• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.32 no.3
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• pp.223-234
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• 2019

The geology of the Samdeok Mo deposit consists of Paleozoic Hwajeonri formation, Kowoonri formation, Suchangri formation, Iwonri formation, Hwanggangri formation, Cretaceous, leucocratic porphyritic granite and granitic porphyry. This deposit consists of three quartz veins that filled NS oriented fractured zones in Suchangri formation. Quartz veins vary from 0.05 m to 0.3 m in thickness and extend to about 400 m in strike length. Quartz veins occur as massive, breccia, and cavity textures. Wallrock alteration has silicification, sericitization, argillitization and chloritization. The mineralogy of the quartz veins consists of quartz, fluorite, white mica, biotite, apatite, monazite, rutile, ilmenite, molybdenite, chalcopyrite, Fe-Mg-Mn oxide and Fe oxide. White mica from Samdeok Mo deposit occurs as fine or coarse grains in quartz vein and hostrock and has four mineral assemblages (I type: quartz, molybdenite, Fe oxide and Fe-Mg-Mn oxide, II type: quartz, Fe oxide and Fe-Mg-Mn oxide, III type: quartz and biotite, and IV type: quartz). The structural formular of white mica from quartz vein is $(K_{0.89-0.60}Na_{0.05-0.00}Ca_{0.01-0.00}Sr_{0.02-0.00})_{0.94-0.62}(Al_{1.54-1.12}Mg_{0.36-0.18}Fe_{0.26-0.09}Mn_{0.04-0.00}Ti_{0.02-0.00}Cr_{0.02-0.00}Zn_{0.01-0.00})_{1.91-1.72}(Si_{3.40-3.11}Al_{0.92-0.60})_{4.00}O_{10}(OH_{1.68-1.42}F_{0.58-0.32})_{2.00}$, but white mica of I type has higher FeO content, and lower $SiO_2$ and MgO contents than white micas of other types. Also, compositional variations in white mica from the Samdeok Mo deposit are caused by phengitic or Tschermark substitution ($(Al^{3+})^{VI}+(Al^{3+})^{IV}{\leftrightarrow}(Fe^{2+}{\text{ or }}Mg^{2+})^{VI}+(Si^{4+})^{IV}$) and direct $(Fe^{3+})^{VI}{\leftrightarrow}(Al^{3+})^{VI}$ substitution.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.143-144
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 40% 이상의 광변환 효율로 많은 주목을 받고 있다[1]. 삼중 접합 태양전지의 하부 셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용된다. Ge위에 성장될 III-V족 단결정막으로서 Ge과 격자상수가 일치하는 GaInP나 GaAs가 적합하고, 성장 중 V족 원소의 열확산으로 인해 Ge과 pn접합을 형성하게 된다. 이때 GaInP의 P의 경우 GaAs의 As보다 확산계수가 낮아 태양전지 변환효율향상에 유리한 얇은 접합 형성이 가능하고, 표면 에칭효과가 적기 때문에 GaInP를 단결정막으로 선택하여 p-type Ge기판 위 성장으로 단일접합 Ge구조 제작이 가능하다. 하지만 이종접합 구조 성장으로 인해 발생한 계면사이의 전위나 미세결함들이 결정막내부에 존재하게 되며 이러한 결함들은 광학소자 응용 시 비발광 센터로 작용할 뿐 아니라 소자의 누설전류를 증가시키는 원인으로 작용하여 태양전지 변환효율을 감소시키게 된다. 이에 결함감소를 통해 소자의 전기적 특성을 향상시키고자 수소 열처리나 플라즈마 공정을 통해 수소 원자를 박막내부로 확산시키고, 계면이나 박막 내 결함들과 결합시킴으로서 결함들의 비활성화를 유도하는 연구가 많이 진행되어 왔다 [2][3]. 하지만, 격자불일치를 갖는 GaInP/Ge 구조에 대한 수소 열처리 및 불순물 준위의 거동에 대한 연구는 많이 진행되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Ga0.45In0.55P/Ge구조에 수소 열처리 공정을 적용을 통하여 단결정막 내부 및 계면에서의 결함밀도를 제어하고 이를 통해 태양 전지의 변환효율을 향상시키고자 한다. <111> 방향으로 $6^{\circ}C$기울어진 p-type Ge(100) 기판 위에 유기금속화학증착법 (MOCVD)을 통해 Si이 도핑된 200 nm의 n-type GaInP층을 성장하여 Ge과 단일접합 n-p 구조를 제작하였다. 제작된 GaInP/Ge구조를 furnace에서 250도에서 90~150분간 시간변화를 주어 수소열처리 공정을 진행하였다. 저온 photoluminescence를 통해 GaInP층의 광학적 특성 변화를 관찰한 결과, 1.872 eV에서 free-exciton peak과 1.761 eV에서 Si 도펀트 saturation에 의해 발생된 D-A (Donor to Acceptor)천이로 판단되는 peak을 검출할 수 있었다. 수소 열처리 시간이 증가함에 따라 free-exciton peak 세기 증가와 반가폭 감소를 확인하였고, D-A peak이 사라지는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 수소 열처리에 따른 단결정막 내부의 수소원자들이 얕은 불순물(shallow impurity) 들로 작용하는 도펀트들이나, 깊은 준위결함(deep level defect)으로 작용하는 계면근처의 전위, 미세결함들과의 결합으로 결함 비활성화를 야기해 발광세기와 결정질 향상효과를 보인 것으로 판단된다. 본 발표에서는 상술한 결과를 바탕으로 한 수소 열처리를 통한 박막 및 계면에서의 결함준위의 거동에 대한 광분석 결과가 논의될 것이다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.5
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• pp.211-216
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• 2001

Top synthetic spin valves wi th structure Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe(Pl)/Ru/CoFe(P2)/FeMn/Ta on Si (100) substrate with SiO$_2$ of 1500 were prepared by dc magnetron sputtering system. We have changed only the thickness of the free layer and the thickness difference (Pl-P2) in the two ferromagnetic layers separated by Ru, and investigated the effect of magnetic film thickness on the GMR properties and the interlayer coupling field in a spin valve with a synthetic antiferromagnet. As thickness difference of pinned layer was decreased from +25 to -25 , MR ratio was decreased gradually. However, there was a dip zone indicating a big change of MR ratio around Pl = P2, which can be due to the large canting of pinned layers. The modified Neel model was suggested for the top synthetic spin valve to explain the interlayer coupling field according to the thickness change of ferromagnetic layers. The interlayer coupling field was decreased due to the magnetostatic coupling (orange peel coupling) as suggested by model. However, the interlayer coupling field was not explained at the dip zone by the modified Neel model. The deviation of modified Neel model at the dip zone could be due to the largely canting of the pinned layers as well, which depends on different thickness in synthetic antiferromagnetic structure.

• The Journal of Engineering Research
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• v.4 no.1
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• pp.69-85
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• 2002

The chemical composition of bottle glass is consisted of Na2O-CaO-SiO2. However the cullet is mornally used in order to decrease the melting tsmperature. This induce the productivity of bottle and decreases the cost. The addition of plate glass decreases the Al2O3 content and in fluence the stone phenomenon and devitification in botle glass. Tus the Feldspar is added in order to increase the Al2O3 content when plate cullet was added in melting. The Tridymite crystal was observed over 7.5% Al2O3 contents, which shown as white crystal in appearance. It is Supposed that the Wollastonite Would be occurred in more over 7.5% Al2O3. This fad id well consised With the Litertctures.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.151-151
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• 2013

무기물 기반, Si-based 태양전지에 비해 가볍고 저렴하다는 관점에서 유기태양전지에 대한 연구가 진행되고 있다. 유기태양전지는 Si-based 태양전지에 비해 그 효율이 낮다는 점이 문제로 제기되어 왔지만, 억셉터와 도너의 nanocomposite 구조인 bulk-heterojunction (BHJ) 구조가 개발이 되면서 유기물의 짧은 엑시톤(exciton) 거리를 극복할 수 있게 되어 그 효율이 비약적으로 증가되는 결과를 낳았다. 또한 넓은 범위의 파장을 흡수 할 수 있는 작은 band-gap을 갖는 물질이 개발됨으로써 유기 태양전지의 효율은 점차 증가하고 있다. 최근에는 독일 회사인 Heliatek에서 12%가 넘는 유기태양전지를 발표함으로써 유기태양전지가 Si-based 태양전지를 대체할 수 있는 차세대 에너지 공급원으로의 가능성을 충분히 보였다. 이런 유기 태양전지는 하부 투명전극인 인듐주석산화물(ITO)/정공이동층(PEDOT:PSS)/광흡수층/전자이동층(LiF)/낮은 일함수를 갖는 상부전극인 Al 구조의 일반적인 구조; ITO/전자이동층/광흡수층/정공이동층/높은 일함수를 갖는 상부전극(Ag), 전하의 이동방향이 반대인 역구조 태양전지, 두 가지로 분류할 수 있다. 하지만 소자 안정성의 관점에서 일반적인 구조의 태양전지는 ITO/PEDOT:PSS 계면에서의 화학적 불안정성과, 낮을 일함수를 갖는 상부전극이 쉽게 산화되는 등의 문제가 있어 상부전극으로 높은 일함수를 갖는 전극을 사용하는 역구조 태양전지가 더 유리하다. 이러한 역구조 태양전지에서 효율을 높일 수 있는 요인 중 하나는 전자이동층에 있다. 광흡수층에서 형성되어 분리된 전자가 전극으로 이동하기위해서는 전자이동층을 거쳐야 한다. 하지만 이 전자이동층 내에서의 전자 이동속도가 느리다면, 즉 저항이 크다면 광흡수증과의 계면에서 Back electron trasnfer현상으로 재결합이 일어나게 되어 전극으로 도달하는 전자의 양이 줄어들게 되고, 이는 유기태양전지 효율을 낮추는 요인이 된다. 전자이동층 자체의 저항뿐만 아니라, 전자이동층의 표면 거칠기(morphology) 또한 유기 태양전지의 효율을 좌우하는 요인 중 하나이다. 광흡수층과 전자이동층의 계면에서 전자의 이동이 일어나는데, 전자이동층의 표면 거칠기가 크게되면 그 위에 박막으로 형성되는 광흡수층과의 계면저항이 증가하게 되고, 이는 광흡수층에서 전자이동층으로의 원활한 전자이동을 저해함으로써 소자 효율의 감소를 일으키게 된다. 따라서 우리는 전자이동층인 ZnO 박막의 스퍼터링 조건을 변화시킴으로써 ZnO 층의 두께에 따른 광투과도, 전기전도성 변화 및 유기태양전지의 효율변화와, 표면 거칠기에 따른 광변환 효율 변화를 관찰하고자 한다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.41 no.2
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• pp.97-107
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• 2017

This study is the second investigation on the steady flow characteristics of an SI engine with a semi-edge combustion chamber as a function of the port shape with varying evaluation positions. For this purpose, the planar velocity profiles were measured from 1.75B, 1.75 times of bore position apart from the bottom of head, to 6.00B positions using particle - image velocimetry. The flow patterns were examined with both a straight and a helical port. The velocity profiles, streamlines, and centers of swirl were almost the same at the same valve lift regardless of the measuring position, which is quite different from the case of the pent-roof combustion chamber. All the eccentricity values of the straight port were out of distortion criterion 0.15 through the lifts and the position. However, the values of the helical port exceeded the distortion criterion by up to 4 mm lift, but decreased rapidly above the 3.00B position and the 5 mm lift. There always existed a relative offset effect in the evaluation of the swirl coefficient using the PIV method due to the difference of the ideal impulse swirl meter velocity profile assumption, except for the cylinder-center-base estimation that was below 4 mm of the straight port. Finally, it was concluded that taking the center as an evaluation basis and the assumption about the axial velocity profile did not have any qualitative effect on swirl evaluation, but affected the value owing to the detailed profile.

• Progress in Medical Physics
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• v.25 no.1
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• pp.53-63
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• 2014

The objective of this study is to investigate the difference of ITV lengths and ITVs between 4DCT and Slow-CT images according to respiratory patterns using a respiratory motion phantom. The respiratory periods 1~4 s and target motion 1~3 cm were applied on each respiratory pattern. 4DCT and Slow-CT images were acquired for 3 times. 4DCT and Slow-CT ITVs were measured with contouring the target in the Eclipse RTP system. The measured ITV lenghts and ITVs in 4DCT and Slow-CT images were compared to the known values. For the ITV lengths and ITVs in the 4DCT, the difference of them were reduced as the respiratory period is longer and target motion is shorter. For the Slow-CT, there was same tendency with change in 4DCT ITV lengths and ITVs about target motion. However, the difference of ITV lengths and ITVs for the respiratory periods were the lowest in respiratory period 1 second and different slightly within respiratory period 2-4 seconds. According to the respiratory patterns, pattern A had the highest reproducibility. Pattern B, C and D were showed the difference similar to each other. However, for pattern E, the reproducibility was the lowest compared with other four patterns. The difference of ITV lengths and ITVs between Slow-CT and 4DCT was increased by increasing the respiratory periods and target motion for all respiratory patterns. When the difference of Slow-CT ITV lengths and ITVs were compared with that of 4DCT ITV lengths and ITVs, Slow-CT ITV lengths and ITVs were approximately 22 % smaller than 4DCT, and the representations of target were different in each pattern. In case of pattern A, B and C, length difference was 3 mm at S (superior) and I (inferior) direction, and the length difference of pattern D was 1.45 cm at only "I" direction whereas the length difference of pattern E was 5 mm longer in "S" direction than "I" direction. Therefore, the margin in SI directions should be determined by considering the respiratory patterns when the margin of Slow-CT is compensated for 4DCT ITV lengths. Afterward, we think that the result of this study will be useful to analyze the ITV lengths and ITVs from the CT images on the basis of the patient respiratory signals.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1995.07c
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• pp.1098-1101
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• 1995

NbTi thin films were prepared on Si wafer and Cu substrate by rf magnetron sputtering in the range of sputtering pressure $3{\times}10^{-2}$torr to $3{\times}10^{-4}$torr at room temperature. The influence of sputtering pressure and substrate type on crystallographic orientation and morphology of NbTi thin films was investigated by using X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM), respectively. And the effect of crystallographic orientation and morphology of NbTi film on electromagnetic behaviors was estimated by measuring critical current in various applied magnetic field. The film morphology changed from porous structure consisting of tapered crystallites to densely deposited film decreasing with sputtering pressure. The change of crystallographic orientation with the sputtering pressure and rf power was calculated from the texture coefficient of(002) plane based on XRD patterns. It was found that a change of texture coefficient of(002) plane increased with decreasing sputtering pressure. From observation of critical current in various applied magnetic field, we have identified that the change of critical current abruptly decrease applying with magnetic field and NbTi film produced at high sputtering pressure does not exhibit superconductivity but at low sputtering pressure shows superconductivity.

• Proceedings of the KSR Conference
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• 2011.10a
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• pp.2456-2463
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• 2011

Conventional railways are less competitive than other land transportation means in term of speed, and thus users preference and transportation share for rail system are relatively lower than others. For example, most of the conventional lines except the Seoul~Busan corridor run at an average speed of 70 km/h or less, which imposes certain constraints on roles and functions as the trunk lines. In this regard, the speed of the conventional lines should be improved up to 200 km/h to gain competitiveness, promote balanced regional development and lead the era of low carbon green growth. As track system is one of the most important elements for the speed-up, it is critical to come up with optimum technical solutions. Improvement of ballast track structure with efficient track installation can provide structural stability for higher speed and ensure operational safety with lower maintenance efforts. Thus, this study focuses on consequences followed by the speed-up including increase of load imposed on the track and impacts on track components, and provide solutions for track maintenance by analyzing impact on the track structure by speed. Also, it compares ballast and concrete tracks under designing and construction and considers how to meet needs for passengers comfort and environmental requirements as a strategic approach.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.59.2-59.2
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• 2010

결정형 태양 전지의 보급화를 위하여 고순도 실리콘을 저렴하게 제조할 수 있는 기술 개발이 필요하다. 본 연구에서는 고순도 실리콘을 경제적으로 제조하기 위하여 대역 정제에 의한 일방향성 응고법을 이용한 정련 연구를 진행하였으며, 응고 속도와 고 액상의 온도 구배가 정련도에 미치는 영향을 분석 하였다. 본 실험에 사용된 일방향 응고장치는 실리콘 용탕이 장입된 도가니 하부의 열 교환기를 통한 냉각에 의해 용탕 하부에서 상부 방향으로의 일방향성 응고가 진행되며, 응고 진행시 용탕의 흔들림에 의한 정련능의 감소를 방지하기 위해 가열 영역이 이동하는 Stober 공정을 채택하였다. 가열 영역은 실리콘 용융을 위한 상부 가열 영역과 응고 진행시 응고부의 온도 제어를 위한 하부 가열 영역으로 구성되어 있으며, 두 가열 영역의 온도 제어를 통해 응고중인 실리콘의 고 액상의 온도 구배를 조절하였다. 일방향 응고에 의한 정련법에서 고 액상의 온도 구배가 증가할수록 2차 수지상의 발달이 감소하고, 주상정의 수지상 형태를 유지하게 되어 고 액 공존영역에서 액상 영역으로의 확산이 원활하게 이루어져 분배계수를 이용한 정련도가 좋아지게 되며, ICP 분석을 통해 온도 구배의 증가에 따라 정련능이 증가하는 양상을 확인 할 수 있었다. 고 액상의 온도 구배의 조절을 통한 공정 시간 대비 정련도의 향상을 통해 결정형 태양전지의 생산성의 증가를 통한 저가화를 이룰 수 있을 것이다.