다결정 층상 페로브스카이트형 $La_{2.1}Sr_{1.9}Mn_3O_{10}$를 성공적으로 합성하였으며, $La_{2.1}Sr_{1.9}Mn_3O_{10}$의 열기전력, 전기전도 및 자기적 특성을 조사하였다. 0.85T의 자장의 인가 시 자기전이 온도 $T_c$보다 매우 낮은 120K에서 금속-비금속전이 및 약 120%의 음의 $MR(-{\Delta}{\rho}/{\rho}_0)$이 관측되었다. 고온영역에서 small polaron의 특징중의 하나인 매우 큰 전기적 저항 및 열기전력의 활성화 에너지 차가 관측되었다. 전체적인 실험 결과는 small polaron hopping 모델로 설명가능 하였다.
$RuO_2$ 하부전극 상에 형성된 $(Ba, Sr)TiO_3$[BST] 박막의 물성을 향상시키기 위하여 비정질 BST층(30, 70nm)을 $RuO_2$와 BST사이에 증착하여 2중 BST구조를 형성시켰다. 비정질 BST층의 도입을 통해, BST박막의 평균 입도가 증가하고, 표면 거칠기가 감소하여 전체 BST 박막의 미세구조와 표면 mophology가 단일 BST박막에 비해 상당한 변화가 발생함을 확인하였다. 30nm의 비정질측이 적용된 BST박막의 경우, 하부기판의 영향으로부터 비교적 자유로운 미세구조를 갖는 BST 박막이 형성되었다. 2중 BST 박막의 경우 유전상수는 340, 누설전류는 $6.85{\times}10^{-7}A/{\textrm}{cm}^2$로서 비정질층을 갖지 않는 단일 BST 박막에 비하여(유전상수: 152, 누설전류: $1.25{\times}10^{-5}A/{\textrm}{cm}^2$)놀라운 전기적 특성의 향상이 이루어짐을 확인하였다.
제일원리 DFT+DMFT방법을 사용하여 철계열 고온초전도체 122 화합물 $AFe_2As_2$ (A=Ca, Sr, Ba) 에 대한 전자 및 자성 구조를 계산하였다. 계산된 전자구조는 실험에서 보고된 ARPES 결과와 어느 정도 일치함을 확인했다. 또한 계산을 통해 얻은 반자성 전이온도는 실험과 동일한 경향을 보여준다.
Annealing dependencies of the fatigue properties of SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ thin films were observed as function of substrate temperature(400-50$0^{\circ}C$) by the rf magnetron sputtering method. With increasing annealing temperature from $600^{\circ}C$ to 85$0^{\circ}C$, flourite phase was crystalized to $650^{\circ}C$ and Bi-layered perovskite phase was crystalized above $700^{\circ}C$. The fatigue characteristics of SBT thin films deposited on Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si substrate did not change up to 101o switching cycles.s.
Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films were screen printed on magnesia(MgO), silver and yttrium stabilized zirconia (YSZ) substrates and were sintered in a boat with cover to prevent the evaporation. The high-Tc phase increase and the low-Tc phase and Ca$_2$PbO$_4$ decrease with an increase in sintering temperature from 835$^{\circ}C$ to 860$^{\circ}C$. YSZ substrate interact strongly with the oxide resulting in poor superconductor, while the Ag and MgO substrates were satisfactory to make screen printed superconductors. The Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films screen printed both on Ag and MgO substrates show high Tc phase of ~85% and Tc of 96K.
Superconductor-ferromagnet thin film heterostructure is an ideal system for studying the interplay between superconductivity and ferromagnetism. These two antagonistic properties combined in thin film heterostructure create interesting proximity effects such as spin-triplet superconductivity. Thin film heterostructure of optimally doped La2-xSrxCuO4(LSCO) cuprate superconductor and SrRuO3(SRO) ruthenate ferromagnet has been grown by pulsed laser deposition. Its temperature-dependent resistivity and Hall effect measurements show that our LSCO/SRO heterostructure has both superconductivity and ferromagnetism. In the Hall effect measurement results, we find additional hump-like structures appear in the anomalous Hall effect signal in the vicinity of superconducting transition. We conclude that giant magnetoresistance of the LSCO layer distorts the AHE signal, which results in a hump-like structure.
SR211과 SR213은 모두 색소 함량이 매우 높았으며 매운맛 특성을 좌우하는 capsaicinoids 함량은 SR211의 경우 숙성도와 상관없이 150 mg/100 g 이상의 매우 높은 함량을 갖는 것으로 분석된 반면, SR213은 5 mg/100 g 미만의 매우 낮은 함량을 갖는 것으로 분석되었다. 재배시기에 따른 품질 특성 변화를 3년간 모니터링 한 결과, 두 품종 모두 고유의 매운맛과 색상 특성을 안정적으로 유지하는 경향을 보여 SR211은 고색소의 강한 매운맛 고추, SR213은 고색소의 약한 매운맛 고추를 생산하는데 적합한 품질을 갖는 것으로 나타났다. 또한 두 품종 모두 유리당 함량과 ascorbic acid 함량이 높아 화학적 품질이 매우 높은 것으로 나타났다. 따라서 이러한 고품질의 일시수확형 고추의 개발 및 보급이 이루어진다면 한국산 고추 특유의 맛뿐만 아니라 영양학적, 상품적 가치가 매우 높은 고품질 제품화가 가능할 것이며, 이는 국제적인 브랜드 상품으로 발전하기 위한 윈동력이 될 것으로 사료된다.
연구배경: 우리나라 표층토양 중 원자력 발전소 주변 지역인 울진군을 중심으로 $^{137}Cs$과 $^{90}Sr$의 분포 현황을 조사하고, 토양 속 방사성핵종의 행동에 영향을 미치는 변수들과의 상관관계를 밝힘으로써 한국토양에 발생한 $^{137}Cs$과 $^{90}Sr$의 농도에 대한 기준자료 확보와 원자력시설 주변 환경영향 평가의 강화가 목적이다. 재료 및 방법: 원자력 발전소 인근 10 km이내의 지역 14곳에서 2011년 4월 표층토양 시료를 채취하였으며, 깊이에 따른 분포 조사를 위하여 40 cm 까지의 토양을 덕구, 후정, 매화 지역에서 채취하였다. $^{137}Cs$의 농도는 HPGe 감마분광시스템으로, $^{90}Sr$의 농도는 방사평형상태의 $^{90}Y$을 기체 유동식 비례계수기로 계측하였다. 결과 및 논의: 표층토양에서 $^{137}Cs$의 방사능농도는 $<0.479-39.6Bq{\cdot}(kg-dry)^{-1}$(평균 $7.51Bq{\cdot}(kg-dry)^{-1}$), $^{90}Sr$의 방사능 농도는 $0.209-1.85Bq{\cdot}(kg-dry)^{-1}$(평균 $0.74Bq{\cdot}(kg-dry)^{-1}$)이었다. 방사능비($^{137}Cs/^{90}Sr$)는 9.67로서 전지구적 초기 방사성 낙진의 1.75보다 큰 값을 보였는데, 이는 낙진 이후 $^{90}Sr$의 심층으로의 빠른 이동성 때문이다. 깊이에 따른 분포는, 덕구와 후정의 토양에서 $^{137}Cs$ 의 농도가 표층토양에서 가장 높고 깊이가 증가할수록 급격히 지수적으로 감소하는 경향을 보였으며, $^{90}Sr$의 방사능농도는 표층 및 깊이 30 cm 부근에서 높은 값을 보였다. 표층토양 방사능 농도와 표층토양 변수들(pH, 유기물함량, 입도)과의 선형 핏팅에서는 $^{137}Cs$ 방사능과 유기물함량 사이에 상당한 상관관계(결정계수 $R^2=0.6$)가 있는 것으로 나타났다. 결론: 울진 토양의 $^{137}Cs$과 $^{90}Sr$의 방사능농도 범위는 한국 다른 지역의 값과 유사함을 확인하였고 $^{137}Cs$ 방사능과 유기물함량 사이에 상당한 상관관계를 확인하였다.
Effect of ginseng hairy and native roots on body absorption, fecal and urinary excretion of Ingested radiostrontium were investigated in the mouse(NIH-strain, male) treated with or without pre-feeding of each ginseng soluble fraction. The test groups were fed with basic diet supplemented with 1% each ginseng soluble fraction for 7 darts before the radiostrontium were administered by intragastric intubation. In the groups of treated with soluble fraction from ginseng hairy roots, the radioactivities of fecal and urinary excretion increased about 15% over than that of control groups and the whole body retention were about 38%. In the groups of treated with soluble fraction from native ginseng roots, the radioactivities of fecal and urinary excretion increased about 25% over than that of control groups and the whole body retention were about 28%. Also, the levels of radiostrontium accumulation retained significantly the higher percent in skeletons than in other organs.
(S $r_{0.85}$/C $a_{0.15}$)Ti $O_3$(SCT) thin films at various deposition temperature and rf power were grown by rf magnetron sputtering method on optimized Pt-based electrodes (Pt/TiN/ $SiO_2$/Si). The crystallinity of the films increases with increasing deposition temperature. SCT thin film is depend on the surface morphology and crystallinity of Pt films for bottom electrode. Dielectric constant of (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$)Ti $O_3$ thin films deposited on Si wafer substrate are larger with the increase of deposition temperature and gain size.in size.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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