• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.423-426
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• 2002

Undoped-GaN thin film is deposited on Sapphire substrate by MOCVD. SAW velocity is measured with tile center frequency by HP8753C. Center frequency is 266.52 MHz and SAW velocity is 5330㎧ when wavelength was 20 Um. insertion loss, Q factor and side love attenuation is 41.265 dB, 257.41 and over 23 dB. k'i is calculated from tile measured data. k2'is from 1 % to 4 %. TCF is -61.817pp/m/$^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.151-154
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• 1999

ZnO thin films on glass substrate were deposited by RF magnetron reactive sputter with various argodoxygen gas ratios and substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, SEM, XPS and electrometer(keith1ey 617). All films showed a strong prefered orientation along the c-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry was obtained at Ar/$O_2$=50/50. The propagation velocity of ZnO SAW filter was about 2, 590 dsec and insertion loss was a minimum value of about -21dB.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.325-331
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• 2002

In this paper, surface acoustic wave(SAW) bandpass filters using slanted finger interdigital electrode transducers(IDTs) are investigated. The slanted finger IDTs are used to design SAW filters with good shape factor, a flat passband, and good out-of-band rejection characteristic. For the filter design, input-output IDT structure was simulated with modified impulse model; uniform-withdrawal weighting IDTs, withdrawal-withdrawal weighting IDTs. SAW filters of uniform-withdrawal weighting IDTs structure were designed and fabricated on $128^{\circ}LiNbO_3$ piezoelectric substrates. Implemented SAW filter has a fractional bandwidth of 30%, center frequency of 70MHz and shape factor of $1.12\pm0.01$.

• 한국표면공학회지
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• 제42권5호
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• pp.216-219
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• 2009

A surface acoustic wave (SAW) filter structure was fabricated employing $4{\mu}m$ thick nanocrystalline diamond (NCD) and $2.2{\mu}m$ thick ZnO films on Si wafer. The NCD film was deposited in an $Ar/CH_4$ gas mixture by microwave plasma chemical vapor deposition method. The ZnO film was formed over the NCD film in an RF magnetron sputter using ZnO target and $Ar/O_2$ gas. On the top of the two layers, copper film was deposited by the RF sputter and inter digital transducer (IDT) electrode pattern (line/space : $1.5/1.5{\mu}m$) was defined by the photolithography including a lift-off etching process. The fabricated SAW filter exhibited the center frequency of 1.66 GHz and the phase velocity of 9,960 m/s, which demonstrated that a giga Hertz SAW filter can be realized by utilizing the nanocrystalline diamond thin film.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.141-144
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• 2003

This study proposes ZnO thin film as a piezoelectric material for SAW (surface acoustic wave) filter. The ZnO thin film with thickness $2.6{\mu}m$ was deposited (0001)-oriented sapphire by RF magnetron sputtering technique. IDTs (inter-digital transducers) electrodes were patterned upon SAW filter mask with solid finger structure unapodized using lift-off method on ZnO piezoelectric thin film. SAW propagation velocity was measured with the center frequency by HP 8753C network analyzer. A fabricated ZnO SAW filter exhibited a high propagation velocity of 5433 $^m/s$ and relatively insertion loss of -53.391dB at $\lambda=80{\mu}m$. The side-lobe attenuation of the center frequency was about 17dB. When the wavelength was $80{\mu}m$ $(\lambda/4=20{\mu}m)$, the center frequency was 67.907 MHz. $k^2$ (electromechanical coupling coefficient) was 15.84 %.

• 대한전기학회논문지
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• 제41권5호
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• pp.502-507
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• 1992

To improve temperature stability, 0.05Pb(SnS11/2TSbS11/2T)OS13T-0.35PbTiOS13T-0.60PbZrOS13T+0.4[wt%]MnO S12T piezoelectic ceramics were manufactured with the addition of CrS12TOS13T by Hot Press method. And the SAW delay line was fabricated and effects of CrS12TOS13T to the propagation characteristics of SAW was investigated, and the SAW filter was fabricated on C4 specimen added by 0.2[wt%] CrS12TOS13T whose propagation characteriatics of surface acoustic wave were the bast and its frequency characteristics was investigated. Electromechancal coupling factor(kS1sTS02T) was 3.11[%] and its temperature coefficient of the center frequency(CS1foT)was -21.27[ppm/$^{\circ}C$] in C4. The 31[MHz]]SAW IF filter of C4 scarcely had diffraction phenomena and therefore it was proper.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구에서는 900MHz대역 수신기용으로 선행 개발되어진 RF 칩세트를 장착한 RF 특성평가 보드를 개발하였으며, 환경평가시험을 수행하였다. 선행 개발되어진 RF-IC 칩에는 저잡음증폭기, 하향변조 주파수혼합기, AGC Amp, SW-CAP 필터 등을 포함하고 있으며, 이에 따른 정합회로와 RF/IF SAW 필터, 듀플렉서 필터 및 전원공급회로를 RF 특성평가보드에 첨가하여 제작하였다. 공급전원은 2.7에서 3.6V이며, RF 보드의 소모전류는 42mA로 나타났으며, 동작 주파수는 RF 입력이 925~960MHz으로 제작, 측정되었다. 측정결과 일반적인 900MHz용 디지털 이동통신단말기의 RF 수신특성과 유사하게 양호한 결과를 보였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.299-306
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• 2016

본 논문에서는 공진기와 인체와의 거리에 따른 근접 전자기장 변화에 의한 공진기 임피던스의 변화를 토대로 사람의 호흡 및 심박신호를 검출할 수 있는 센서를 제안한다. 제안된 생체신호 측정센서는 패치형 공진기가 결합된 발진기, 발진주파수의 2채배 주파수만 통과시키기 위한 다이플렉서, 증폭기, SAW 필터 및 RF 검출기로 구성되어 있다. 호흡과 심박신호와 같은 인체의 주기적인 움직임은 근접 전자기장 영역 안에서 공진기의 임피던스 변화를 야기하며, 발진기의 주파수를 변화시킨다. 감도를 향상시키기 위해 발진주파수의 2채배 주파수 천이를 SAW 필터의 저지대역에 위치시킴으로써, 제안된 센서의 검출 거리를 2배로 확장시킬 수 있다. 제안된 센서의 측정결과, 최대 40 mm까지 호흡 및 심박신호가 안정적으로 측정되는 것을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.1916-1923
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• 2007

대역통과용 표면 탄성파 필터 제작하기 위하여 Langasite 기판위에 빗살무의 변환기를 형성 시켜 모의실험을 수행하였으며, 전극재료로는 Al-Cu를 사용하였다. 모의실험을 바탕으로 입력단에는 IDT를 직렬형태로 연결시킨 block 형태로 하중을 가하는 전극 방법을 쓰고 출력 단은 withdrawal 형태로 하중을 가하는 방법을 써서 제작하였다. 이를 바탕으로 광대역의 SAW 필터 전극 설계 방식에 대한 적절한 위상조건도 얻고자 시도하였다. Langasite 기판위에 형성시킨 입출력 빗살무의 변환기 전극 수는 50쌍, 두께는 $5000\;{\AA}$으로 하였으며, 반사기 폭은 $3.6{\mu}m$으로 하였다. 그리고 hot전극과 반사기사이의 거리는 각각 $2.0{\mu}m\;2.4{\mu}m$로 제작하였고, hot전극에서부터 접지전극까지 간격은 $1.5{\mu}m$로 하였으며 전극 모양은 좌우 동일한 형상을 채택하였다. 제작한 필터의 주파수 특성은 중심주파수가 대략 190MHz정도, 대역폭은 7.8MHz 이하로 측정되었으며, matching 후 return-loss는 -18dB 이하이고, 리플 특성은 3dB 이하이며, 반사에 의한 잔향은 -25dB 이하로 측정되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.1219-1227
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• 2014

펄스 레이저 증착(Pulsed laser Deposition: PLD) 및 RF 스퍼터링 증착(Sputtering Deposition)의 단계적 적용을 통해, 표면탄성파 대역 통과 필터(Surface Acoustic Wave Bandpass Filter: SAW-BPF)용 ZnO 박막을 성장시켰다. PLD 방법으로 성장된 ZnO 박막위에 RF sputtering 방법을 사용하여 ZnO 박막을 재증착시켰으며, 성장된 ZnO 박막의 물성을 분석하기 위하여 XRD, SEM 및 AFM 분석장비를 사용하였다. 두 가지 증착 방법이 단계적으로 적용되어 성장된 ZnO 박막의 경우, 결정성과 배향성이 우수하게 유지되면서 표면거칠기가 향상되었다. 분석 결과, ${\omega}$-scan의 반치폭과 표면거칠기의 RMS 값은 각각 $0.79^{\circ}$와 1.108 nm였다. 그리고 성장된 양질의 ZnO 박막을 사용하여 SAW-BPF를 제작하여 측정한 결과는 응답 특성의 중심주파수가 260.8 MHz, 대역폭은 2.98 MHz, 그리고 삽입손실은 36.5 dB이었다.