A handheld sheet resistance meter that can easily and quickly measure the sheet resistance of indium tin oxide films was developed. The dual-configuration four-point probe method was adopted for this instrument, which measured sheet resistance in the range from $0.26{\Omega}/sq$. to $2.6k{\Omega}/sq$. with 0.3 % ~ 0.5 % uncertainty. The screen of the instrument displayed the sheet resistance when the probe was in contact with the sample surface and the value continued to be displayed during the probe contact. Even after separating the probe from the surface, the value was still displayed on the screen and could be read easily. A feature of the instrument was the use of the dual-configuration technique to reduce edge effects markedly compared with the single-configuration technique and its ease of operation without applying correction factors for sample size and thickness.
Cu has been used for metallic interconnects in ULSI applications because of its lower resistivity according to the scaling down of semiconductor devices. The resistivity of Cu lines will affect the RC delay and will limit signal propagation in integrated circuits. In this study, we investigated the characteristics of electroplated Cu films according to the variation of concentration of organic additives. The plating electrolyte composed of $CuSO_4{\cdot}5H_2O$, $H_2SO_4$ and HCl, was fixed. The sheet resistance was measured with a four-point probe and the material properties were investigated with XRD (X-ray Diffraction), AFM (Atomic Force Microscope), FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). From these experimental results, we found that the organic additives play an important role in formation of Cu film with lower resistivity by EPD.
Platinum thin films were deposited on Si-wafer by DC magnetron sputtering for RTD (Resistance Thermometer Devices). We investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions, the input power, working vacuum, temperature of substrate and also after annealing these films. The Resistivity and Sheet Resistivity were decreased with increasing the temperature of substrate and the annealing time at $1000^{\circ}C$. At substrate temperature $300^{\circ}C$, input power 7(w/$cm^2$), working vacuum 5mtorr and annealing conditions $1000^{\circ}C$, 240min we obtained $10.65{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, Resistivity of Pt thin film and $3000{\sim}3900ppm/^{\circ}C$, TCR(temperature coefficient of resistance) closed to the bulk value.
본 논문에서는 여러 가지 이온 도우스와 열처리 온도에 대해서 hall-effect/sheet resistivity 측정방법을 이용하여 실리콘을 주입한 크롬이 도핑된 GaAs의 전기적 성질에 관한 연구를 하였다. 시료는 상온에서 이온을 주입하였으며 실리콘 나이트라이드 캘핑을 하여 15권동안 수소수국기에서 열처리하였다. 연구된 모든 도우스에서 n형 층이 형성되었으며 최적 열처리 온도는 850℃이었다. 크롬이 도핑된 GaAs기판에 대해 최대 전기적 활성화 효률은 89%이었다. 캐리어 농도와 이동도의 depth profile은 이온 도우스와 열처 이에 매우 의존적이다. 800노의 열처리 후에도 이온 주입에 의해 생긴 손상이 일부 존재하고 있었으며 900℃ 열처리에서는 주입된 실리콘 이온의 약부확산과 외류확산이 있었다.
합천군 덕인2제를 대상으로 시트파일과 그라우팅 차수벽의 차수효과를 비교 판정하고 제방하부에서 발생하는 파이핑 현상을 감지하기 위하여 갈수기와 우수기에 걸쳐 2차원 및 3차원 전기비저항탐사를 실시하였다. 자료의 해석결과 2차원이나 3차원탐사 모두 시트 파일과 일반 그라우팅 차수벽의 경계부나 육안으로 관찰된 파이핑 발생지점을 비교적 정확하게 탐지하였다. 그러나, 보다 양호한 자료를 얻기 위해서는 전극의 접지상태를 향상시키고 가탐심도와 분해능을 고려한 적절한 탐사파라미터의 설정이 필수적이라고 할 수 있다.
Quality of PEDOT electrode thin film vapor phase-polymerized on 3-aminopropyltriethoxysilane (APS) self-assembled monolayer (SAM) is very crucial for making an ohmic contact between electrode and semiconductor layer of an organic transistor. In order to improve the quality of PEDOT film, the quality of APS-SAM laying underneath the film must be in the best condition. In this study, in order to improve the quality of APS-SAM, the monolayer was self-assembled on $SiO_2$ surface by a dip-coating method under strictly controlled relative humidity (< 18%RH). The quality of APS-SAM and PEDOT thin film were investigated with a contact angle analyzer, AFM, FE-SEM, and four-point probe. The investigation showed that a PEDOT film grown on the humidity-controlled SAM is very smooth and compact (sheet resistivity = 20.2 Ohm/sq) while a film grown under the uncontrolled condition is nearly amorphous and contains quite many pores (sheet resistivity = 200 Ohm/sq). Therefore, this study clearly proves that a highly improved quality of APSSAM can offer a highly conductive PEDOT electrode thin film on it.
In this paper, the $CoSi_2$ thin films with thicknesses of about $5{\mu}m$ were deposited on n-type silicon (111) substrates by RF magnetron sputtering method using a $CoSi_2$ target (99.99%). The flow rate of argon of 50 sccm, substrate temperature of $100^{\circ}C$, RF power of 60 watts, deposition time of 30 minutes, and the vacuum of $1\times10^{-6}$ Torr. The annealing treatments of the $CoSi_2$ thin film were performed from 500, 700 and $900^{\circ}C$ for 1h in air ambient by an electric furnace. In order to investigate the $CoSi_2$ thin film X-ray diffraction patterns were measured using the X-ray diffractometer (XRD). The structure of the thin films were investigated by using scanning the electron microscope (SEM) were used for review. The surface morphology of the thin films was measured with a atomic force microscopy (AFM). Temperature dependence of sheet resistivity and property of Hall effect was measured in the $CoSi_2$ thin film.
본 논문에서는 손실판(resistive sheet) 방식을 사용하여 풀잎이나 나뭇잎의 후방 산란 레이더 단면적(RCS: Radar Cross Section)을 계산하고, 이 모델의 정확성을 검증하여, 손실판 모델을 적용하여 계산 가능한 잎의 두께를 제시한다. 이를 위해 잎을 손실 있는 유전체 판으로 가정하고, 이 유전체 판을 resistive sheet(손실판)으로 대체한 후에 판의 두께, 유전율, 주파수에 따른 resistivity를 계산한 후에, PO(Physical Optics) 방식을 이용하여 다양한 크기와 두께 조건에서 RCS를 계산하였고, 이 계산 결과를 상용 시뮬레이터를 사용한 FEM(Finite Element Method) 방식의 수치해석 계산 결과와 비교하였다. 이 비교 결과에 의하면 유전체 판의 두께가 커질수록 오차가 증가하였으며, 예를 들어, 주파수 9.6 GHz에서 유전율이 21.4+9.7i이고, 잎 두께가 1.2 mm일 때 0.1 dB의 오차가 발생하였고, 3 mm일 때 3.74 dB의 오차가 발생하였다. 또한, 유전율이 높아질수록 이 모델 사용 가능한 최대 두께가 증가하는 경향을 보였다. 이 연구는 원격탐사 연구에서 수많은 잎이 분포되어 있을 때에 그 잎들의 산란 특성을 산란모델을 이용하여 계산하는 데에 유용하게 사용될 것이다.
Recently electronic circuit pattern printing technologies like antennas of RFID process are paid attention. oven drying system is being used since drying and curing time of RFID Tag Gravure printing normally takes from 5 minutes and up to 30 minutes long. In this case the parental material which is of a sheet shape is possible, however, for a massive and a continuous production drying and curing process must be done on-line. This research compared and analyzed the an oven type drying device and a traditional hot-air drying device. Considering the experiment result, the cell depth that shows low resistivity, which doesn't consider the pattern difference, is $31{\sim}33{\mu}m$. Also, oven drying system showed some resistivity after around 120 seconds of drying time, and showed much better performance in minimum resistivity compared to the hot-air drying system.
시트파일과 그라우팅 차수벽의 차수효과를 비교 판정하고 제방하부에서 발생하는 파이핑 현상을 감지하기 위하여 합천군의 덕인2제를 대상으로 갈수기와 우수기에 걸쳐 2차원 및 3차원 전기비저항탐사를 실시하였다. 자료의 해석결과 2차원이나 3차원탐사 모두 시트 파일과 일반 그라우팅 차수벽의 경계부나 육안으로 관찰된 파이핑 발생지점을 비교적 정확하게 탐지하였다. 또한 제방붕괴의 주요원인중 하나인 배수통문 배면의 공동을 조사하기 위하여 GPR탐사를 실시하였으나 구조물에 배근된 철근의 영향으로 만족할 만한 자료를 얻을 수 없었다. 배수통문 구조물의 특성상 여타 지구물리탐사법의 적용이 어려우므로 본 연구에서는 통문 하부 공동의 연결성을 평가할 수 있는 수리응답시험을 제안하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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