• Reproductive and Developmental Biology
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• 제35권3호
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• pp.313-317
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• 2011

This study was conducted to examine the effect of oocyte donor age and micromanipulation medium on the development of mouse cloned embryos receiving cumulus cells. Mouse oocytes were obtained from 6 to 11 week-old mice BDF1 female mice(experiment 1) and cumulus cells were used as donor cells. Micromanipulation procedures for nuclear transfer(NT) were performed in FHM, M2 or Hepes-buffered TCM199(TCM199) medium(experiment 2). After nuclear transfer, the reconstructed oocytes were activated by 10 mM $SrCl_2$ in Ca-free CZB medium in the presence of 5 II ${\mu}$g/ml cytochalasin B for 5 h and cultured in KSOM medium for 4 days. In experiment 1, the survival rate of oocytes after injection of cumulus cells were significantly(p<0.05) lower in oocytes from 6~7 week-old mice(53.3%) than in oocytes from 8~9(80.9%) and 10~11 week-old mice(77.1%). In experiment 2, the survival rate of oocytes after cell injection were significantly(p<0.05) higher in FHM and M2 medium(71.7% and 76.9%) than in TCM199 medium(51.2%). The activation rates of cloned embryos were not different among the micromanipulation media. However, the embryos developed to blastocyst stage were significantly(p<0.05) higher in FHM medium(13.9%) than in M2 and TCM199 medium(0.0% and 0.0%). In conclusion, the present study suggest that oocytes from above 8 week-old mice are superior to oocytes from 6~7 week-old mice as a source of recipient cytoplasm and FHM is superior to M2 and TCM199 as a micromanipulation medium for mouse somatic cell cloning.

• 한국수정란이식학회:학술대회논문집
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• 한국수정란이식학회 2002년도 국제심포지엄
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• pp.76-76
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• 2002

본 실험은 Piezo-미세조작기(PrimeTech Ltd., Japan)를 사용하여 마우스 핵이식 후 재구축배를 CZB와 KSOM 두가지 배양액을 사용하여 체외배양성적을 비교 검토하였다. MII의 미수정란은 성숙한 4~5주령 B6D2Fl에 hCG 주사 후 14시간째에 과적 방법을 통해 난관의 팽대부로 부터 회수하였고, metaphase II chromosome-spindle complex와 최소량의 세포질을 내경이 10$\mu\textrm{m}$인 피펫으로 흡입하여 탈핵하였다. 핵이식에 사용된 난구세포(8-l0$\mu\textrm{m}$)는 3시간동안 12% PVP 에처리 하여 piezo-미세조작기를 이용하여 세포질에 세포의 핵을 직접 미세주입 하였다. 핵이식 후 생존한 재구축배는 2시간동안 배양한 후 10mM SrC1$_2$와 5$\mu\textrm{g}$/$m\ell$의 cytochalasin B가 첨가된 $Ca^{2＋}$-free CZB에서 6시간 활성화 처리하였다, 활성화 처리 후 위전핵이 관찰된 재구축란을 CZB 와 KSOM 배지에서 배양하면서 발달률을 비교하였고, 상실배 및 배반포배로 발달한 재구축배를 day 3 대리모에 이식하였다. 표 1에서 보는 바와 같이 재구축배의 2-cell로의 발달률에 있어서 KSOM이 CZB에 비하여 유의적으로 높게 나타났으며(P<0.05), 또한 4-cell과 상실배/배반 포배로의 발달률에 있어서도 KSOM이 CZB에 비하여 유의적으로 높은 발달률을 나타내었다(P<0.01). 또한 KSOM 배지에서 배양된 상실배/배반포배를 대리모에 이식한 경우에 11.5 d.p.c에 생존한 태아가 관찰되었다. 이상의 결과로 핵이식 재구축배의 활성화 처리 후의 발생에는 KSOM 배지가 CZB 배지에 비하여 유효함을 확인 할 수 있었다.그와 같은 배양 기술을 이용하여 외래유전자를 도입한 일련의 결과에 관하여 보고 하고자한다., 이것은 세포내 유전자가 transfection되지 않은 세포도 neo selection에서 선발된다는 것을 제시하고 있다. 따라서 체세포를 이용한 형질전환동물 생산을 위해서는 세포내 유전자 도입과 선발 과정에서 나타난 colony에 대하여 보다 엄격한 screen을 하는 것이 필요한 것으로 생각된다.로 우점하였다. 여름철 식물플랑크톤 대발생에 영향은 수온과 직산염이 중요하였으나, 부유물질 크게 기여하지 못하였다.애를 확인하고 지도 관점을 파악하는 것을 포함한다. 그러나 본 논문은 역사발생적 수학 학습-지도 원리의 실제적인 적용에 관하여는 기초적인 연구에 지나지 않기 때문에, 역사발생적 원리를 학교수학에 실제적으로 적용하기 위해서는 각각의 내용에 대한 철저한 역사적 분석을 바탕으로 하는 후속 연구가 필요하다./TEX>구성교육${\lrcorner}$이 조선총독부의 관리하에서 실행되었다는 것을, 당시의 사범학교를 중심으로 한 교육조직을 기술한 문헌에 의해 규명시켰다.nd of letter design which represents -natural objects and was popular at the time of Yukjo Dynasty, and there are some documents of that period left both in Japan and Korea. "Hyojedo" in Korea is supposed to have been influenced by the letter design. Asite- is also considered to have been "Japanese Letter Jobcheso." Therefore, the purpose of this study is to look into the origin of the letter designs in t

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.99-99
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• 2013

In this talk, I will present two research works in progress, which are: i) mapping of piezoelectric polarization and associated charge density distribution in the heteroepitaxial InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) structure of a light emitting diode (LED) by using inline electron holography and ii) in-situ observation of the polarization switching process of an ferroelectric Pb(Zr1-x,Tix)O3 (PZT) thin film capacitor under an applied electric field in transmission electron microscope (TEM). In the first part, I will show that strain as well as total charge density distributions can be mapped quantitatively across all the functional layers constituting a LED, including n-type GaN, InGaN/GaN MQWs, and p-type GaN with sub-nm spatial resolution (~0.8 nm) by using inline electron holography. The experimentally obtained strain maps were verified by comparison with finite element method simulations and confirmed that not only InGaN QWs (2.5 nm in thickness) but also GaN QBs (10 nm in thickness) in the MQW structure are strained complementary to accommodate the lattice misfit strain. Because of this complementary strain of GaN QBs, the strain gradient and also (piezoelectric) polarization gradient across the MQW changes more steeply than expected, resulting in more polarization charge density at the MQW interfaces than the typically expected value from the spontaneous polarization mismatch alone. By quantitative and comparative analysis of the total charge density map with the polarization charge map, we can clarify what extent of the polarization charges are compensated by the electrons supplied from the n-doped GaN QBs. Comparison with the simulated energy band diagrams with various screening parameters show that only 60% of the net polarization charges are compensated by the electrons from the GaN QBs, which results in the internal field of ~2.0 MV cm-1 across each pair of GaN/InGaN of the MQW structure. In the second part of my talk, I will present in-situ observations of the polarization switching process of a planar Ni/PZT/SrRuO3 capacitor using TEM. We observed the preferential, but asymmetric, nucleation and forward growth of switched c-domains at the PZT/electrode interfaces arising from the built-in electric field beneath each interface. The subsequent sideways growth was inhibited by the depolarization field due to the imperfect charge compensation at the counter electrode and preexisting a-domain walls, leading to asymmetric switching. It was found that the preexisting a-domains split into fine a- and c-domains constituting a $90^{\circ}$ stripe domain pattern during the $180^{\circ}$ polarization switching process, revealing that these domains also actively participated in the out-of-plane polarization switching. The real-time observations uncovered the origin of the switching asymmetry and further clarified the importance of charged domain walls and the interfaces with electrodes in the ferroelectric switching processes.

• 암석학회지
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• 제14권2호
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• pp.116-126
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• 2005

경기도 파주시 월롱면, 광탄면, 조리면 지역에는 다중 습곡 작용을 받은 선캠브리아기 암석이 $N10^{\circ}E$ 방향의 습곡축을 갖는 2조의 U형 습곡구조(습곡 I과 II)를 따라서 분포한다. 습곡구조를 따라 분포하는 10여 매의 규암과 4 매의 석회질 편암은 기원 퇴적암이 순차적으로 반복 퇴적된 것인지, 혹은 $1\~2$의 동일한 규암과 석회질 편암이 등사습곡작용에 의하여 반복 분포되는 것인지에 관한 직접적인 증거(퇴적구조)는 발견되지 않는다. 이 논문에서는 U형 습곡이 습곡축을 중심으로 동측과 서측의 양 방향에 분포하는 규암의 상호 연결성을 희토류원소 분포도와 Nd 동위원소비와 같은 지구화학적 방법으로 대비하였다. 습곡구조를 형성하는 규암의 희토류원소 분포도 특성은 경희토류는 편평하고 중희토류가 약간 결핍되어 있다. 또한 Ce의 부(-)의 이상을 보여주는 반면에 Eu의 이상은 거의 존재하지 않는다. 희토류원소 분포도 양상은 습곡축을 중심으로 동서 양 방향의 규암에 있어서 매우 유사하게 나타났다 이들 규암의 Nd모델연대도 습곡축의 양쪽 외 곽부에서 내부로 들어오면서 젊어지는 경향을 보여준다. 이와 같이 유사한 희토류원소 분포특성과 Nd 모델연대는 연구지역내에서 습곡축을 중심으로 동측과 서측에 분포하는 규암이 동일한 기원물질로부터 유래되었음을 시사해주는 것으로서, 층서적 및 구조지질학적 연결과 대비되는 것으로 볼 수 있다. 규암과 호층을 형성하는 운모편암의 희토류원소 분포도 및 Sr, Ba, Eu, Rb과 같은 미량원소의 상관관계도는 운모편암이 규암의 근원 물질과는 다를 가능성을 지시한다. 이는 변성작용, 풍화작용과 같은 지질현상에 의해서도 전체적인 분포 특성이 거의 영향을 받지 않는 희토류원소 지구화학과, 지각내 체류시간을 지시해주는 Nd 동위원소 지구화학이 서로 떨어져 분포하는 퇴적층의 연결성을 추적하는데 유용하게 활용될 수 있음을 지시해준다.