• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.19 no.1
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• pp.69-74
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• 2018

With the increasing development of industrial society and the availability of high quality electrical energy, the simplification of operation and maintenance procedures is required, in order to ensure the reliability and safety of electrical systems. In this paper, the dielectric breakdown characteristics of $N_2-O_2$ mixed gas solid insulation, which is used as an alternative to SF6 in various electric power facilities, are verified. When the gas mixture has a composition ratio similar to that of the atmosphere, the dielectric breakdown characteristics are relatively stabilized. It was confirmed that the breakdown voltage of the gas in the electrode near an equal electric field increased with increasing pressure according to Paschen's rule. The breakdown voltage of the surface increased linearly with increasing pressure, and the difference was caused by the mixing ratio of $O_2$ gas. This change in the surface insulation breakdown voltage was caused by the influence of the electrically negative $O_2$ gas and the intermolecular collision distance. In this study, the influence of the intermolecular impact distance was larger (than that in the absence of the electrically negative $O_2$ gas). The breakdown voltage relation applicable to Teflon according to the surface insulation characteristics was calculated. The characteristics of the surface insulation properties of Teflon, which is used as a solid insulation material, were derived as a function of pressure. It is thought that these results can be used as the basic data for the insulation design of electric power facilities.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.68-68
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• 2009

최근 디스플레이 산업의 발달로 LCD 판넬의 수요가 급증함에 따라 검사장치 분야도 동반 성장하고 있다. LCD 검사를 위한 probe unit은 미세전기기계시스템 (MEMS) 공정을 이용하여 제작된다. 본 연구에서는 probe card의 미세 슬릿을 제작하기 위한 Si 깊은 식각 공정을 수행하였다. 공정에 사용된 장비는 STS 사의 D-RIE 시스템으로 식각가스로 $SF_6$, passivation용으로 $C_4F_8$ 가스를 각각 사용하였다. 식각용 마스크는 $30{\sim}50{\mu}m$의 선폭을 probe card의 패턴에 따라 제작되었으며, 분석은 SEM 측정을 이용하였다. 식각 공정 중 발생하는 scallop은 시료를 oxidation 시켜 $SiO_2$ 층을 형성한 후에 식각용액에 에칭하여 제거하였다. 제거전 scallop의 크기는 약 120 nm에서 제거후 약 $50{\mu}m$로 크게 개선됨을 SEM 사진으로 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.05a
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• pp.127-128
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• 2008

현재 산업사회의 발달과 더불어 신뢰성 높은 양질의 전기에너지와 운전 및 보수의 간편화, 계통운용의 신뢰성의 확보가 요구되고 있다. 또한 $SF_6$을 대체할 친환경적인 절연매체의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이에 본 연구는 모의 GIS내 친환경적인 절연재료인 질소($N_2$)와 산소($O_2$)의 혼합가스($N_2:O_2=79:21$, $N_2:O_2=60:40$, $N_2:O_2=40:60$)과 Dry-Air 기본적인 절연 특성을 밝혀, 각종 전력응용 설비의 절연매체로 사용가능함을 구명하고저 한다.

• Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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• v.10 no.5
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• pp.610-618
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• 1998

In this study, a tracer gas technique was used to measure ventilation effectiveness in a thermal environmental chamber simulating an under-floor air conditioning system. A tracer gas of $SF_6$ was injected in a supply duct using step-up and step-down methods. Local mean ages and room mean ages were calculated from the measured concentrations under isothermal and cooling conditions with and without diffusers. Ventilation effectiveness is found to be higher in cooling ventilation operations than in isothermal operations. Results also show that ventilation effectiveness is not significantly affected by a diffuser.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07b
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• pp.982-984
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• 2003

본 논문에서는 계통에서 사고에 의해 발생한 고장전류를 차단할 때, 가스차단부에서 발생하는 고온 고압의 아크플라즈마 하에서 노즐용삭에 의해 PTFE와 같은 노즐 물질이 $SF_6$가스에 혼입하는 경우에 노즐 재질이 아크플라즈마의 차단특성에 미치는 영향을 평가하기 위해 요구되는 과도상태 노즐용삭 해석기술에 대하여 정리한다. 그리고 노즐용삭 해석기술을 계통에서 고장이 발생한 경우에 흐르는 고장전류를 차단하는 과정에서 발생하는 아크플라즈마에 적용하여 용삭된 PTFE의 농도를 계산하고 그 결과를 제시한다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.05a
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• pp.273-276
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• 2009

본 연구는 Knife형 전극을 사용하여 이종절연재하의 갭 변화에 따른 연면방전 특성을 연구할 목적으로 교류고전압 인가 시 압력(P), 전극간거리(d) 및 사용된 가스의 변화에 따른 절연파괴특성을 연구하였다. 본 연구를 통해 챔버 내의 P와 d가 증가할수록 $SF_6$, I-Air, Dry-Air 및 순수 $N_2$는 파센의 법칙에 일치하여 절연파괴특성이 비례 증가하는 것을 확인했다. 그리고 $N_2:O_2$혼합가스 중 특정 비율에서는 P에 대해선 비선형적으로, d에 대해선 선형적으로 증가함을 확인했다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.246-248
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• 2005

본 논문은 23kV 가스절연개폐기에서의 윤활제 고착시 발생되는 현상을 조사하였다. 내부 개폐접점부의 마찰저항을 줄이고 가동전극의 윤활한 동작을 위해 사용되는 그리스 (grease)를 과다하게 도포할 경우 고착과 함께 가동전극의 미끄럼운동에 영향을 주는 것이 확인되었다. 영향 평가로는 물성시험과 투 개방 음향특성을 분석하였다. 본 논문의 결과는 개폐장치의 제조품질 개선 및 정전감소에 기여할 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.296-296
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• 2012

LCD panel 검사를 위한 Probe unit은 대형 TV 및 모바일용 스마트폰을 중심으로 각광을 받고 있는 소모성 부품으로 최근 pitch의 미세패턴화가 급속히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Slit Wafer 제작 공정을 최적화하기 위해 25 um pitch의 마스크를 설계, 제작하였다. 단공과 장공을 staggered 형태로 배열하여 25 um/25 um line/space pitch로 설계하였다. 또한 단위실험을 위해 직접 25 um pitch로 설계하여, 동일한 실험조건을 적용하여 최적 조건을 찾고자 하였다. 반응변수는 Etch rate 및 profile angle로 결정하였으며, 약 200~400 um 에칭된 slit의 상단과 하단의 폭, 그리고 식각깊이를 SEM 측정사진을 통해 정한 후 etch rate 및 profile angle을 결정하였다. 인자는 식각속도 및 wall의 각도를 결정하는 식각 및 passivation 가스의 유량, chamber 압력(etching/passivation), 식각시간 등으로 정하였으며, 이들의 최대값과 최소값 2 수준으로 실험계획을 설계하였다. 식각 조건에 따라 8회의 실험을 수행하였다. 가스의 유량은 SF6 400 sccm, C4F8 400 sccm, 식각 싸이클 시간은 5.2~10.4 sec, passivation 싸이클시간 4 sec로 하였으며, 압력은 식각시 7.5 Pa, passivation 시 10 Pa로 할 경우가 가장 sharp하게 나타났다. Coil power 와 platen power는 각각 2.6 KW, 0.14 KW로 하였으며, 최적화를 위한 인자의 값들은 이 범위에서 조절하였다. 이러한 인자의 조건 조절을 통해 etch rate는 5.6 um/min~6.4 um/min, $88.9{\sim}89.1^{\circ}$의 profile angle을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.25 no.11
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• pp.1342-1349
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• 1988

The dependence of the etch rates of differently doped poly-Si films on the gas composition, the chamber pressure and the RF power was investigated in detail. The highest anisotropy and the lowest CD loss were achieved at the $SF_6$-rich compositions, i.e., $Cl_2:SF_6$=17:33 (SCCM), in the $POCl_3$-doped poly-Si. The etch rates increased for n-type dopant (phosphorus), while decreased for p-type (boron) with increasing the doping levels irrespective of plasma parameters. And from the results of the activation of doped poly-Si films the active carrier concentrations as well as the doping concentrations were found to be responsible for the increase of the etch rate of the phosphorus-doped poly-Si.

• The KIPS Transactions:PartA
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• v.16A no.6
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• pp.481-488
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• 2009

GIS is used to isolate large power electrical equipment using SF6 gas. While GIS has simple structure, it has few break down, relatively high reliability. But it is hard to check up faults for reason of pressure. Faults of GIS should have a ripple effect on community and be hard to recovery. Consequently, GIS imports a preventive diagnostic system to find internal faults in advance. It is most important that reliability on the GIS preventive diagnostic system, because it estimates abnormality of system by analysis result of collected data. But, exist system which used central data management is low efficiency, and hard to guarantee timeliness and accuracy of data. To guarantee timeliness and accuracy, the GIS preventive diagnostic system needs accordingly to use a real-time middleware. So, in this paper, to improve reliability of the GIS preventive diagnostic system, we use a middleware based on TMO for guaranteeing timeliness of real-time distributed computing. And we propose an improved GIS preventive diagnostic system applying data acquisition, monitoring and control methods based on the TMO model. The presented system uses the Communication Control Unit(CCU) for distributed data handling which is supported by TMO. CCU can improve performance of the GIS preventive diagnostic system by guaranteeing timeliness of data handling process and increasing reliability of data through the TMO middleware. And, it has designed to take full charge of overload on a data acquisition task had been processed in an exist server. So, it could reduce overload of the server and apply distribution environment from now. Therefore, the proposed system can improve performance and reliability of the GIS preventive diagnostic system and contribute to stable operation of GIS.