H2O2는 세포에서 산화 스트레스를 유발하여 세포 성장, 증식, 노화 및 사멸에 영향을 미치는 일종의 활성산소종(ROS)이다. 본 연구의 목적은 H2O2의 세포 독성을 완화시키는 활성 펩타이드를 찾는 것이다. 잠재적인 활성 펩타이드의 서열을 예측하기 위해서 위치 스캐닝 합성 테트라펩타이드 조합 라이브러리를 탐색하였다. H2O2로 유도된 인간 각질형성세포(HaCaT 세포)의 사멸에 대한 펩타이드 풀들의 완화 효과를 비교한 결과, 다양한 활성 펩타이드의 시퀀스가 예측되었다. 특히 시스테인(C) 잔기를 함유한 펩타이드가 활성이 있을 것으로 예측되었다. 후속 실험에서 C-NH2, CC-NH2, CCC-NH2, CCCC-NH2 등의 길이가 다른 시스테인 함유 펩타이드들의 세포 독성과 활성을 조사하였다. C-NH2 및 CC-NH2는 1.0 mM 이하에서 유의한 세포 독성이 없었지만 CCC-NH2 및 CCCC-NH2는 상대적으로 강한 세포 독성을 보였다. C-NH2와 CC-NH2는 H2O2로 유도된 세포독성을 완화시켰다. CC-NH2는 C-NH2, C, N-아세틸 시스테인(NAC) 및 글루타티온(GSH)보다 세포 보호 효과가 높았다. 유세포 분석법으로 세포 내 ROS를 측정하였을 때, H2O2는 ROS의 생성을 증가시켰다.H2O2 노출조건에서 CC-NH2는 C-NH2보다는 더 효과적으로 ROS 생성을 억제하였고, C, NAC, GSH 만큼 효과적이었다. 본 연구의 결과는 다양한 시스테인 함유 펩타이드 중 특히 CC-NH2가 H2O2로 유도된 세포 독성과 ROS 생성을 안전하고 효과적으로 완화시키는 항산화 특성이 있음을 시사한다.
It was reported that a tetragonal phase can be stabilized with maintaining good piezoelectric properties when Na0.5K0.5NbO3 (KNN) is modified with 0.06 mol SrTiO3. However, such a high amount of SrTiO3 leads not only to poor sinterability but low Curie temperature (TC). To maintain high TC with good piezoelectric properties in KNN-based lead-free piezoelectric ceramics, this study investigates the effect of Li-doping on the dielectric and piezoelectric properties of 0.96Na0.5K0.5NbO3-0.04SrTiO3 (KNN-4ST) ceramics. As a result, the orthorhombic-tetragonal phase transition was observed at 2 mol% Li2CO3 modified KNN-4ST ceramics, whose TC, d33 and kp values are 328℃, 165pC/N and 0.33, respectively.
We have studied the effects of Ag on the characteristics of Sn48In52Agx (wt%) low-melting solders for photovoltaic ribbons. The Sn48In52 (wt%) solder coexisted in the InSn4 and In3Sn alloys. Ag atoms added in the solder formed an AgIn2 alloy by reacting with some part of In atoms, while they did not react with Sn atoms. The addition of Ag atoms in the Sn48In52Agx (wt%) solders showed useful results; an increase in peel strength and a decrease in melting temperature. The peel strength of the ribbon plated with the Sn48In52 (wt%) solder was 53.6 N/mm2, and that of the Sn48In52Ag1 (wt%) solder largely increased to 125.1 N/mm2. In the meanwhile, the melting temperature of the Sn48In52 (wt%) solder was 119.2℃, and that of the Sn48In52Ag1 (wt%) solder decreased to 114.0℃.
The current study deals with the possible interplay between superconductivity and spin density wave in two band model high temperature iron based superconductor (FeBSC) Ba1-xNaxFe2As2. The electron and hole bands in the presence of the inter-band interaction between the two bands is becoming a vital issue to deal with the high temperature physics of the iron-based superconductors. In this research work, a model Hamiltonian appropriate for the system under consideration has been developed and the temperature dependent Green's function technique has been employed to get the solution for the equations of motion constructed for the two band model high temperature FeBSC Ba1-xNaxFe2As2. By making use of the decoupling procedure, the equations of motion for the dependence of superconducting transition temperature (TC) on spin density wave(SDW) order parameter (ΔSDW) in the electron intra-band (Δsc(e)) , hole intra-band (Δsc(h)) and inter-band (Δsc(eh)) for Ba1-xNaxFe2As2 have been obtained. We have also obtained the expression for the dependence of spin density wave transition temperature(TSDW) on ΔSDW for Ba1-xNaxFe2As2. Using some plausible approximations and appropriate experimental values for the parameters in the obtained equations of motion, phase diagrams of TC versus Δsc(e), Δsc(h) and Δsc(eh) are plotted. Furthermore, a phase diagram of TSDW versus ΔSDW is plotted for the material under consideration. Finally, using the above mentioned phase diagrams, the interplay between superconductivity and spin density wave in the two band model high temperature FeBSC Ba1-xNaxFe2As2 has been demonstrated to be a very distinct possibility. The agreement of the current finding with the experimental observations is quite commendable.
HCl에 의한 원소수은 산화활성을 크게 억제하는 것으로 잘 알려진 NH3가 존재하는 SCR조건에서도 CuCl2가 담지된 V2O5-WO3/TiO2 촉매는 원소수은의 산화에 우수한 활성을 나타내었다. 더구나, HCl과 함께 SO2가 반응가스에 존재할 경우에 촉매표면에 담지된 CuCl2가 CuSO4로 변환되는데도 불구하고 뛰어난 원소수은 산화활성이 유지되는 것이 확인되었다. 이는 HCl 뿐만 아니라 촉매 표면에 생성된 SO4 성분이 원소수은의 산화를 촉진시키기 때문으로 판단된다. 그러나 SO2 존재 하에서는 촉매반응 전후의 전체 수은 수지가 맞지 않는 현상이 나타나는데 특히 SO2 농도가 높을수록 심하게 나타났다. 이의 원인 파악을 위해서는 수은 종 분석 방법으로 적용된 SnCl2 수용액에서 SO2의 영향과 촉매표면에 생성되는 황산이온이 원소수은 산화에 미치는 영향에 대한 추가적인 연구가 필요하다. SO2는 NOx 제거 활성도 촉진시키는 것으로 확인되는데 이는 SO2에 의해 촉매 표면에 생성된 SO4에 의한 산점 증가가 NH3 흡착을 용이하게 하기 때문으로 판단된다. 다양한 반응조건에서 촉매 성분의 조성과 구조 변화는 XRD와 XRF로 측정하였으며 이들 측정 결과는 SO2가 본 촉매시스템에서 원소수은의 산화 활성과 NOx 제거 활성을 증진시키는 현상을 합리적으로 설명하는 근거로 제시되었다.
This study investigated the low temperature sintering with various templates of Bi-based lead-free piezoelectric ceramics. The effects of using CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates on the sintering behavior as well as the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of Bi1/2(Na0.78K0.22)1/2TiO3 (BNKT) ceramics have been examined. In comparison with the specimens sintered with the Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates without CuO coating, those sintered with the CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates showed larger template sizes as well as a larger electric field induced strain (Smax/Emax) of 422 pm/V after sintering at temperatures as low as 975℃. These results are promising for low-cost multilayer ceramic actuator applications.
The impact of output conductance (go) on the short-circuit current-gain cut-off frequency (fT) in In0.8Ga0.2As high-electron-mobility transistors (HEMTs) on an InP substrate was investigated. An attempted was made to extract the values of fT in a simplified small-signal model (SSM) of the HEMTs, derive an analytical formula for fT in terms of the extrinsic model parameters of the simplified SSM, which are related to the intrinsic model parameters of a general SSM, and verify its validity for devices with Lg from 260 to 25 nm. In long-channel devices, the effect of the intrinsic output conductance (goi) on fT was negligible. This was because, from the simplified SSM perspective, three model parameters, such as gm_ext, Cgs_ext and Cgd_ext, were weakly dependent on goi. However, in short-channel devices, goi was found to play a significant role in degrading fT as Lg was scaled down. The increase in goi in short-channel devices caused a considerable reduction in gm_ext and an overall increase in the total extrinsic gate capacitance, yielding a decrease in fT with goi. Finally, the results were used to infer how fT is influenced by goi in HEMTs, emphasizing that improving electrostatic integrity is also critical importance to benefit fully from scaling down Lg.
2011년 Naguib 그룹에서 처음 보고한 Ti3C2TX MXene은 우수한 친수성, 전기 전도성 및 기계적/화학적 안정성으로 인해 큰 주목을 받고 있다. 특히, MXene은 수 나노미터 두께를 지닌 2차원 물질이므로 유연성을 확보하기에 용이하기 때문에 스마트 센서, 에너지 하베스팅/저장 시스템, 수퍼커패시터 및 전자기 차폐 시스템 등 여러 분야에 적용하고자 한 연구 결과가 많이 보고되었다. 본 논문에서는 Ti3C2TX MXene의 다양한 합성 공정 및 특성에 대해 간략히 소개한 후, Ti3C2TX MXene을 유연 전극 물질로 이용한 최근 연구 결과를 알아보고자 한다.
Park, Sang Hyeon;Jang, Du Chang;Jeon, Hara;Gyeong, Oh Yi;Lim, Ae Ran
한국자기공명학회논문지
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제26권1호
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pp.10-16
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2022
The phase transition temperatures of CsCoCl3·2H2O crystals are investigated via differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetric analysis (TGA). Three endothermic peaks at temperatures of 370 K (=TC1), 390 K (=TC2), and 416 K (=TC3) were observed for phase transitions from CsCoCl3·2H2O to CsCoCl3·1.5H2O, to CsCoCl3·H2O, and then to CsCoCl3·0.5H2O, respectively. In addition, the spin-lattice relaxation time T1ρ in the rotating frame and T1 in the laboratory frame as well as changes in chemical shifts for 1H and 133Cs near TC1 were found to be temperature dependent. Our analyses results indicated that the changes of chemical shifts, T1ρ, and T1 are associated with structural phase transitions near temperature TC1. The changes of chemical shifts, T1ρ, and T1 near TC1 were associated with structural phase transitions, owing to the changes in the symmetry of the structure formed of H2O and Cs+ ions. Consequently, the structural symmetry in CsCoCl3·2H2O crystals based on temperature is discussed by the environments of their H and Cs nuclei.
Ti3C2Tx MXene, which is a representative of the two-dimensional MXene family, is attracting considerable attention due to its remarkable physicochemical and mechanical properties. Despite its strengths, however, it is known to be vulnerable to oxidation. Many researchers have investigated the oxidation behaviors of the material, but most researches were conducted at high temperatures above 500 ℃ in an oxidation-retarding environment. In this research, we studied changes in the structural and electrical properties of Ti3C2Tx MXene induced by low-temperature heat treatments in ambient conditions. It was found that a number of TiO2 particles were formed on the MXene surface when it was mildly heated to 200 ℃. Heating the material to higher temperatures, up to 400 ℃, the phase transformation of Ti3C2Tx MXene to TiO2 was accelerated, resulting in a TiO2/Ti3C2Tx hybrid. Consequently, the metallic nature of pure Ti3C2Tx MXene was transformed to semiconductive behavior upon heat-treating at ≥ 200 ℃. The results of this research clearly demonstrate that Ti3C2Tx MXene may be easily oxidized even at low temperatures once it is exposed to air.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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