최근 Flexible organic electronics 분야에 대한 관심과 더불어 소자의 산소 및 수분의 침투를 방지하기 위한 투습방지막 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 본 연구에서는 Closed Drift Linear Source(CDLPS) 플라즈마 공정을 이용하여 저온 고속의 $SiO_xC_yH_z$ barrier flims 형성 연구를 진행하였다. HMDSO(hexamethyldisiloxane), TMS(trimethylsilane)와 산소를 기반으로 HMDSO/HMDSO+산소의 비율에 따라 $Si(-O_x)$ 변화에 따른 특성 평가를 진행하였다. X-ray photoelectrom spectroscopy(XPS) 및 Ft-IR spectrometer 측정 시 3.7% 비율에서 실리콘 원소가 산소 라디칼과 효율적인 반응을 함으로써 단일한 $SiO_2$ 박막이 형성됨을 확인 하였다. 그와 반면에 비율의 증가로 인해 다량의 HMDSO 물질이 주입 되었을 시 산소 라디칼과 충분히 반응 되지 못하여 $SiO_2$에 비해 $Si(CH)_x$ 가 많이 함량 된 Polymer like한 $SiO_x$가 많이 형성되었다. 박막의 증착율의 경우에는 3.7%에서 18%로 증가함에 따라 35 nm/min에서 180 nm/min의 증착율을 가지는 것을 확인 하였다. 3.7% 비율의 단일 $SiO_2$ 공정 조건으로 유기태양전지에 형성 하였을 시 소자의 에너지 변환 효율(PCE)이 변화 없는 것을 확인하였다. 이는 기존 공정에 비해 CDLPS 플라즈마 공정의 경우 유기소자에 플라즈마로 인한 열에너지나 이온 충격 에너지로 인한 영향 없는 것을 확인 할 수 있다. 이런 장점을 통해 CDSPS를 이용한 공정 기술은 다양한 유기 소자의 barrier 형성 연구에 큰 도움이 될 것이다.
SiC powder was heated in air over the temperature range of 1100-135$0^{\circ}C$. $\beta$-cristobalite was formed to cover the surfaces of SiC particles by the reaction: $SiC(s)+20_2(g)=SiO_2(s)+CO_2(g)$. It is assumed that the diffusion of oxygen ion through the formed surface layer of $\beta$-cristobalite controls the oxidation of the SiC particles. The diffusion coefficient of oxygen ion through the $\beta$-cristobalite layer was obtained as the following equation: $D=3.84{\times}10^{-17}$exp(-14.7/RT)
일반적으로 혼합분말의 소결에서 작은 입자에 큰 입자의 첨가는 소결성의 저하를 가져온다. 본 연구에서는 이러한 원리를 이용하여 작은 SiC 입자에 큰 SiC 휘스커 또는 큰 SiC 입자를 첨가하여 소결성을 저하시키고, YAG(Y$_3$A1$_{5}$O$_{12}$)상을 소결 첨가제로 사용함으로서 다공질 SiC 세라믹스를 제조하였다. 제조된 다공질 SiC 세라믹스의 기공율은 큰 입자의 함량과 소결 압력을 제어함으로서 0.3-39% 범위에서 제어할 수 있었다. 기공율은 큰 입자의 함량이 증가함에 따라 증가하였고, SiC 휘스커를 첨가하는 것이 큰 SiC 입자를 첨가하는 것 보다 기공율을 높이는데 효과적이었다. 제조된 다공질 세라믹스에서 기체의 통기성은 기공율이 증가함에 따라 증가하였고, 굽힘강도는 기공율이 증가함에 따라 감소하였다. 기공율이 18% 이상인 다공질 SiC 세라믹스의 경우에 주목할 만한 변형율이 관찰되었다.
스위칭 특성을 향상시키기 위하여 비정질 강자성 CoFeSiB 자유층을 갖는 자기터널접합 (MTJ)의 스위칭 특성을 연구하였다. 자기터널접합의 구조는 $Si/SiO_{2}/Ta$ 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 10/CoFe $7/AlO_{x}/CoFeSiB\;(t)/Ru\;60\;(nm)$이다. CoFeSiB는 $560\;emu/cm^{3}$의 낮은 포화자화도와 $2800\;erg/cm^{3}$의 높은 이방성 상수를 가졌다. 이러한 특성이 자기터널접합의 낮은 보자력($H_{c}$)과 높은 자장민감도를 갖게 한다. 이것은 또한 Landau-Lisfschitz-Gilbert 방정식에 근거한 미세자기 전산시뮬레이션을 통하여 submicrometersized elements에서도 확인하였다. CoFeSiB 자유층 두께를 증가함으로서 스위칭 특성은 반자화 자기장의 증가로 인하여 더욱더 나빠졌다.
The purpose of this study was to investigate effects of moxibustion at combined acupoints on sex and age in rats. This study measured the effects of moxibustion on small intestinal motility in rats. Cauterizing with moxa was applied 5 times to the acupoints on SI8, LI11 SP9 and ST36 under enflurane anesthesia in the groups divided with sex and age. In single acupoint groups, cauterizing with moxa on ST36 increased in all of sex and age groups. The SP9 group with 5, 6 weeks in female and 5, 8 weeks in male, the SI8 group with 5, 7 weeks in female and only 7 weeks in male, the LI11 group with only 5, 6, 7 weeks in female and only 7 weeks in male showed increasing on small intestinal motility. In combined acupoints groups, the SI8+SP9 group with 7 weeks in female and 5, 6, 8 weeks in male, the SI8+ST36 group with 5, 6 weeks in female and 8 weeks in male, the LI11+SP9 group with 5, 6 weeks in female and 6 weeks in male, the LI11+ST36 group with 5 weeks in female and 5, 6, 7 weeks in male showed increasing respectively. Although these different according to the sex and age in rats do not have a established tendency, the results suggested that the effects of combined acupoints of cauterizing with moxa have relation with individuality.
Ni and Ti films were deposited by the thermal evaporator, and then annealed in the N$_2$ ambient at 300-80$0^{\circ}C$ in a RTA(rapid thermal annealing) system. Four point probe, AEM, FESEM, AES, and XPS were used to study the effects of Ti-capping layers on the thermal stability of NiSi thin films. The Ti-capped NiSi was stable up to $700^{\circ}C$ for 100 sec. RTA, while the uncapped NiSi layers showed high sheet resistance after $600^{\circ}C$. These results were due to that the Ni in-diffusion and Si out-diffusion were retarded by the capping layer, resulting in the suppression of the formation of NiSi$_2$and Si grains at the surface.
EUV 노광공정의 반사형 노광계 및 마스크에 사용되는 Mo/Si 다층박막 착탁 시 발생하는 각 층의 두께 변화와 상호확산 층 (inter-diffusion layer)이 생성될 경우에 대하여 이들이 다층박막 반사도에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았다. 본 연구그룹에서 개발한 다층박막 반사 시뮬레이션 프로그램을 사용하여 Mo/Si 40-period박막의 반사토플 계산한 결과, 각각의 period가 두께의 편챠(28%)를 갖는 경우, 모든 period가 같은 두께를 갖는 다층박막에 비해 최대반사도가 10.8% 감소가 되었으며 두 층간 물질 사이의 상호확산(interdiffustion) 층을 가정하였을 경우, 다층박막의 경우 그렇지 않은 경우에 비해 4.7%의 최대반사도가 감소가 예상되었다. 그리고 각 층의 적층에 따른 반사도의 변화를 시뮬레이션 프로그램을 통해 계산한 결과 반사도는 25층까지 계속 증가하며 26층부터 불규칙한 경향성을 가지며 증가와 감소를 반복함을 알 수 있었다.
The Human Papilloma Virus (HPV) infection has been strongly associated with pathogenesis of uterine cervix carcinoma. HPV type 16, a causative agent of uterine cervix carcinoma, encodes the E6 and E7 oncogenes, expression of which is pivotal for malignant transformation and maintenance of malignant phenotypes. To develop a gene therapy for HPV-related carcinoma, We investigated the effect of E6 short-interfering RNA (E6 siRNA) on the expression of this oncogene and on the growth of HPV 16-related uterine cervix carcinoma cells. SiHa cells, a uterine cervix carcinoma cell line, which contain a single copy of HPV 16 integrated in the chromosome and express the E6 and E7 oncogenes. Before 24 hr of transfection, cells were seeded and transfected with control plasmid or E6 siRNA-expressing plasmid. The mRNA was analysed by reverse transcriptase polymerase chain reaction (RT-PCR). The cell growth rate was investigated by MTT method. The E6 mRNA level in SiHa cells was decreased in HPV 16 E6 siRNA-expression vector transfected cells and a decrease in the growth of these cells was also observed. From these results. it is evident that E6 siRNA played a role in suppression of growth of SiHa cells and has a fair chance as a candidate for gene specific therapy for HPV related uterine cervix carcinoma.
리튬이차 박막전지로서, 실리콘 첨가(0, 2, 6, 10, 20㏖%)에 따른 주석 산화물 박막을 기판온도 30$0^{\circ}C$, Ar:O$_2$=7:3으로 R.F. magnetron sputtering법으로 제조하였다. 실리콘의 함량이 증가함에 따라, Si-O 결합량이 증가하고 Sn-O 결합량은 감소하였다. 적정량의 실리콘 첨가는 주석의 산화상태를 감소시켜 비가역성을 줄이고 충방전 동안 주석의 부피변화를 막아 사이클 특성이 향상되는 결과를 보여주었다. 6㏖% Si를 첨가한 주석 산화물 박막은 100사이클동안 700mAh/g의 용량을 가지는 가장 좋은 사이클 특성을 나타내었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권3호
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pp.101-104
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2008
The electrical properties and microstructure of nitrogen-doped poly 3C-SiC films were studied according to different thickness. Poly 3C-SiC films were deposited by LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) at $900^{\circ}C$ and 4 Torr using $SiH_2Cl_2$ (100 %, 35 sccm) and $C_2H_2$ (5 % in $H_2$, 180 sccm) as the Si and C precursors, and $NH_3$ (5 % in $H_2$, 64 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of the 3C-SiC films with $1,530{\AA}$ of thickness was $32.7{\Omega}-cm$ and decreased to $0.0129{\Omega}-cm$ at $16,963{\AA}$. In XRD spectra, 3C-SiC is so highly oriented along the (1 1 1) plane at $2{\theta}=35.7^{\circ}$ that other peaks corresponding to SiC orientations are not presented. The measurement of resistance variations according to different thickness were carried out in the $25^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$ temperature range. While the size of resistance variation decreases with increasing the films thickness, the linearity of resistance variation improved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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