Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.3
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pp.410-415
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1999
The adhesion strength of sputtered copper films to Inconel substrates has been studied using the scratch test. The effects of substrate treatments before deposition such as chemical or ion bombardment etching were investigated by means of a mean critical load derived from a Weibull-like statistical analysis. It was found that the mean critical load was very weak unless the amorphous layer produced by mechanical polishing on the substrate surface was eliminated. Chemical etching in a nitric-hydrochloric acid bath was shown to have practically no effect on the enhancement of the adhesion. In contrast, the addition in this bath of nickel and copper sulphates allowed removal of the amorphous layer and an increase in the values of the mean critical load. However, it was observed that excessive chemical etching could cancel out the mean critical load enhancement. The results obtained in the case of ion bombardment etching pretreatments could be far higher than those obtained with chemical etching. Moreover, for a sufficiently long period of ion bombardment etching, the adhesion strength was so high that it was impossible to observe evidence of an adhesion failure.
In this study, the Ar plasma treatment was used to improve the surface roughness of Poly-Si1-xGex thin film deposited by RTCVD. The surface roughness and the resistivity of Si1-xGex thin film were investigated with variation of Ar plasma treatment parameters (electrode distance, working pressure, time, substrate temperature and R.F power). When the Ar plasma treatment was used, the cluster size decreased by the surface etching effect due to the increasing surface collision energy of particles (ion, neutral atom) in plasma under the conditions of decreasing electrode distance and increasing pressure, time, temperature, and R. F power. Although the surface roughness value decreased by the reduction of the cluster size due to surface etching effect, however, the resistivity increased. This may be due to the surface damage caused by the increasing surface collision energy. It was concluded that the surface roughness could be improved by the Ar plasma treatment, while the resistivity was increased by the surface damage on the substrate.
Surface morphology and optical properties such as transmittance and haze effect of glass etched by physical and chemical etching processes were investigated. The physical etching process was carried out by pen type sandblasting process with $15{\sim}20{\mu}m$ dia. of $Al_2O_3$ media; the chemical etching process was conducted using HF-based mixed etchant. Sandblasting was performed in terms of variables such as the distance of 8 cm between the gun nozzle and the glass substrate, the fixed air pressure of 0.5bar, and the constant speed control of the specimen stage. The chemical etching process was conducted with mixed etching solution prepared by combination of BHF (Buffered Hydrofluoric Acid), HCl, and distilled water. The morphology of the glass surface after sandblasting process displayed sharp collision vestiges with nonuniform shapes that could initiate fractures. The haze values of the sandblasted glass were quantitatively acceptable. However, based on visual observation, the desirable Anti-Glare effect was not achieved. On the other hand, irregularly shaped and sharp vestiges transformed into enlarged and smooth micro-spherical craters with the subsequent chemical etching process. The curvature of the spherical crater increased distinctly by 60 minutes and decreased gradually with increasing etching time. Further, the spherical craters with reduced curvature were uniformly distributed over the etched glass surface. The haze value increased sharply up to 55 % and the transmittance decreased by 90 % at 60 minutes of etching time. The ideal haze value range of 3~7 % and transmittance value range of above 90 % were achieved in the period of 240 to 720 minutes of etching time for the selected concentration of the chemical etchant.
Purpose: In this study, when the etching treatment method, which is a chemical surface treatment method, is applied to colored zirconia, the shear bond strength between the veneering ceramic material and colored zirconia is compared with that without surface treatment, and the fracture type is observed to evaluate the etching treatment effect of colored zirconia. Methods: Experiments were conducted after dividing the study sample into two groups, which are the zirconia control group without surface treatment using colored zirconia blocks (without etching zirconia, NZC group) and the zirconia group treated with a commercially available etching solution (etching liquid zirconia, EZC group). Results: The mean shear bond strength of the NZC group was 20.31±2.32 Mpa, and that of the EZC group was 25.95±2.34 Mpa, and the difference between these two values was statistically significant (p<0.05). Further, the surface roughness Ra value was higher in the EZC group than in the NZC group. In the fracture pattern, cohesive fractures were dominant, and adhesive fractures and cohesive fractures were mixed. Conclusion: The bond strength was significantly higher in the group treated with colored zirconia. The fracture pattern was mostly cohesive failure in the group not treated with etching and changed to mixed failure as the etching treatment progressed.
Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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v.37
no.1
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pp.23-30
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2021
Purpose: The aim of this study was to investigate effect of zirconia on osseointegration and Surface appearance by surface treatments using various acid solution. Materials and Methods: The prepared zirconia disks were treated with hydrofluoric acid solution and photo-assisted etching under various condition. The surface was analyzed by SEM and the surface roughness was analyzed by using surface profiler. The osteogenic effect of MC3T3-E1 cells was assessed via fluorescent staining observation and reverse transcriptase-polymerase chain reaction (RT-PCR). Results: Various roughness were obtained according to the surface treatment method. The surface roughness increased in the group treated with hydrofluoric acid solution, but that had week network structure. In the method using photo-assisted etching, the surface roughness increased in micro units. Cell reaction showed better results in the photo-assisted etching group than in the hydrofluoric acid-treated group (P < 0.05). And it showed even osteoblastic cell distribution in photo-assisted etching group. Conclusion: As a result, the photo-assisted etching method is more effective than the simple acid solution treatment for zirconia treatment for osseointegration.
Kang, Hyo Min;Kim, Jaehyung;Lee, Sang Hyuk;Kim, Kiwoong
Journal of the Korean Society of Visualization
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v.19
no.3
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pp.123-129
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2021
Many plants and animals in nature have superhydrophobic surfaces. This superhydrophobic surface has various properties such as self-cleaning, moisture collection, and anti-icing. In this study, the superhydrophobic properties of PTFE surface were treated by plasma etching. There were four important factors that changed the surface properties. Micro-sized protrusions were formed by plasma etching. The most influential parameter was RF Power. The contact angle of the pristine PTFE surface was about 113.8°. The maximum contact angle of the surface after plasma treatment with optimized parameters was about 168.1°. In this case, the sliding angle was quite small about 1°. These properties made it possible to remove droplets easily from the surface. To verify the self-cleaning effect of the surface, graphite was used to contaminate the surface and remove it with water droplets. Graphite particles were easily removed from the optimized surface compared to the pristine surface. As a result, a surface having water repellency and self-cleaning effects could be produced with optimized plasma etching parameters.
In order to observe the pattern forming of copper plate and chemical corrosion reaction, a study on the effect of the process parameters on the formation of micro-pattern by a photochemical etching of copper plate was carried out. The results are as follows : 1) Etching rate increases as the concentration of etchant increases under the regular condition of the temperature by the increasing of diffusion rate to surface. 2) Etching rate increases as the temperature of etchant increases by the fast acting of the material delivery of diffusion to surface under the regular condition of concentration. 3) It was found that etching speed increases as the material delivery of convection rising increased when the aeration speed of etchant increases. This result was from the fact acted by the material delivery of convection rising rather than material delivery of diffusion to the surface.
Kim, Youn-Hwi;Shin, Soo-Yeon;Cho, In-Ho;Lee, Joon-Seok
Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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v.23
no.4
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pp.269-281
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2007
Fluoric acid etching is an essential procedure in cementation of reinforced ceramics to tooth surface. But there have been few studies about the changes of surface structure and flexural strength of IPS $Empress^{(R)}$ 2 ceramic according to the etching time. The objectives of this study were to examine the surface structure changes and the difference in biaxial flexural strength of IPS $Empress^{(R)}$ 2 ceramic according to various etching times. Sixty one disk-shaped specimens of IPS $Empress^{(R)}$ 2 ceramic($14mm{\times}1.2mm$) were fabricated for the biaxial flexural strength test and SEM analysis according to the manufacturer's recommendations. Sixty specimens were divided into 6 groups(n=10) according to the time of HF acid etching(0, 20, 180 and 300s)and silane/resin cement application. Each disk was loaded using a piston-on-3 ball biaxial configuration in a universal testing machine. The failure loads(N) were recorded, and the biaxial flexural strength for each disk was calculated. A one-way analysis of variance and independent t-test on transformed fracture strength data were used to determine significant differences between groups. The groups of no cementation showed a trend toward progressive weakening with increasing the etching time. However, this was not statistically significant at p=0.05 level. The groups of resin cementation exhibited no apparent trend in their mean strength values. SEM photomicrographs showed very different results of etching. Within the conditions of this study, alteration of surface topography by acid etching does not have a deleterious effect on the biaxial flexural strength of IPS $Empress^{(R)}$ 2 ceramic.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.26
no.5
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pp.225-234
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1993
Titanium nitride coatings were deposited onto SUS304 stainless steel substrates pretreated by mechanical scrubbing, chemical etching at 50% HCl solution and Ar ion etching. Adhesion strength were measured by scratch tester and confirmed by SEM with EDS. Adhesion strength of Ar ion etched substrate was 10 to 15 times higher than that of mechanical scrubbed or chemical etched substrate. Ar ion etching brought about an uniform and fine spherical shaped surface, while chemical etching gave rise to a rough and irregular surface on SEM micrograph. It was suggested that higher adhesion strength might be caused by anchoring effect of Ar ion etched surface prior to TiN deposition.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.299.2-299.2
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2013
We investigated the potassium remaining on a crystalline silicon solar cell after potassium hydroxide (KOH) etching and its effect on the lifetime of the solar cell. KOH etching is generally used to remove the saw damage caused by cutting a Si ingot; it can also be used to etch the rear side of a textured crystalline silicon solar cell before atomic layer-deposited Al2O3 growth. However, the potassium remaining after KOH etching is known to be detrimental to the efficiency of Si solar cells. In this study, we etched a crystalline silicon solar cell in three ways in order to determine the effect of the potassium remnant on the efficiency of Si solar cells. After KOH etching, KOH and tetramethylammonium hydroxide (TMAH) were used to etch the rear side of a crystalline silicon solar cell. To passivate the rear side, an Al2O3 layer was deposited by atomic layer deposition (ALD). After ALD Al2O3 growth on the KOH-etched Si surface, we measured the lifetime of the solar cell by quasi steady-state photoconductance (QSSPC, Sinton WCT-120) to analyze how effectively the Al2O3 layer passivated the interface of the Al2O3 layer and the Si surface. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was also used to measure how much potassium remained on the surface of the Si wafer and at the interface of the Al2O3 layer and the Si surface after KOH etching and wet cleaning.
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