We demonstrate a Pr3+:YLF 639.7-nm laser with single-frequency output based on the Q-switched pre-lase technology, pumped by a fiber-coupled GaN blue laser diode. The pre-lase technology is realized by the step-type loss of the acousto-optical Q-switched device. The conclusions of the theoretical research are verified experimentally. The mode-suppression ratio was 44 dB at the single-frequency laser output. Detection by interferometer verified the realization of the stable single-frequency laser. In addition, the emission spectrum had a linewidth of 139.9 MHz, measured by Fabry-Perot interferometer. The single-frequency laser's single-peak power was over 19.7 W with 98.8-ns pulse duration, obtained under an absorption power of 1.74 W.
본 논문에서는 저장 및 검색 성능과 보안을 고려하여 key-value 형태의 SSD를 활용한 RDF 데이터 저장 및 검색 문제에 대한 해결책을 제안한다. Key-value SSD를 사용한 RDF 데이터 셋으로 부터 논리 관계와 실제 값을 분리하기 위한 2단계 압축 알고리즘을 제안한다. 이는 압축 및 저장 성능뿐만 아니라 보안도 향상시킨다. 우리는 또한 검색 성능 향상과 병합정렬 조인 알고리즘 구현을 위한 R∗-tree 기반 하이브리드 검색 구조를 제안했으며, R∗-tree 검색 효율성에 영향을 미치는 요인들에 대해 설명한다. 논문에서 제안된 방식은 기존의 압축 및 저장 그리고 검색 접근 방식보다 저장 공간을 적게 차지하면서 더 빠른 결과를 얻을 수 있으며, 다양성, 유연성, 그리고 보안 측면에서 더 우수한 경쟁력을 가진다.
새로운 종류의 고체상태 대전력, 고속전자장치 즉 광전도전력스위치(PCPS)의 가장 큰 문제점은 평균전계하의 표면에서 스위치 섬락의 대부분이 반도체의 벌크파괴보다 낮다는 것이다. 이러한 문제를 극복하고 고밀도 고체 전력 스위치에 사용할 수 있는 유일한 방법이 고체 절연물로 표면을 페시베이션(Passivation)하는 것이다. 본 실험에서 Silicon의 절연내력은 진공중에서 10[kV/cm]에서 심하게 열화되어졌고, 기중에서 30[kV/cm], SF6에서 80∼90[kV/cm]으로 개선되지만, 스위치의 주 응용이 진공 또는 우주에서 사용되기 때문에 이러한 현상은 매우 심각한 문제이다. 페시베이션후 소자들은 진공과 기중에서 언페시베이션된 소자가 SF6내에서 얻을 수 있는 만큼의 높은 파괴값을 가졌다. 이러한 결과로 볼 때 페시베이션된 소자들이 매우 우수한 파괴값을 가진다는 것을 알 수 있다. 본 논문은 고전계 하에서 페시베이션 전·후 실리콘 파괴의 주 특성과 메커니즘에 대해 밝혔다.
Many electrochemical power devices such as solid state batteries and solid oxide fuel cell have been studied and developed for solving energy and environmental problems. An amperometric gas sensor usually generates sensing signal of electric current along the proportion of the concentration of target gas under the condition of limiting current. For narrow variations of gas concentration, the amperometric gas sensor can show higher precision than a potentiometric gas sensor does. In additional, cross sensitivities to interfering gases can possibly be mitigated by choosing applied voltage and electrode materials properly. In order to improve the sensitivity to $NO_2$, the device was attached with Au reference electrode to form the amperometric gas sensor device with three electrodes. With the fixed bias voltage being applied between the sensing and counter electrodes, the current between the sensing and reference electrodes was measured as a sensing signal. The response to $NO_2$ gas was obviously enhanced and suppressed with a positive bias, respectively, while the reverse current occurred with a negative bias. The way to enhance the sensitivity of $NO_2$ gas sensor was thus realized. It was shown that the response to $NO_2$ gas could be enhanced sensitivity by changing the bias voltage.
고분자를 기반으로 하는 고체 전해질은 수퍼커패시터, 배터리, 센서, 액추에이터 등 다양한 전기화학 소자에 응용이 가능한 소재로써, 기존 고분자 전해질의 낮은 이온전도도를 향상시키기 위해서 다양한 이온성 액체 기반의 고체 전해질에 관한 연구가 활발히 진행 중에 있다. 이온성 액체의 높은 전기적 특성 및 전기화학적, 열적 안정성과 고분자의 우수한 기계적인 강도를 활용한 젤 상태의 고체 전해질인 이온젤은 차세대 웨어러블 및 플렉시블 전자소자에 응용되어 연구되고 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 이온성 액체와 고분자 기반의 고체 전해질을 제조하고 특성을 분석하여 탄소나노복합체 기반의 전극에 적용하여 다양한 전자소자에 응용이 가능한 이온전도도 및 안정성이 향상된 이온성 액체 기반의 고체 전해질을 개발하고자 한다. 제조된 고체전해질은 전기화학적 임피던스법을 이용하여 이온 전도도를 측정하여 보았으며 이온성 액체를 첨가하여 제조한 고체전해질의 이온 전도도가 1.26 × 10-1 S/cm 로 확인되었다. 또한 제조된 고체 전해질을 이용하여 전고체형 수퍼커패시터를 제조하여 전기화학적 특성을 비교하여 보았으며, 수퍼커패시터의 전기화학적 특성 역시 이온성 액체를 첨가하여 제조된 고체 전해질을 사용하였을 때 향상된 전기화학적 특성을 나타내었다.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.1075-1080
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2003
Design and fabrication process of a full inorganic electroluminescent microdislay based on aluminum / nanostructured porous silicon reverse biased light emitting Schottky diodes are discussing. Being of a solid state construction. this micro-display is cost-effective, thin and light in weight due to very simple device architecture. Its benefits include also super high resolution, wide viewing angles, fast response time and wide operating temperature range. The advantages of full integration of a LED-array and driving circuitry onto a Si-chip will be also discussed.
The two-dimensional modeling of the non-stationary thermal state and voltage responsivity of the sensitive elements usually used in solid-state pyroelectric focal plane arrays are presented. Temperature distributions under periodical thermal excitation and the response of the thermal imaging device, which is composed of the pyroelectric sensitive elements mounted on a single silicon substrate, are numerically calculated. The sensitive element consists of a covering metal layer, infrared polymer absorber, front metal contact, sensitive pyroelectric element, the interconnecting column and the bulk silicon readout. The results of the numerical modeling show that the thermal crosstalk between sensitive elements to be critical especially at low frequency (f < 10Hz) of periodically modulated light. It is also shown that the use of our models gives the possibility to improve the design, operating regimes and sensitivity of the device.
We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 2, 10, 30[mN/m](gas state, liquid state, and solid state). The physicochemical properties of the LB films on the surface of pure water are studied by AFM. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V.
The flexible solid state device has been widely studied as portable and wearable device applications such as display, sensor and curved circuits. A zero-bias operation without any external power consumption is a highly-demanding feature of semiconductor devices, including optical communication, environment monitoring and digital imaging applications. Moreover, the flexibility of device would give the degree of freedom of transparent electronics. Functional and transparent abrupt p/n junction device has been realized by combining of p-type NiO and n-type ZnO metal oxide semiconductors. The use of a plastic polyethylene terephthalate (PET) film substrate spontaneously allows the flexible feature of the devices. The functional design of p-NiO/n-ZnO metal oxide device provides a high rectifying ratio of 189 to ensure the quality junction quality. This all transparent metal oxide device can be operated without external power supply. The flexible p-NiO/n-ZnO device exhibit substantial photodetection performances of quick response time of $68{\mu}s$. We may suggest an efficient design scheme of flexible and functional metal oxide-based transparent electronics.
Journal of information and communication convergence engineering
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제21권1호
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pp.24-31
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2023
The solid-state drive (SSD) possesses higher input and output speeds, more resistance to physical shock, and lower latency compared with regular hard disks; hence, it is an increasingly popular storage device. However, tiny components on an internal printed circuit board (PCB) hinder the manual detection of malfunctioning components. With the rapid development of artificial intelligence technologies, automatic detection of components through convolutional neural networks (CNN) can provide a sound solution for this area. This study proposes applying the YOLOv5 model to SSD PCB component detection, which is the first step in detecting defective components. It achieves pioneering state-of-the-art results on the SSD PCB dataset. Contrast experiments are conducted with YOLOX, a neck-and-neck model with YOLOv5; evidently, YOLOv5 obtains an mAP@0.5 of 99.0%, essentially outperforming YOLOX. These experiments prove that the YOLOv5 model is effective for tiny object detection and can be used to study the second step of detecting defective components in the future.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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