본 논문에서는 RED 파라미터를 조정하여 차등화 서비스의 서비스 품질 관리의 성능을 고찰한다. 차등화 서비스는 CIR 혹은 PIR 같은 QoS 파라미터를 이용하여 특정 트래픽의 패킷들을 구분한다. 구분된 패킷을 표시하기 위해 코드 포인트가 사용되며 각각의 가상 큐에 입력된다. 코드 포인트에 따라서 각 가상 큐에는 다른 RED 파라미터 값들이 적용된다. 코드 포인트 값이 커질수록 엄격한 RED 파라미터 값들이 할당된다. RED 파라미터를 조정하여 서비스 품질을 관리 할 수 있음을 보이기 위해 본 논문은 간단한 2 색 표식을 갖는 타임 슬라이딩 윈도우의 정책 모델을 사용하였다. NS-2를 이용한 실험 결과, RED 파라미터를 조정하여 차등화 서비스의 서비스 품질이 효과적으로 관리됨을 확인하였다.
본 논문은 음성신호를 이용해 성대의 질환이 있는 환자를 진단하고 병명을 판별하게끔 유도하는 자동 진단 시스템을 개발하기 위한 연구의 일부로, 그중 ARS를 이용하여 환자의 음성을 수집, 분석, 식별의 실험에 대한 연구이다. 본 연구 팀에서는 이미 CSL을 이용한 장애음성 데이터의 수집과 식별에 관한 연구 결과를 발표한바 있다. 하지만 선행연구에서는 방음실에서 디지털 녹음기를 이용하여 수집한 음성을 사용했기 때문에, ARS를 통하여 녹음한 음성과는 샘플링 주파수나 대역폭, 잡음성분등의 데이터의 특성이 상당한 차이가 있다. 이러한 이유로 ARS를 통하여 녹음한 음성에 보다 적합한 파라미터 분석프로그램을 작성하여 파라미터를 구하였다. 이 파라미터들은 Kay사의 MDVP를 기초로하여 작성하였고, 대부분 80%정도의 신뢰성을 가졌다. 수집한 음성의 식별은 정상음성과 양성음성의 두가지 경우로 분리하였다. 식별기법으로는 신경망을 이용하였고, 식별파라미터는 구한 파라미터중 6개의 파라미터를 선별하여 식별한 결과 약 90%정도의 식별율을 가졌다.
본 고에서는 전화망에서 발생되는 여러 전송 장애 요인들이 팩시밀리 통신에서 화상에 어떤 영향을 주는지 각 파라미터에 대하여 측정하였다. 이 연구에서 선정된 주요 파라미터는 최근의 측정 결과를 바탕으로 하였다. 이러한 파라미터들은 전송 선로의 특성에 따른 감쇠 왜곡, 군지연 왜곡 등과 그 외에 임펄스성 잡음, 위상지연, 위상 히트 등이다. 이 파라미터들은 모두 팩시밀리 화상 품질에 영향을 주고 있으므로 일정 수준의 팩시밀리 품질을 유지하기 위해서는 영향을 주는 파라미터를 관리하여야 한다.
추가적인 DC 측정이나 반복 계산법 또는 최적화 방법에 의존하지 않고도, 정상적인 바이어스(Normal activebias) 조건에서 측정하 S-파라미터로부터 MESFET과 HEMT의 외부 기생 저항을 간단히 구할 수 있는 방법이 제시되었다. 이를 위해서 zero 바이어스 조건에서 측정한 Z-파라미터로부터 Rs와 Rd의 차이를 구할수 있다는 사실이 이용된다. 측정한 S-파라미터로부터 외부 기생 인덕터와 캐패시터의 효과를 제거하면, 내부 소자와 외부 기생 저항을 포함한 새로운 소자를 정의할 수 있다. 내부 소자의 Y-파라미터인 Yint,11과 Yint,12의 실수부 값이 이론적으로 0이라는 사실을 이용하여 S-, Y-, Z-파라미터 행렬간의 상화관계를 이용하여 기생 저항 값을 쉽게계산할수 있다. 제시된 방법으로 기생 저항들을 구하고, 이 결과를 이용하여 내부 소자 등가회로를 구한 후에 40GHz까지 S-파라미터를 계산한 결과, 측정된 S-파라미터와 잘 일치하였다.
CMOS 소자의 높은 주파수 특성의 증가로 인하여 높은 주파수 범위에서의 RF와 아날로그 회로 설계가 가능하게 되었다. RF와 아날로그 회로 설계는 실수와 허수의 쌓인 S-파라미터의 특성 분석으로 가능하다. 높은 성능을 활용한 CMOS 기술들은 신뢰도와 밀접한 관계가 있으며, 소자의 열화로 인한 S-파라미터의 변화가 소신호 모델 파라미터들에 미치는 영향을 정확하게 분석하는데 매우 중요하다. S-파라미터의 열화로 인한 다양한 물리적인 현상들 특히 트랜스컨덕턴스와 게이트 커패시턴스의 성능 저하를 자세히 분석하였다. 측정에 사용된 H-gate와 T-gate 소자의 S-파라미터를 0.5GHz에서 40GHz 주파수 범위에서 측정하였으며, 소자의 모든 내부와 외부 파라미터들은 포화영역인 하나의 전압 조건에서 추출하였다. 이 논문은 게이트 구조가 다른 소자에 스트레스를 인가하여 소신호 등가 모델을 추출하였으며, 파라미터들의 변화를 비교 분석한 것이다.
본 논문에서는 클러스터링과 뉴로-퍼지 모델링을 동시에 실시하는 학습 기법을 제안하였다. 클러스터링을 이용하여 뉴로-퍼지 모델링을 실시하는 일반적인 경우, 클러스터링 학습을 실시한 후 학습된 파라미터를 뉴로-퍼지 모델의 초기 파라미터로 설정하고 모델을 다시 학습하는 방법을 취한다. 즉 클러스터링에서 클러스터의 수를 구하고 파라미터를 최적화함으로써 초기 구조동정과 파라미터 동정을 실시하며 이를 다시 뉴로-퍼지 모델에서 세부적인 파라미터 동정을 실시하는 것이다. 또한 모델에서의 학습은 출력데이터의 오차를 이용한 오차미분기반 학습으로 전제부 소속함수 파라미터를 수정하는 방법을 이용한다. 이 경우 클러스터링의 영향과 모델의 영향이 각각 별개로 고려될 수 있다. 따라서 본 논문에서는 클러스터링을 전제부 소속함수로 부여하고 클러스터링의 학습에 뉴로-퍼지 모델을 이용하면서 또한 모델의 학습에 클러스터링을 직접 적용하는 클러스터링 기반 뉴로-퍼지 모델링을 제안하였으며 이 경우 클러스터링의 학습과 모델의 학습이 동시에 이루어지며 뉴로-퍼지 모델에서 클러스터링의 효과를 직접적으로 확인할 수 있다. 제안된 방법의 유용성을 시뮬레이션을 통하여 보이고자 한다.
PCI Express는 고속 차동신호를 사용한 점대점(point-to-point) 프로토콜로 신호무결성(signal-integrity) 측정을 위해 기존의 병렬버스신호와 다른 파라미터(parameter)들이 사용되고 있다. PCI Express 시스템에서 중요한 전기 파라미터는 loss와 jitter이며 eye diagram을 통해서 분석이 가능하다. 본 고는 PCI Express 송수신 버퍼의 전기 규격과 애드인카드(add-in card) 시스템의 전기적 여유(budgets)의 의미와 분석을 다룬다. 또한 실제적인 PCI Express 시스템에서 전기 파라미터들을 측정하고 분석, 디버깅의 방법을 다룬다.
다이오드의 소신호 및 대신호 파라미터 추출은 DC 해석, 외부 기생 소자 추출, 마지막으로 5-파라미터에 의한 내부소자 추출로 이루어진다. DC IV-곡선과 S-파라미터의 curve-fitting으로 내부 파라미터를 구하였고 외부 기생소자는 바이어스에 따라 변하지 성질을 이용하였다. 사용된 소자는 Schottky diode는 SIEMENS사의 BAS125를, Varactor diode는 SONY사의 1t362를, PIN diode는 Hitachi사의 HVM14S를 모델로 사용하였다. 실측을 위해 사용된 소자는 각각 HP사의 HSMS-2822, SONY사의 1t362, HP사의 HSMP-3834을 이용하여 측정하였다.
95년 발사 예정인 무궁화위성의 궤도전이에 필요한 조정 파라미터를 계산하기 위해 원지점 모터 점화 계획 S/W를 만들어서 결과에 대해 분석해 보았다. S/W는 Mission analysis mode와 Insert mode로 구성되는데, Mission analysis mode에서는 표류궤도를 얻기 위한 점화 파라미터를 구하는 것이고, Insert mode에서는 점화 파라미터를 이용해 표류궤도를 구하는 것이다.
본 논문에서는 10-dB 감쇠기 및 상용 패키지 된 MMIC 능동소자를 이용하여 구성된 증폭기, 2가지의 온-웨이퍼(on-wafer)형 DUT(Device-Under Test)를 구성하고, 이들의 잡음파라미터를 8-port 회로망을 이용하여 추출하는 방법을 제시하였다. 제작된 10-dB 감쇠기의 경우 수동소자이기 때문에, 이것의 S-파라미터를 측정하여 얻을 경우, 이것의 잡음파라미터를 알 수 있고, 또한 증폭기의 경우 이것의 잡음파라미터가 datasheet에 있다. 따라서 제안한 방법을 이용한 잡음파라미터 측정 결과에 대한 평가를 용이하게 할 수 있다. 기존 저자들에 의하여 발표된 6-포트회로망을 확장한 8-포트회로망을 이용한 잡음파라미터 측정은 사용된 8-포트회로망의 S-파라미터를 필요로 하는데, 동축형 DUT에 국한된다. 온-웨이퍼 프로브가 8-포트회로망에 삽입될 경우, 8-포트회로망의 S-파라미터 측정은 이종 형태의 커넥터를 갖는 8-포트회로망이 된다. 본 논문에서는 회로망 분석기(Network analyzer)의 Smart-cal 기능을 이용하여 8-포트회로망의 S-파라미터를 추출하였다. 측정된 잡음파라미터는 최소잡음지수, $NF_{min}$ 경우, 예상된 결과에 대하여 약 ${\pm}0.2dB$의 오차를 보인다. 다른 잡음파라미터는 주파수에 따라 예상된 결과와 근접하게 일치하는 결과를 보여주고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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