Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06a
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pp.75-87
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1996
This review is presented under the following headings: 1.Introduction 1.1 Brief review of the properties of AlN 1.2 Historical survey of work on ceramic and single crystal AlN 2.Thermochemical background 3.Crystal growth 4.Doping 5.Potential applications and future work The known properties of AlN which make it of interest for various are discussed briefly. The properties include chemical stability, crystal structure and lattice constants, refractive indices and other optical properties, dielectric constant, surface acoustic wave velocity and thermal conductivity. The history of work in single crystals, thin films and ceramics are outlined and the thermochemistry of AlN reviewed together with some of the relevant properties of aluminium and nitrogen; the problems encountered in growing crystals of AlN are shown to arise directly from these thermochemical relationships. Methods have been reported in the literature for growing AlN crystals from melts, solution and vapour and these methods are compared critically. It is proposed that the only practicable approach to the growth of AlN is by vapour phase methods. All vapour based procedures share the share the same problems: $.$the difficulty of preventing contamination by oxygen & carbon $.$the high bond energy of molecular nitrogen $.$the refractory nature of AlN (melting point~3073K at 100ats.) $.$the high reactivity of Al at high temperatures It is shown that the growth of epitactic layers and polycrystalline layers present additional problems: $.$chemical incompatibility of substrates $.$crystallographic mismatch of substrates $.$thermal mismatch of substrates The result of all these problems is that there is no good substrate material for the growth of AlN layers. Organometallic precursors which contain an Al-N bond have been used recently to deposit AlN layers but organometallic precursors gave the disadvantage of giving significant carbon contamination. Organometallic precursors which contain an Al-N bound have been used recently to deposit AlN layers but organometallic precursors have the disadvantage of giving significant carbon contamination. It is conclude that progress in the application of AlN to optical and electronic devices will be made only if considerable effort is devoted to the growth of larges, pure (and particularly, oxygen-free) crystals. Progress in applications of epi-layers and ceramic AlN would almost certainly be assisted also by the availability of more reliable data on the pure material. The essential features of any stategy for the growth of AlN from the vapour are outlined and discussed.
A study on the stability of chlorophyll a in Undaria pinnatifida during blanching, salting and storage was carried out. Raw Undaria pinnatifida was blanched for 25 seconds in the temperature range of 70 to $100^{\circ}C$. To stabilize the chlorophyll a some chemicals such as 1% solutions of $Ca(CH_3CO_2)_2,{\;}Ca(OH)_2,{\;}MgCO_3,{\;}0.5%{\;}Ca(CH_3CO_2)_2$ with $0.5%{\;}MgCO_3$, and reed ash solution were used during/after blanching. The blanched product was salted with table salt after centrifuging for 2 minutes at 1500 rpm, and then again centrifuged after 48 hours for dewatering. The product which was mixed with 8% of table salt was sealed in a polyethylene film bag and stored at 10, 20, 30 and $40^{\circ}C$. The most effective blanching temperature for maximal residual amount of chlorophyll a was $85^{\circ}C$. The quantities of total organic and volatile acids were not significantly changed by the blanching temperature. Blanching in 1% chemical solutions showed bitter results than soaking in 1% chemical solutions for 20 minutes after blanching without chemicals. Reed ash and 0.5% $Ca(CH_3CO_2)_2$ with 0.5% $MgCO_3$ solutions were more effective than the 1% solutions of other chemicals, but the effect was not significant, compared with the group not treated with chemicals. The most reasonable ratio of added salt to dewater the product for 48 hours was 30% in w/w. The amount of total organic and volatile acids revealed no correlation with the amount of added salt. Color and odor of salted product was not severely changed during the storage of 77 days at $10^{\circ}C$. But the changes were accelerated with increasing storage temperatures. The degradation of chlorophyll a in salted product during storage could be interpreted as a first order reaction, and the rate constants at 10, 20, 30 and $40^{\circ}C$ were 0.1289, 0.1028, 0.0770 and 0.0550, respectively. $Q_{10}$ and the activation energy were 1.33 and 5.01 Kcal/g mole.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06a
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pp.258-292
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1996
In the last year great interest appears to YBCO thin films preparation on different substrate materials. Preparation of epitaxial film is a very difficult problem. There are many requirements to substrate materials that must be fullfilled. Main problems are lattice mismatch (misfit) and similarity of structure. From paper [1] or follows that difference in interatomic distances and angles of substrate and film is mire important problem than similarity of structure. In this work we present interatomic distances and angle relations between substrate materials belonging to ABCO4 group (where A-Sr or Ca, B-rare earth element, C-Al or Ga) of different orientations and YBCO thin films. There are many materials used as substrates for HTsC thin films. ABCO4 group of compounds is characterized by small dielectric constants (it is necessary for microwave applications of HTsC films), absence of twins and small misfit [2]. There most interesting compounds CaNdAlO4, SrLaAlO4 and SrLaGaO4 were investigated. All these compounds are of pseudo-perovskite structure with space group 14/mmm. This structure is very similar to structure of YBCO. SLG substrate has the lowest misfit (0.3%) and dielectric constant. For preparation of then films of substrates of this group of compound plane of <100> orientation are mainly used. Good quality films of <001> orientations are obtained [3]. In this case not only a-a misfit play role, but c-3b misfit is very important too. Sometimes, for preparation of thin films substrates of <001> and <110> orientations were manufactured [3]. Different misfits for different YBCO faces have been analyzed. It has been found that the mismatching factor for (100) face is very similar to that for (001) face so there is possibility of preparation of thin films on both orientations. SrLaAlO4(SLA) and SrLaGaO4(SLG) crystals of general formula ABCO4 have been grown by the Czochralski method. The quality of SLA and SLG crystals strongly depends on axial gradient of temperature and growth and rotation rates. High quality crystals were obtained at axial gradient of temperature near crystal-melt interface lower than 50℃/cm, growth rate 1-3 mm/h and the rotation rate changing from 10-20pm[4]. Strong anisotropy in morphology of SLA and SLG single crystals grown by the Czochralski method is clearly visible. On the basics of our considerations for ABCO4 type of the tetragonal crystals there can appear {001}, {101}, and {110} faces for ionic type model [5]. Morphology of these crystals depend on ionic-covalent character of bonding and crystal growth parameters. Point defects are observed in crystals and they are reflected in color changes (colorless, yellow, green). Point defects are detected in directions perpendicular to oxide planes and are connected with instability of oxygen position in lattice. To investigate facets formations crystals were doped with Cr3+, Er3+, Pr3+, Ba2+. Chromium greater size ion which is substituted for Al3+ clearly induces faceting. There appear easy {110} faces and SLA crystals crack even then the amount of Cr is below 0.3at.% SLG single crystals are not so sensitive to the content of chromium ions. It was also found that if {110} face appears at the beginning of growth process the crystal changes its color on the plane {110} but it happens only on the shoulder part. The projection of {110} face has a great amount of oxygen positions which can be easy defected. Pure and doped SLA and SLG crystals measured by EPR in the<110> direction show more intensive lines than in other directions which allows to suggest that the amount of oxygen defects on the {110} plane is higher. In order to find the origin of colors and their relation with the crystal stability, a set of SLA and SLG crystals were investigated using optical spectroscopy. The colored samples exhibit an absorption band stretching from the UV absorption edge of the crystal, from about 240 nm to about 550 m. In the case of colorless sample, the absorption spectrum consists of a relatively weak band in the UV region. The spectral position and intensities of absorption bands of SLA are typical for imperfection similar to color centers which may be created in most of oxide crystals by UV and X-radiation. It is pointed out that crystal growth process of polycomponent oxide crystals by Czochralski method depends on the preparation of melt and its stoichiometry, orientation of seed, gradient of temperature at crystal-melt interface, parameters of growth (rotation and pulling rate) and control of red-ox atmosphere during seeding and growth (rotation and pulling rate) and control of red-ox atmosphere during seeding and growth. Growth parameters have an influence on the morphology of crystal-melt interface, type and concentration of defects.
Choi, Ki Young;Kim, Dong Won;Kim, Chang Suk;Park, Byung Bin;Choi, Suk Nam;Hong, Choon Pyo;Ryu, Hae Il
Journal of the Korean Chemical Society
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v.44
no.5
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pp.403-409
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2000
The formation and dissociation rates of $Zn^{2+}$ Complexes with l,4,7,10-tetraaza-13,16-diox-acyclooctadecane-N,N',N",N'"-tetraacetic acid (1), 1,4,7,10-tetraaza-13,16- dioxacyclooctadecane-N,N',N",N'"-tetramethylacetic acid (2), and 1,4,7,10-tetraaza-13,16- dioxacyclooctadecane-N,N',N",N'"-tetrapropionic acid(3) have been measured by stopped-flow and conventional spectrophotometry. Observations were made at 25.0$\pm$0.1 $^{\circ}C$ and at an ionic strength of 0.10 M NaClO$_4$. The formation reactions of $Zn^{2+}$ ion with 1 and 2 took place by the rapid formation of an intermediate complex (ZnH$_3L^+$) in which the $Zn^{2+}$ ion is incompletely coor-dinated. This might then lead to be a final product in the rate-determining step.ln the pH range 4.76-5.76, the diprotonated (H2L2-) form is the kinetically active species despite of its low concentration. The stability con-stants (log$K_{(ZnH$_3$3$L^+$)}$) and specific water-assisted rate constants (koH) of intermediate complexes have been deter-mined from the kinetic data. The dissociation reactions of $Zn^{2+}$ complexes of 1,2, and 3 were investigated with $Cu^{2+}$ ions as a scavenger in acetate buffer. All complexes exhibit acid-independent and acid-catalyzed con-tributions. The effect of buffer and $Cu^{2+}$ concentration on the dissociation rate has also been investigated. The ligand effect on t dissociation rate of $Zn^{2+}$ complexes is discussed in terms of the side-pendant armsand the chelate ring sizes of the ligands.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.14
no.2
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pp.164-170
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1985
Yellowish modified wool, dithiocarbamate(DTC) wool, was synthesized by partial hydrolysis in 0.2 N-NaOH reacting with carbon disulfide to use as ${\alpha}-amylase$ immobilization matrix. ${\alpha}-amylase$ was immobilized reacting with sulfide group of DTC-wool by covalent binding within 1 hour. 0.5 gram of this preparation, $DTC-wool-{\alpha}-amylase$, contained 150 ug of enzyme protein and its specific activity was about 90% of the native one. General properties of $DTC-wool-{\alpha}-amylase$ were a little different from optimum temperature, optimum pH, heat stability, kinetic constants and activation energy. An apparent Michaelis constant and maximum velocity of $DTC-wool-{\alpha}-amylase$ were 5.56 mg/ml and 0.37 mg/ml. $min^{-1}$ respectively, while activation energy was 16.6 kcal/mole.
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