The equilibrium or growth shape of ceramic materials is classified largely into two categories according to the thermodynamic conditions imposed. One is a polyhedral shape where the surface free energy is anisotropic, and the other a spherical shape where the surface free energy is isotropic. In the case of grains with a polyhedral shape of anisotropic surface free energy, socalled abnormal grain growth usually takes place due to a significant energy barrier for a growth unit to be attached to the crystal surface. In the case of grains with a spherical shape of isotropic surface free energy, however, normal grain growth with a uniform size distribution takes place. In this contribution, the state-of-the-art of our current understanding of the relationship between the crystal shape and the microstructure evolution during the sintering of ceramic materials in the presence of a liquid phase was discussed.
The densification and grain growth mechanisms of $UO_{2+x}$ in $H_2$ and in $CO_2$ have been investigated. Uranium dioxide powder compacts were sintered at 1$700^{\circ}C$ in $H_2$ or at 110$0^{\circ}C$ in $CO_2$ for various times from 0.5 h to 16 h. The grain size and density of the specimens were measured. From the measured data, the mechanisms of the densification and grain growth were determined by use of available kinetic equations which express the relations between densification and grain growth. In both atmospheres, it has been found that the densification was controlled by the lattice diffusion and the grain growth by the surface diffusion of atoms around pores. It appears that the surface diffusivity as well as the lattice diffusivity increase considerably with the increase in O/U ratio in the specimen.
금속 배선 공정에서 응용되고 있는 reflow에 관한 이론올 살펴보고, 금속 박막 reflow에 영향을 미치는 인자 및 reflow와 grain growth의 관계를 고찰하였다. 금속 박막 reflow의 구동력은 표연 위치에 따른 chemical potential의 차이이며, 이러 한 구동력에 의하여 원자가 이동하게 된다. 반도체 소자의 금속 배선을 제작하는 조건에서 원자의 이동은 주로 surface diffusion에 의하여 이루어진다. 금속 박막의 reflow에 영향율 미치는 인자로는 reflow 온도, reflow 시간, reflow 분위기, 박막 두께, 박막 재료, underlayer 재료, 패턴 size, aspect ratio가 있으며, 박막을 reflow시키는 동안에 발생하는 grain growth에 의하여 reflow 특성이 변할 것으로 예상되므로 reflow 시 grain growth의 영향을 고려하여야 하리라 생각된다.
This study presents that the orientation and the geometry of seed affect on the growth behavior of melt processed single grain REBCO bulk superconductor and its magnetic properties. The effects of seed geometry have been investigated for thin $30mm{\times}30mm$ rectangular powder compacts. Single grain REBCO bulk superconductors have been grown successfully by a top seed melt growth method for 8-mm thick vertical thin REBCO slab. Asymmetric structures have been developed at the front surface and at the rear surface of the specimen. Higher magnetic properties have been obtained for the specimen that c-axis is normal to the specimen surface. The relationships between microstructure, grain growth and magnetic properties have been discussed.
The relation between the ion irradiation induced grain growth and the basic parameters sinvolved in ion beam mixing process was studied. TEM micrographs showed that a significant grain growth has been induced by Ar+ irradiation at room temperature. The grain size increases rapidly in low dose region, while it approaches a saturated value in high dose region, and it has close relationship with nuclear energy deposition and thermodynamic properties such as cohesive energy ( Hc) and heat of mixing ( Hm). A model for the grain growth based on the thermal spike induced atomic migration was developed and applied to interpret experimental results.
During the last decade there have been many studies on the new ceramics especially engineering ceramics. Sintered silicon carbide is one of the main materials in engineering ceramics. This study shows the effects of surface treatment and microstructure especially the abnormal grain growth on the strength of sintered SiC. Surface of sintered SiC and treated with 400, 800 and 1200 grit diamond wheel. Grain growth is introduced by increasing the sintering times at 205$0^{\circ}C$. The $\beta$longrightarrow$\alpha$ transformation occurs during the sintering of $\beta$-starting materials and is often accompanied by abnormal grain growth. The overall strength distribution are estimated using the Weibull statistics. The results show that the strength of sintered SiC is limited by extrinsic surface flaws in normal-sintered specimens. And it is sound that the finer the surface finishing and the grain size the higher the strength results. But the strength of abnormal sintering specimens is limited by the abnormally-grown large tabular grains. The Weibull modulus increases with the decreasing grain size and the decreasing grit size of grinding.
Densification and grain growth behaviors of ITO ceramics were investigated as a function of TiO2 ad-ditions. TiO2 addition led to inhibition of the grain growth and promotion of the densification of ITO ceram-ics. From the microstructure observation it was found that the crack-like voids which were formed in pure ITO specimens decreased with increase of TiO2 additon. The grain growth exponent(n) was measur-ed to be 4 for pure ITO 3 for TiO2-doped ITO specimens respectively. It was supposed that the grain boun-dary migration of pure ITO ceramics was controlled by the pores which were moved by surface diffusion. On the contrary the grain boundary migration of TiO2-doped ITO specimens was depressed by solute drag effect. The activation energies for grain growth were measured to be 1013 kJ/mol for pure ITO ceramics and 460kJ/mol for TiO2-doped ITO specimens respectively.
The effect of aliovalent dopents, $Nb_3O_5$ and MnO, on the grain growth kinetics of 12 mol% ceria stabilized tetragonal zirconia polycrystals (Ce-TZP) was studied. All specimens were sintered at $1550^{\circ}C$ for 20 minutes prior to annealing at different temperatures to study grain growth kinetics. Grain growth kinetics of Ce-TZP and 1 mol% $Nb_2O_5$ doped Ce-TZP (Ce-TZP/$Nb_3O_5$) during annealing at 1475, 1550, and $1600^{\circ}C$ adequately matched with square law $(D^2-D_\;o^2=k_at)$. However, grain growth in 1 mol% MnO suppressed grain growth in Ce-TZP by drag force exerted by $Mn^{+2}$ ions which segregated strongly to the positively-charged grain boundaries of Ce-TZP, $Nb_2O_5$ enhanced grain growth by increasing the concentration of vacancies of $Zr^{+4}$ ion and $Ce^{+4}$ ions. Surface analysis with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) showed the segregation of Mn+2 ions to grain boundaries. The kinetics of grain growth obtained in the base Ce-TZP and the Ce-TZPs with the aliovalent dopants were examined in the context of impurity drag effect and space charge effect.
The microstructural changes of Al-Zn-Mg-Cu alloy containing Sc during hot extrusion and post heat treatment is investigated. Two kinds of Al-Sc alloys with different alloying elements (B1, B2) are hot extruded to make I-shape bars at 380$^{\circ}C$, then the bars are solution treated at 480$^{\circ}C$ for 2hrs followed by artificial aging at 120$^{\circ}C$ for 24hrs. The interior microstructure of as extruded bar consists of elongated grains, however, fine equiaxed grains are mainly observed around surface. The microstructural gradient suggests that different restoration process can proceed during the hot extrusion. For B1 and B2, different grain growth behaviors are found around the surface during the post heat treatment. Rapid grain growth behavior around the surface is discussed related with the crystallographic orientation of the grain.
Abnormal grain growth in alumina was investigated during sinter-HIP process for better understanding of pressure effect on microstructural development. Abnormal grain growth of monolithic alumina was observed near surface region rather than interior region of specimen. Finite element analysis was used to estimate the pressure distribution developed in the specimen. Pressure distribution analysis was in good agreement with grain size distributjion in the specimen. The results of finite element analysis provided that abnormal grain growth monolithic alumina was resulted from the inhomogeneous pressure distribution in the specimen. MgO addition in alumina was effective for the suppression of abnormal grain growth in alumina under inhomogeneous pressure distribution during sinter-HIP process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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