• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.31-32
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• 2012

• 한국CDE학회논문집
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• 제22권2호
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• pp.215-221
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• 2017

This paper describes a method of precise estimation for printing time and material consumption which are directly related to the 3D printing cost. Printing process and head motion of 3D printers using digital printing head, which is analyzed by its digitized steps, is rapidly simulated without slicing to calculate estimated printing results. Using this method, printing time and material usage of 3D printer were estimated quickly and precisely and compared to the real printing result. Applying compensation using the printing parameters, transferred from the 3D printer to the printing estimation system, even more accurate estimation is achieved. This method is used in the 3D Sprint software.

• Journal of Platform Technology
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• 제6권4호
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• pp.69-77
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• 2018

개인정보가 포함되어있는 개인정보파일의 경우 개인용 PC 및 스마트 단말기, 개인 저장 장치 등 End-Point 영역에서의 개인정보보호에 대한 의식은 미흡한 실정이다. 본 연구는 웹 크롤러를 통해 생성된 개인정보파일을 안전하게 검색하기 위해 Diffie-Hellman 기법을 이용하여 사용자 키 레벨을 부여하였다. 개인정보파일에 대한 공격을 대비는 SEED와 ARIA를 하이브리드(hybrid)한 슬라이싱(slicing)을 이용하여 설계하였다. 웹 크롤링 방법에 수집된 개인정보파일에 대한 암호화 성능은 키 생성에 따른 암복호화 속도, 사용자 키 레벨에 따른 암복호화 공유를 비교 하였다. 이에 대한 시뮬레이션은 대외기관 전송 프로세스를 대상으로 전달된 개인정보파일에 수행하였다. 그 결과 기존 방법의 성능을 비교하여 기존보다 검출은 4.64배의 향상됨과 동시에 정보보호율은 18.3%가 개선됨을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권2호
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• pp.6-14
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• 2007

본 논문에서는 V-BLAST (Vertical-Bell-lab Layered Space Time) 복호 알고리즘의 ordering과 slicing 과정에 MAP(Maximum A Posteriori) 디코더의 외부 정보 (extrinsic information)를 이용한 최적의 터보 부호화된 (Optimal Turbo Coded) V-BLAST 적응 변조 시스템을 제안 후 성능을 관찰한다. 외부정보는 ordering과 slicing에 사전 확률 (a priori probability) 로서 사용되며 시스템 복호 과정은 주 반복 (Main Iteration) 및 부 반복 (Sub Iteration) 과정으로 이루어진다. 채널 상태에 따라 변조 방식을 달리하는 적응 변조 시스템을 기존의 터보 부호화 (Turbo Coding) 된 V-BLAST 시스템과 최적의 터보 부호화된 V-BLAST 시스템에 각각 적용하고 전송률 (throughput) 을 비교하여 제안된 시스템을 적용할 경우 어느 정도의 성능 개선이 있는가를 살펴본다. 또한, 제안된 시스템에 선택적 전송 다이버시티 (STD : Selection Transmit Diversity) 기법을 적용한 후 성능의 향상을 관찰한다. 모의 실험결과, 적응 변조 시스템에서 최적의 터보 부호화된 V-BLAST 기법을 적용한 경우가 기존의 터보 부호화된 V-BLAST 기법을 적용한 경우에 비하여 11 dB의 SNR (Signal to Noise Ratio) 영역에서 최대 약 350 kbps의 전송률 향상이 나타났다. 특히, 제안된 시스템에 선택적 전송 다이버시티가 적용된 경우에는 송수신 안테나가 각각 2개인 기존의 터보 부호화된 V-BLAST 기법을 적용한 시스템의 경우에 비하여 같은 SNR 영역에서 최대 약 1.77 Mbps의 전송률이 개선됨을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제22권9호
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• pp.450-453
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• 2012

In crystalline solar cells, the substrate itself constitutes a large portion of the fabrication cost as it is derived from semiconductor ingots grown in costly high temperature processes. Thinner wafer substrates allow some cost saving as more wafers can be sliced from a given ingot, although technological limitations in slicing or sawing of wafers off an ingot, as well as the physical strength of the sliced wafers, put a lower limit on the substrate thickness. Complementary to these economical and techno-physical points of view, a device operation point of view of the substrate thickness would be useful. With this in mind, BC-BJ Si and GaAs solar cells are compared one to one by means of the Medici device simulation, with a particular emphasis on the substrate thickness. Under ideal conditions of 0.6 ${\mu}m$ photons entering the 10 ${\mu}m$-wide BC-BJ solar cells at the normal incident angle (${\theta}=90^{\circ}$), GaAs is about 2.3 times more efficient than Si in terms of peak cell power output: 42.3 $mW{\cdot}cm^{-2}$ vs. 18.2 $mW{\cdot}cm^{-2}$. This strong performance of GaAs, though only under ideal conditions, gives a strong indication that this material could stand competitively against Si, despite its known high material and process costs. Within the limitation of the minority carrier recombination lifetime value of $5{\times}10^{-5}$ sec used in the device simulation, the solar cell power is known to be only weakly dependent on the substrate thickness, particularly under about 100 ${\mu}m$, for both Si and GaAs. Though the optimum substrate thickness is about 100 ${\mu}m$ or less, the reduction in the power output is less than 10% from the peak values even when the substrate thickness is increased to 190 ${\mu}m$. Thus, for crystalline Si and GaAs with a relatively long recombination lifetime, extra efforts to be spent on thinning the substrate should be weighed against the expected actual gain in the solar cell output power.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제16권1호
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• pp.91-96
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• 2017

One of the most critical aspects of the modern semiconductor industry is the quality of wafer surface, the roughness of which is mostly caused by the ingot slicing. And the grinding is supposed to be the main process to reduce the surface roughness. The vibrations of the disc surface grinder are the major problem to effectively achieve the required surface quality. In this study, the structure of a disc surface grinder was analyzed through the experiment and the computer simulation to investigate the dynamic characteristics of the machine, and further to alter the design for the improved stability. The result of the study shows that simple design alterations without alternating main body can effectively suppress the vibrations of the machine.