• 제목/요약/키워드: SB공간

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웹 공간의 확장 (Expansion of the Web Space)

  • 공헌택;고성범
    • 한국융합학회논문지
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    • 제2권3호
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    • pp.25-32
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    • 2011
  • 현재의 웹은 표준화된 통합 환경을 지원하지 않는다. 이로 인해 작업 규모가 클 경우 작업 효율을 떨어뜨리는 원인이 될 수 있다. 본 논문에서는 복수의 행위 주체들이 함께 일을 할 때 서로의 일처리 프로세스를 공유하는 것이 가능한 통합 공간(SB공간)을 제안한다. SB공간은 웹 사이트의 하나로 설치될 수 있으며, 웹 공간과의 효율적인 연계사용이 가능하다. 이는 사실상 웹 공간의 확장을 의미하는 바, 이를 통해 웹 공간의 생산성을 현저하게 개선할 수 있다. 본 논문에서는 구체적인 사례 연구를 통해서 이를 입증해 보인다.

팔라듐-안티몬-테루르 계(系)의 상평형(相平衡)과 지질학적(地質學的) 의의(意義) (Phase Equilibria of the System Pd-Sb-Te and Its Geological Implications)

  • 김원사
    • 자원환경지질
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    • 제26권3호
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    • pp.327-335
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    • 1993
  • 자연에는 팔라듐을 주성분으로 하는 백금족광물이 다수 산출되고 있다. 그 중 일부 광물은 독립된 광물로서 결정학적 광물학적 연구가 잘 되어 있는 반면 아직도 광물로서의 특성이 완전하게 규명되지 못한 경우도 상당수가 있다. 따라서 이 연구에서는 팔라듐-안타몬-테루르 성분계를 택해 이 3성분계에서의 상관계를 $1000^{\circ}C$, $800^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 연구하고 이들 연구결과를 천연광물을 보다 체계적으로 규명 보완하는데 적용시키는 것을 그 연구 목적을 두었다. 합성실험을 위해 순수한 원소물질을 정량적으로 혼합시킨 후 실리카 튜브에 넣고 진공상태에서 밀봉하였다. 전기 고온로에서 가열반응시킨 시료는 얼음물을 이용해 급냉시켰으며 반응물은 반사현미경, 전자현미분석, X선 회절법 등으로 분석하였다. $1000^{\circ}C$에서 안정한 고체로는 Pd, $Pd_{20}Sb_7$, $Pd_8Sb_3$, $Pd_{31}Sb_{12}$, $Pd_5Sb_2$가 있다. $800^{\circ}C$에서는 $Pd_5Sb_3$, PdSb, $Pd_8Te_3$, $Pd_7Te_3$, $Pd_{20}Tc_7-PdSb_7$ 완전고용체가 추가로 존재한다. $600^{\circ}C$에서는 $PdSb_2$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Sb_2Te_3$, Sb, 그 밖에 PdSb-PdTe와 PdTe-$PdTe_2$ 고용체가 다시 안정한 고체 화합물로 추가된다. 모든 고체 화합물이 Sb와 Te간의 원소치환에 의해 고용체를 이루고 있으며 그 고용한계의 범위는 생성온도에 따라 변한다. Pd-Sb화합물에서 안티몬(Sb)를 치환하는 테루르(Te) 최대 치환범위(at.%)는 $Pd_8Sb_3$에서 44.3, $Pd_{31}Sb_{12}$에서 52.0, $Pd_5Sb_2$에서 46.2이며 그 최대 치환현상은 $800^{\circ}C$에서 일어난다. $Pd_5Sb_3$$PdSb_2$에서의 최대 치환은 $600^{\circ}C$에서 일어나며 그 정도는 각각 15.3, 68.3이다. Pd-Te화합물에서 Te를 치환하는 Sb의 최대치(at.%)는 $Pd_8Te_3$$800^{\circ}C$에서 34.5, $Pd_7Te_3$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, $PdTe_2$$600^{\circ}C$에서 각각 41.6, 5.2, 19.1로 나타난다. $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Pd_8Sb_3$, PdSb, $Sb_2Te_3$는 각각 tellurantimony와 일치하며 광학적 결정구조적 성질이 매우 잘 일치한다. 지금까지 등축정계의 Pa3구조를 가지고 있는 것으로 알려진 $PdSb_2$화합물은 Gandolfi camera와 Guinier camera법에 의해 310으로 격자 지수화할 수 있는 $2.035{\AA}$ peak가 일정하게 기록이 되므로 $P2_13$공간군에 속하는 것으로 재평가 된다. Testibiopal1adite의 성분을 가지는 PdSbTe성분의 화합물을 합성하여 X선 회절분석을 실시하면 testibiopalladite의 X선 회절양상과 일치함을 알 수 있다. 이 사실은 testibiopalladite가 등축정계이며 동시에 $P2_13$공간군에 속하는 $PdSb_2-Pd(Sb_{0.32}Te_{0.68})$고용체의 일부분에 속하는 광물임을 알 수 있게 한다. 따라서 현재의 testibiopalladite의 이상화학식인 PdSbTe는 PdTe(Sb, Te)로 바뀌어져야 할 것으로 믿어진다. $Pd_3SbTe_4$로 표현되는 borovskite는 $1000^{\circ}{\sim}600^{\circ}C$의 온도범위에서는 존재하지 않음을 알 수 있다.

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$GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ 에피층의 규칙상의 원자 배열 (Atomic Arrangement of Ordered Phase in $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ Epilayer)

  • 임영언
    • 한국재료학회지
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    • 제3권6호
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    • pp.678-683
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    • 1993
  • MBE법으로 $580^{\circ}C$에서 성장한 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층의 원자 배열을 TEM을 이용하여 분석하였다. 1/2(111) 형의 장범위 규칙상이 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층에서 발견되었다. 이 규칙상의 원자 배열은 As의 농도가 높은 {111}As 면과 Sb의 농도가 높은 {l1l}Sb 면이 V족 소격자에 교대로 나열된 구조이며, 주기는 {111} 면간 거리의 2배이다. 이 구조는 R3m 의 공간군에 속하며, 단위포는 능면체정이다.

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SB발파에서 지발뇌관의 기폭초시오차가 암반파괴과정에 미치는 영향 (Influence of the Initiation Error of the Delay Detonator on the Rock Fracture Process in Smooth Blasting)

  • 조상호;양형식;금자승비고
    • 터널과지하공간
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    • 제14권2호
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    • pp.121-132
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    • 2004
  • SB 발파에서 지발뇌관의 기폭초시 오차가 암반파괴 과정에 미치는 영향을 고찰하기 위해 기하조건이 다른 발파모델에 순발뇌관, 전자뇌관 그리고 DS뇌관의 기폭초시 오차를 고려하여 SB 발파에서의 암석파괴과정 해석을 수행하였다. 또한 전자 및 DS지발뇌관을 사용한 SB발파의 발파효과와 영향인자를 고찰하기 위해서 해석결과를 통계적으로 분석하였다.

중심 가새 골조에 형성되는 연약층을 방지하기 위한 시스템의 내진 성능 평가 (Seismic Performance Evaluation of System to Protect the Occurrence of Weak-Story With Braced Frame)

  • 김다영;유정한
    • 한국공간구조학회논문집
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    • 제19권4호
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    • pp.45-52
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    • 2019
  • The purpose of the paper is to introduce a system that reduces the occurrence of weak-story in the event of earthquake. Weak-story concentrates deformation on the story and causes all member to collapse before the capacity of all member is reached. This paper introduces Strong-Back system (SB) to protect weak story. SB is a hybrid of zipper frame, tied eccentrically braced frame, and elastic truss system and it is divided into elastic and inelastic areas. Elastic areas prevent the generation of weak story by distributing energy, and inelastic areas dissipate energy through buckling or yielding. In this paper, the seismic performance is evaluated by comparing the four type braced frame with SB through push-over analysis. The four criteria are compared from the base shear, the ductility capacity, the column failure order, and the quantity of brace. As a result, SB proved to have sufficient performance to protect the weak-story.

SB발파에서 무장약 균열 유도공의 파단면 제어 유효성에 관한 수치해석적 연구 (Numerical Study on the Effectiveness of Guide Holes on the Fracture Plane Control in Smooth Blasting)

  • 김현수;김승곤;송영수;김광염;조상호
    • 터널과지하공간
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    • 제21권3호
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    • pp.235-243
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    • 2011
  • 본 연구에서는 SB발파에서 평활한 최종파단면과 발파손상영역을 제어하고, 동시에 발파진동을 제어하기 위한 목적으로 무장약 균열 유도공을 이용한 제어발파기법을 제안하였다. 무장약 균열유도공의 파단면 제어 유효성을 검토하기 위하여 일반 SB발파와 무장약 균열 유도공 적용한 SB발파에서 암반 내 발생하는 파괴과정을 수치해석법으로 모사하여 파단면을 분석하였다. 제발효과를 높이기 위하여 도폭선에 의한 기폭을 고려하였으며, 무장약 균열 유도공을 중심으로 양쪽에 장약공이 설치된 일자유면 발파로 가정하여 암반의 파괴과정해석을 수행하여 SB발파에서 무장약 균열 유도공에 의한 파단면 형성 기구를 고찰하였다. 결과적으로, 공간격이 40cm 이하에서 무장약 균열 유도공을 사용한 경우가 낮은 파단면 거칠기를 보여 파단면 제어 효과가 있음을 입증 하였다.

SB발파에서 파단면 제어의 고도화에 관한 연구 (Study on the Precise Controlling of Fracture Plane in Smooth Blasting Method)

  • 조상호;정윤영;김광염;가네꼬 카츠히꼬
    • 터널과지하공간
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    • 제19권4호
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    • pp.366-372
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    • 2009
  • 최근, 암반발파에서 평활한 파단면과 굴착손상영역을 제어하기 위한 목적으로 전자지발뇌관 및 노치장약공 등을 이용한 제어발파기술들이 개발되어 오고 있다. 본 연구에서는 날개형 노치 장약공을 이용한 SB발파에서 암반 내 파괴과정을 모사하여 파단면과 암반손상제어에 미치는 영향인자에 대하여 고찰하였다. 최종적으로 장약공 노치의 파단면 제어효과에 관한 수치해석적 고찰을 날개형 노치장약공과 전자뇌관을 이용한 새로운 SB발파법으로, ED-Notch SB발파법(Elerectronic Detonator Notched Charge Hole Smooth Blasting Method)을 제안하였다.

날드렛타이트와 합성 $Pd_2Sb$의 광물학적 비교연구 (Mineralogical Comparison of Naldrettite and Synthetic $Pd_2Sb$ phase)

  • 김원사
    • 한국광물학회지
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    • 제18권3호
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    • pp.147-153
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    • 2005
  • 최근 캐나다 퀘벡주 운가바 지역의 메사맥스 노스웨스트광상에서 발견된 신종광물인 날드렛타이트(naldrettite)의 광물학적 성질 중 이 광물의 이상화학성분이 $Pd_2Sb$인 것으로 발표되었다. 따라서 이 연구에서는 순수한 $Pd_2Sb$성분의 화합물을 합성한 후 천연 및 합성 물질간의 광학적 성질, 화학조성, 결정구조, 미경도 등의 자료를 비교하여 두 물질의 일치성 여부를 확인하고자 하였다. 합성 $Pd_2Sb$는 공기 및 오일 속에서 밝은 백색에 옅은 노란색이 곁들여 있는 것으로 관찰되며, 복반사가 미약하게 관찰된다. 이방성이 강하며, 회갈색으로부터 녹청색으로 변한다. 미경도 측정값은 $VHN_{100}=293(242-322)$이다. 화학성분은 Pd가 $63.7\~64.3wt.\%,\;Sb\;가\;36.4\~36.8\;wt.\%$로 매우 일정하다. 합성 $Pd_2Sb$의 결정구조는 사방정계의 공간군 $Cmc2_1$에 속하며, $510^{\circ}C$에서 합성한 물질의 경우 단위포 상수는 a=3.366(1), b=17.523(3), c=6.929(2) ${\AA}$이다. 이와 같은 합성 $Pd_2Sb$의 광물학적 자료는 날드렛타이트의 자료와 잘 일치하며, 이로부터 naldrettite가 합성 $Pd_2Sb$의 천연산 광물임을 알 수 있다.

SB4 등급 방현기능 콘크리트 방호울타리의 방호성능 평가 (Evaluation of the Protection Performance of SB4 Class Concrete Barrier with Anti-Glare Function)

  • 주봉철;홍기남;윤정현;이재하;김정호
    • 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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    • 제25권1호
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    • pp.93-102
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    • 2021
  • 본 논문은 방현기능을 갖는 SB4등급 중앙분리대용 콘크리트 방호울타리를 개발하는 과정을 설명한다. 개발 단면은 높이와 하면의 폭이 각각 1,270mm와 560mm이다. 단면 중앙에는 방호성능을 향상하기 위해 와이어 매쉬가 배치된다. 충돌해석은 이 단면이 강도 및 탑승자 보호 성능을 만족하며 울타리에 손상이 발생하지 않는 것으로 예측하였다. 실물 충돌시험에서도 이 단면은 강도 및 탑승자 보호 성능을 만족하는 것을 확인하였다. 그러나 트럭 충돌 시 콘크리트 방호울타리 2곳에 손상이 관찰되었다. 향후 콘크리트 중앙분리대용 방호 울타리 충돌해석의 정확성을 높이기 위해서는 국내 시판 차량에 대한 모델 개발과 지속적인 충돌해석 기법에 관한 연구가 수행되어야 할 것으로 판단된다.

The Study of $SiO_2$, $Si_3N_4$ passivation layers grown by PECVD for the indiumantimonide photodetector

  • 이재열;김정섭;양창재;박세훈;윤의준
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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    • pp.24.2-24.2
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    • 2009
  • Indium Antimonide(InSb)는 $3{\sim}5\;{\mu}m$대 적외선 감지영역에서 기존 HgCdTe(MCT)를 대체할 물질로 각광받고 있다. 1970년대부터군사적 용도로 미국, 이스라엘 등 일부 선진국에서 연구되기 시작했으며,이온주입, MOCVD, MBE 등 다양한 공정을 통해 제작되어 왔다. InSb 적외선 감지소자는 $3{\sim}5{\mu}m$대에서 HgCdTe와 성능은 대등한데 반해, 기판의 대면적화와 저렴한 가격, 우주공간 및 야전에서 소자 동작의안정성 등으로 InSb적외선 감지기는 냉각형 고성능 적외선 감지영역에서 HgCdTe를 대체해 가고 있다. 하지만 InSb는 77 K에서 0.225eV의 작은 밴드갭을 갖고 있기 때문에 누설전류로 인한 성능저하가 고질적인문제로 대두되었고, 이를 해결하기 위한 고품질 절연막 연구가 InSb적외선 수광 소자 연구의 주요이슈 중 하나가 되어왔다. 그 동안 PECVD, photo-CVD, anodic oxidation 등의 공정을 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$, 양극산화막(anodic oxide) 등 다양한 절연막에 대한 연구가 진행되었고[1,2], 절연막과 반도체 사이 계면에서의 열확산을 억제하여 계면트랩밀도를 최소화하기 위한 공정개발이 이루어졌다[3]. 하지만 InSb 적외선 감지기술은 국방 및 우주개발의 핵심기술중 하나로 그 기술의 이전이 엄격히 통제되고 있으며, 현재도 미국과 이스라엘, 일본, 영국 등 일부 선진국 만이 기술을 확보하고 있고, 국내의 경우 연구가 매우 취약한 실정이다. 따라서 본 연구에서는 InSb 적외선 감지기의 암전류를 제어하기 위한 낮은 계면트랩밀도를 갖는 절연막 증착 공정을 찾고자 하였다. 본 연구에서는 n형 (100) InSb 기판 ($n=0.2{\sim}0.85{\times}10^{15}cm^{-3}$ @ 77K)에 PECVD를 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$ 등을 증착하고 절연막으로서 이들의 특성을 비교 분석하였다. $SiO_2$는 160, 200, $240^{\circ}C$에서 $Si_3N_4$는 200, $300^{\circ}C$에서 증착하였다. Atomic Force Microscopy(AFM) 사진으로 확인한 결과, 모든 샘플에서표면거칠기가 ~2 nm의 평탄한 박막을 얻을 수 있었다. Capacitance-Voltage 측정(77K)을 통해 절연막 특성을 평가하였다. $SiO_2$$Si_3N_4$ 모두에서 온도가 증가할수록 벌크트랩밀도가 감소하는 경향을 볼 수 있었는데, 이는 고온에서 증착할 수록 박막 내의 결함이 감소했음을 의미한다. 반면계면트랩밀도는 온도가 증가함에 따라, 1011 eV-1cm-2 대에서 $10^{12}eV^{-1}cm^{-2}$ 대로 증가하였는데, 이는 고온에서 증착할 수 록 InSb 표면에서의 결함은 증가하였음을의미한다. 암전류에 큰 영향을 주는 것은 계면트랩밀도 이므로, $SiO_2$$Si_3N_4$ 모두 $200^{\circ}C$이하의 저온에서 증착시켜야 함을 확인할 수 있었다.

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