This study was carried out to get phosphorus uptake rate in aerobic condition with nitrate and nitrite. Nitrate and nitrite inhibited phosphorus accumulating organisms' (PAOs') luxury uptake in aerobic condition. Nitrite awfully decreased the phosphorus uptake rate in aerobic condition. At the influent of 10 mg ${NO_3}^-$-NL, the phosphorus uptake was decreased to 52% comparing that at no influent of nitrate. And at the influent of 10 mg ${NO_2}^-$-NL, the phosphorus uptake was decreased to 28% comparing that at no influent of nitrite. At the influent of 20 mg ${NO_3}^-$-NL, nitrite and nitrate were co-existed and the phosphorus uptake rate was decreased to 16% comparing that at no influent of nitrite and nitrate. Also, the denitrification was occurred by denitrifying glycogen accumulating organisms (DGAOs)/denitrifying phosphorus accumulating organisms (OPAOs) in spite of aerobic condition, and the phosphorus uptake rate was increased by the decrease of influent nitrate concentration at the aerobic condition. The inflection point in the phosphorus uptake rate was shown at the nitrite concentration of 1.5~2 mg/L.
The rate constants for the hydrolysis of the derivatives of N-(p-nitrophenyl)-benzohydrazonyl azide (p-$CH_3,\;p-CH_3O,\;p-NO_2$, p-Cl, p-Br) have been determined by UV spectrophotometry in 50% dioxane-water at $25^{\cicr}C$ and a rate equation which can be applied over wide pH range was obtained. Below pH 5, the rate of hydrolysis of hydrazonyl azides is accelerated by electron-donating group ($\rho$ = -0.47), whereas at the pH values greater than 7, the $\rho$-value is 0.68. The effect of salt, solvent, substituent and azide ion on the rate of hydrolysis are rationalized in terms of $S_N1$ and $S_N2$ mechanism; below pH 5, the hydrolysis proceed through $S_N1$, however, above pH 7, the hydrolysis is started by the attack of hydroxide ion and in the range of pH 5∼7, these two reactions occur competitively.
N2O is hazardous atmosphere pollution matter which can damage the ozone layer and cause green house effect. There are many other nitrogen oxide emission control but N2O has no its particular method. Preventing further environmental pollution and global warming, it is essential to control N2O emission from industrial machines. In this study, the thermal decomposition experiment of N2O gas mixture is conducted by using cylindrical reactor to figure out N2O reduction and NO formation. And CHEMKIN calculation is conducted to figure out reaction rate and mechanism. Residence time of the N2O gas in the reactor is set as experimental variable to imitate real SNCR system. As a result, most of the nitrogen components are converted into N2. Reaction rate of the N2O gas decreases with N2O emitted concentration. At 800℃ and 900℃, N2O reduction variance and NO concentration are increased with residence time and temperature. However, at 1000℃, N2O reduction variance and NO concentration are deceased in 40s due to forward reaction rate diminished and reverse reaction rate appeared.
Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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2005.11a
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pp.611-615
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2005
Having been multimedia services in BcN network, QoS is best important factor. This paper classify existing services and newly to be offered services, analyze quality criterion and measurement method for QoS guarantee in BcN, This paper investigate end-to-end quality criterion, classify measurement method existing and newly to be offered services, search quality criterion, introduce measurement method such as call success rate, packet loss rate, one-way delay, jitter and R-value for end-to-end quality measurement.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.15
no.8
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pp.5363-5368
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2014
This study examined contribution rate on the Soyangho Lake watershed based on the flow regime, and seasonal change was evaluated by calculating the delivery pollution load of the drainage area of Soyangho Lake watershed. According to the contribution rate of the drainage area by the flow regime change, Inbukcheon Creek watershed's SS and T-P entry have recorded abnormal Six month flow and a contribution rate of 46% and 51% during the Low-water flow period. At the same time, the T-P recorded a 49.5% contribution rate and a contribution rate of 48.5% during the Low-water flow period. In sequence, Inbukcheon creek's SS entry recorded a comparatively higher contribution rate than the other drainage area, which are 39.6% and 44.3% during the entire season and 53.8% for T-P, as a result of observing the contribution rate based on the seasonal changes. The T-N at the Naerincheon Creek watershed for the entire season recorded a contribution rate between 39.6% and 44.3%. Overall, Inbukcheon Creek watershed's SS and T-P entry and Naerincheon creek's T-N had a high contribution rate on contaminant spill.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2006.05a
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pp.135-138
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2006
OLEDs are attractive because of possible application in display with low operating voltage, low power consumption, self-emission and capability of multicolor emission by the selection of emissive material. We investigated the effects of deposition rate on the electrical characteristics, physical characteristics and optical characteristics of OLEDs in the ITO(indium-tin-oxide)/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al device. We measured current density, luminous flux and luminance characteristics of devices with varying deposition rates of TPD and $Alq_3$. It has been found that optimal deposition rate of TPD and $Alq_3$ were respectively $1.5{\AA}/s$ from the device structure. An AFM measurement results, surface roughness of the deposited film was the lowest when deposition rate was $1.5{\AA}/s$.
Ab initio calculations were carried out on the gas phase acid-catalyzed hydrolysis reactions of sulfinamide using the 3-21G* basis sets. Single point calculations were also performed at the MP2/6-31G* level. The first step in the acid-catalyzed hydrolysis of N-methylmethanesulfinamide, Ⅰ, involves protonation. The most favorable form is the O-protonated one, Ⅱ, which is then transformed into a sulfurane intermediate, Ⅲ, by addition of a water molecule. The reaction proceeds further by an intramolecular proton transfer from O to N (TS2), which is followed by N-S bond cleavage (TS3) leading to the final products. The rate determining step is the N-S bond cleavage (TS3) at the RHF/3-21G* level, whereas it becomes indeterminable at the MP2/6-31G*//3-21G* level of theory. However, the substituent effect studies with N-protonated N-arylmethanesulfinamide, ⅩⅢ, at the MP2/6-31G*//3-21G* level support the N-S bond breaking step as rate limiting.
In this investigation, the electrochemical characteristics of superaustenitic and general austenitic stainless steels were compared by conducting potentiodynamic polarization experiment with varying temperatures in natural seawater solution. From the result of the potentiodynamic polarization experiment, the corrosion rate of UNS S31603 was found to be 17 times faster than that of UNS N08367 under the most severe corrosion conditions. The relationship between the corrosion rate by maximum damage depth and the corrosion rate by the corrosion current density was expressed as α value for each stainless steel. The α value of UNS S31603 under all temperature conditions was higher than that of UNS N08367 under similar conditions. This means that UNS S31603 is more prone to localized corrosion than UNS N08367. UNS S31603 expressed pitting type damages under all temperature conditions as shown by SEM analysis results. The pitting damage rapidly grew at the relatively poor grain boundaries. Damage on UNS N08367 was not clearly represented at 30 ℃ and 60 ℃, and slight intergranular corrosion damage was observed on the entire surface at 90 ℃.
We investigated the CVPE grown of GaN thin films on (0001) sapphire using the $GaCl_3$ and $NH_3$ as source gases. The growth temperatures are ranged 970 to $1040^{\circ}C$ with the various flow rate ratio of source gases. The nitridation treatment was performed using the $NH_3$ gas before the GaN deposition. The optimal growth conditions were determined to be; growth temperature of $1040^{\circ}C$, III/V flow rate ratio of 2, nitridation time of 3 min. The FWHM at the (0002) peak from the XRD analysis was shown to be 0.32 deg. for the sample grown under those conditions. The growth rate was about $40{\mu}m/hr$ at $1040^{\circ}C$.
Kim, Weon-Jong;Shin, Hyun-Teak;Shin, Jong-Yeol;Hong, Jin-Woong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.1
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pp.74-80
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2009
In the structure of ITO/N,N'-diphenyl-N,N' bis (3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris (8-hydroxyquinoline)aluminum($Alq_3$)/Al device, we studied the efficiency improvement of organic light-emitting diodes due to variation of deposition rate of hole transport layer (TPD) materials using hole-size of crucible boat. The thickness of TPD and $Alq_3$ was manufactured 40 nm, 60 nm, respectively under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ Torr using a thermal evaporation. The $Alq_3$ used for an electron-transport and emissive layer were evaporated to be at a deposition rate of $2.5\;{\AA}/s$. When the deposition rate of TPD increased from 1.5 to $3.0\;{\AA}/s$, we studied the efficiency improvement of TPD using the hole-size of crucible is 1.0 mm. When the deposition rate of TPD is $2.5\;{\AA}/s$, we found that the average roughness is rather smoother, the luminous efficiency the external quantum efficiency is superior to the others. Compared to the two from the devices made with the deposition rate of TPD is $2.0\;{\AA}/s$ and $3.0\;{\AA}/s$, the external quantum efficiency was improved by four-times and two-times, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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