• 제목/요약/키워드: S. Okuyama

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한반도 북부 채집을 시도한 외국인 6명과 지명 정리: Imai, Mills, Furumi, Nomura, Saito, Okuyama (A bibliography of six foreign plant collectors (Imai, Mills, Furumi, Nomura, Saito, and Okuyama) in North Korea)

  • 장진성;김혜원;김휘
    • 식물분류학회지
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    • 제46권1호
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    • pp.65-82
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    • 2016
  • 서울대학교 수우표본관에서 완성한 KPF(Korean Peninsula Flora Database) 데이터베이스에서는 1850년부터 1945년까지 한반도에서 채집된 65,000개의 관속식물의 기록물을 관리하고 있다. 이 중 북한에서 채집된 기록은 33,000개인데 이 중 13%에 해당되는 4,287개가 1909년부터 1942년에 걸쳐 5명의 일본인(노무라, 오쿠야마, 후루미, 이마이, 사이토)과 1명의 미국인(밀즈)에 의해 채집되었다. 코마로프(Komarov, V.L), 나카이(Nakai, T) 이후 3번째로 많은 북한에서 채집된 표본이다. 이런 채집과 관련된 보고서는 지명사전으로 기존에 일부 발표하였지만, 본 논문에서는 보다 더 자세한 일정과 채집물에 대해 기록하였다. 사이토가 가장 많은 1,730개 표본을 채집하였고 밀즈, 노무라, 오쿠야마, 후루미, 이마이 순서로 1,067, 532, 510, 368, 370개의 표본을 채집하였다.

Monitoring of artificial infiltration using electrical resistivity method

  • Nakazato Hiroomi;Kuroda Seiichiro;Okuyama Takehiko;Takeuchi Mutsuo;Park Mikyung;Kim Hee Joon
    • 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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    • 한국지구물리탐사학회 2003년도 Proceedings of the international symposium on the fusion technology
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    • pp.362-369
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    • 2003
  • A infiltration experiment of river water has been conducted to evaluate the applicability of electrical resistivity monitoring methods in an area containing gravelly deposits in Nagaoka, Japan. Apparent resistivity data, which are inverted to obtain the resistivity distribution, are measured with a newly developed system. This system can collect 490 data in an hour and be controlled with PC to store the data. Subsurface resistivity sections, which are obtained from two-dimensional nonlinear inversion of time-lapse apparent resistivity data, enable us to estimate the direction of the flow and the rate of infiltration. The infiltration rate is estimated to be $4.4{\times}10^4m/s$ in the early stage of the experiment when the infiltration process is dominant.

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포도 주요 품종간 노균병 저항성 검정 (Downy Mildew Resistance of Grape Cultivars (Vitis spp.) under Greenhouse and Field Condition)

  • 윤해근;박교선;노정호;정상복;김휘천
    • 원예과학기술지
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    • 제19권1호
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    • pp.54-59
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    • 2001
  • 포도 노균병 저항성 품종육성에 필요한 포도 품종간 저항성 검정체계를 확립하고 품종간의 저항성을 비교하고자 본 시험을 수행하였다. 포도 노균병에 대한 품종간 저항성 검정에는 $10^4-10^5spores/mL$의 포자현탁액을 분무접종하여도 큰 차이는 없었으나 $5{\times}10^4spores/mL$로 조절된 포자현탁액을 분무접종하는 것이 효과적이었다. 포도 노균병균을 온실에서 분무접종한 결과 Campbell Early, Niagara 등의 품종은 저항성, Sheridan, 청수(淸水) 등의 품종은 중도저항성, Kaiji, Red Queen, Ruby Okuyama 등의 품종은 감수성을 나타내었다. 포장에서의 저항성은 V. vinifera에 속하는 포도 품종이 V. vinifera-labrusca hybrids, V. vinifera-labrusca-aestivalis hybrids, V. vinifera-labrusca-aestivalis에 V. riparia, V. rupestris, V. lincecumii 등이 단독 또는 복합적으로 추가된 hybrids에 비해 감수성이었으며, 특히 V. vinifera-labrusca hybrid에서는 4배체 품종이 2배체 품종에 비해 감수성이었다. 온실 내에서 병원균 포자의 분무접종을 통한 품종간 저항성 검정 결과와 포장상태에서의 저항성 결과는 유사한 경향을 나타내었으므로 온실 내에서의 저항성 검정방법이 포도 노균병 저항성 검정에 이용될 수 있을 것이다.

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Basic characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a high-k PrOx insulator layer

  • Noda, Minoru;Kodama, Kazushi;Kitai, Satoshi;Takahashi, Mitsue;Kanashima, Takeshi;Okuyama, Masanori
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제16권9호
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    • pp.64.1-64
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    • 2003
  • A metal-ferroelectric [SrBi$_2$Ta$_2$O$\_$9/ (SBT)-high-k-insulator(PrOx)-semiconductor(Si) structure has been fabricated and evaluated as a key part of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor-field-effect-transistor MFIS-FET memory, aiming to improve the memory retention characteristics by increasing the dielectric constant in the insulator layer and suppressing the depolarization field in the SBT layer. A 20-nm PrOx film grown on Si(100) showed both a high of about 12 and a low leakage current density of less than 1${\times}$ 10e-8 A/$\textrm{cm}^2$ at 105 MV/cm. A 400-nm SBT film prepared on PrOx/Si shows a preferentially oriented (105) crystalline structure, grain size of about 130 nm and subface roughness of 3.2 nm. A capacitance-voltage hysteresis is confirmed on the Pt/SBT/PrOx/Si diode with a memory window of 0.3V at a sweep voltage width of 12 V. The memory retention time was about 1 104s, comparable to the conventional Pt/SBT/SiO$\_$x/N$\_$y/(SiO$\_$N/)/Si. The gradual change of the capacitance indicates that some memory degradation mechanism is different from that in the Pt/SBT/SiON/Si structure.

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