Well-distributed $SnO_2$-Sn-$Ag_3Sn$ nanoparticles embedded in carbon nanofibers were fabricated using a co-electrospinning method, which is set up with two coaxial capillaries. Their formation mechanisms were successfully demonstrated. The structural, morphological, and chemical compositional properties were investigated by field-emission scanning electron spectroscopy (FESEM), bright-field transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In particular, to obtain well-distributed $SnO_2$ and Sn and $Ag_3Sn$ nanoparticles in carbon nanofibers, the relative molar ratios of the Ag precursor to the Sn precursor including 7 wt% polyacrylonitrile (PAN) were controlled at 0.1, 0.2, and 0.3. The FESEM, bright-field TEM, XRD, and XPS results show that the nanoparticles consisting of $SnO_2$-Sn-$Ag_3Sn$ phases were in the range of ~4 nm-6 nm for sample A, ~5 nm-15 nm for sample B, ~9 nm-22 nm for sample C. In particular, for sample A, the nanoparticles were uniformly grown in the carbon nanofibers. Furthermore, when the amount of the Ag precursor and the Sn precursor was increased, the inorganic nanofibers consisting of the $SnO_2$-Sn-$Ag_3Sn$ nanoparticles were formed due to the decreased amount of the carbon nanofibers. Thus, well-distributed nanoparticles embedded in the carbon nanofibers were successfully synthesized at the optimum molar ratio (0.1) of the Ag precursor to the Sn precursor after calcination of $800^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.360.2-360.2
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2016
CuSn thin films were fabricated by rf magnetron co-sputtering method on the Si(100) substrate for evaluation of the antibacterial effect. The co-sputtering process was performed with different rf powers and sputtering times to regulate the thickness of the films and relative atomic ratio of Cu to Sn. The physicochemical properties of the CuSn thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray induced Auger electron spectroscopy (XAES), Optical microscope (OM), 4-point probe, and antibacterial test. An antibacterial test was conducted with Escherichia coli (E. coli) and Staphylococcus aureus (S. aureus) as changing contact times between CuSn fillms and bacteria suspension. We compared to the crystalline structures of films before sterilization and after sterilization by XRD measurement. The changes of oxidation states of Cu and Sn and the chemical environment of films before and after antibacterial test were investigated with high resolution XPS spectra in the regions of Cu 2p, Cu LMM, and Sn 3d. After antibacterial test, the morphology of the films was checked with an OM images. The electrical properties of the CuSn films such as surface resistance and conductivity were measured by using 4-point probe.
Kim, D.T.;Park, K.H.;Hyun, S.C.;Bang, T.H.;Kim, N.O.;Kim, H.G.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.27-30
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2006
In this paper, the undoped and Co-doped $Zn_4SnSe_6$ single crystals grown by the chemical transporting reaction(CTR) method using iodine as a transporting agent are investigated. For the crystal growth, the temperature gradient of the CTR furnace was kept at $680^{\circ}C$ for the source zone and at $780^{\circ}C$ for the growth zone for 7days. It was found from the analysis of x-ray diffraction that the $Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6Co^{2+}$ compounds have a monoclinic structure. The direct optical energy band gap of the $Zn_4SnSe_6$ and $Zn_4SnSe_6Co^{2+}$ single crystals at 300K were found to be 2.146eV and 2.042eV.
Sn was selected as an alloying element of Cu. The Cu-Sn thin layers were deposited on the Si substrates by the electroplating method and their properties were studied. By rapidly thermal annealing(RTA) up to 40$0^{\circ}C$ after electroplating, sheet resistance decreased and adhesion strength increased, but that trend was reversed at the 50$0^{\circ}C$ RTA. Cu-Sn particles grew dense and the surface was uniform up to 40$0^{\circ}C$, but at 50$0^{\circ}C$, empty area was introduced and the surface became rough owing to oxidation and particle coarsening and agglomeration. Deposited layer contained significant amount of Si, while pure Cu-Sn layer with the composition ratio of 90:10 was present only on the top surface. However, no significant change in the Cu composition within alloy layers occured by the RTA regardless of its temperature. This indicates that the Cu diffusion into the Si was suppressed by the presence of Sn.
Pham, Tien Hung;Jo, Hyunil;Vu, Xuan Hien;Lee, Sang-Wook;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo;Heo, Young-Woo
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2018.06a
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pp.142.2-142.2
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2018
One-dimensional metal oxide nanostructures have attracted considerable research activities owing to their strong application potential as components for nanosize electronic or optoelectronic devices utilizing superior optical and electrical properties. In which, semiconducting $SnO_2$ material with wide-bandgap Eg = 3.6 eV at room temperature, is one of the attractive candidates for optoelectronic devices operating at room temperature [1, 2], gas sensor [3, 4], and transparent conducting electrodes [5]. The synthesis and gas sensing properties of semiconducting $SnO_2$ nanomaterials have become one of important research issues since the first synthesis of SnO2 nanowires. In this study, $SnO_2$ nanowire networks were synthesized on a basis of a two-step process. In step 1, Sn spheres (30-800 nm in diameter) embedded in $SiO_2$ on a Si substrate was synthesized by a chemical vapor deposition method at $700^{\circ}C$. In step 2, using the source of these Sn spheres, $SnO_2$ nanowire (20-40 nm in diameter; $1-10{\mu}m$ in length) networks on a spherical Sn surface were synthesized by a thermal oxidation method at $800^{\circ}C$. The Au layers were pre-deposited on the surface of Sn spherical and subsequently oxidized Sn surface of Sn spherical formed SnO2 nanowires networks. Field emission scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy images indicated that $SnO_2$ nanowires are single crystalline. In addition, the $SnO_2$ nanowire is also a tetragonal rutile, with the preferred growth directions along [100] and a lattice spacing of 0.237 nm. Subsequently, the $NO_2$ sensing properties of the $SnO_2$ network nanowires sensor at an operating temperature of $50-250^{\circ}C$ were examined, and showed a reversible response to $NO_2$ at various $NO_2$ concentrations. Finally, details of the growth mechanism and formation of Sn spheres and $SnO_2$ nanowire networks are also discussed.
Au/$SnO_2$ core-shell structure nanoparticles (NPs) were synthesized by microwave hydrothermal method, and the effect of working temperature on sensitivity of Au/$SnO_2$ core-shell NPs for CO gas was investigated. The $SnO_2$ shell layer was consisted of $SnO_2$ primary particles with 4.5 nm diameter. The response of Au/$SnO_2$ core-shell NPs for CO gas was maximized at the working temperature of $350^{\circ}C$ while the sensitivity increased with decreasing the working temperature due to the low grain size effect of $SnO_2$ NPs on the response of CO gas.
Sn-2.5Cu alloy layers were deposited on the Alloy 42 lead-frame substrates by the electroplating method, and their microstructures, adhesion strength, and electrical resistivity were measured to evaluate the applicability of Sn-Cu alloy as a surface finishing material of electronic parts. The Sn-2.5Cu layers were electroplated in the granular form, and composed of pure Sn and Cu$_{6}$Sn$_{5}$ intermetallic compound. Surfaces of the electroplated Sn-2.5Cu layers were rather rough and also the thickness variance was large. The adhesion strength of the Sn-2.5Cu electroplated layers was highly comparable to that of the electroplated Cu alloy layer and the electrical conductivity was about 10 times higher than the pure Sn. After the 20$0^{\circ}C$ 30 min. annealing of the electroplated Sn-2.5Cu layers, the surface roughness was reduced, and adhesion strength and conductivity were improved. These results showed the Sn-Cu alloys can be used as an excellent surface finishing material.ial.
$WO_3$-doped $SnO_2$ thin films were prepared in a solution-deposition method and their gas-sensing characteristics were investigated. The doping of $WO_3$ to $SnO_2$ increased the response ($R_a/R_g,\;R_a$: resistance in air, $R_g$: resistance in gas) to $H_2$ substantially. Moreover, the $R_a/R_g$ value of 10 ppm CO increased to 5.65, whereas that of $NO_2$ did not change by a significant amount. The enhanced response to $H_2$ and the selective detection of CO in the presence of $NO_2$ were explained in relation to the change in the surface reaction by the addition of $WO_3$. The $WO_3$-doped $SnO_2$ sensor can be used with the application of a $H_2$ sensor for vehicles that utilize fuel cells and as an air quality sensor to detect CO-containing exhaust gases emitted from gasoline engines.
In parameter design Taguchi analyzed a statistic which he called signal-to-noise(SN) ratio by using the experimental design technique. However he gave no justification for using SN ratios in the optimization procedure of parameter design. In this paper we discuss the validity of such SN ratios as proper statistics to be analyzed in parameter design. Moreover, using the real empirical data we examine the appropriateness of SN ratios, and we explain how transformation technique can be applied in parameter design as an alternative method of analysis.
Choi, Myung Sik;Kim, Min Young;Ahn, Jihye;Choi, Seung Joon;Lee, Kyu Hyoung
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.27
no.2
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pp.11-17
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2020
In this study, Ag-functionalized SnO2 nanowires are presented for NO2 gas sensitive sensors at low temperatures (50℃). SnO2 nanowires were synthesized using vapor-liquid-solid method, and Ag metal particles were functionalized on the surface of SnO2 nanowires using flame chemical vapor deposition method. As a result of the sensing test about Ag-functionalized SnO2 nanowires based sensor, the response (Rg/Ra) to 10 ppm NO2 was 1.252 at 50℃. We believe that metal-functionalizing is a one of good way to increase the feasibility about semiconductor gas sensor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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