였다. PLT 박막 제조 시 후열처리 및 seeding layer가 결정화 및 미세구조, 전기적 특성에 대한 영향을 알아보았다. 후열처리에 의하여 박막의 결정성은 향상되었고 미세구조에도 영향을 주었으며, 전기적 특성은 이들 특성의 변화에 의해서 향상되었다. 그리고 seeding layer에 의한 핵 생성자리 제공에 의하여 결정성의 향상과 grain 크기의 증가에 의하여 박막의 전기적 특성 또한 향상되었다. Seeding layer를 가지고 60분 동안 후열처리를 한 박막이 가장 우수한 전기적 특성을 나타내었으며 이 박막의 1 kHz에서 유전 상수는 213을 나타내었다.