A numerical analysis has been conducted to investigate a modified floating-zone crystal growth process in which most of the melt surface is covered with a heated ring. The crystal rod is not only pulled downward but rotated around its axisymmetric line during crystal growth process in order to produce the flat interface of crystal growth and the single crystal growth of NaNO3 is considered in 6mm diameter. The present study is made from a full-equation-based analysis considering a pulling velocity in all of solid and liquid domains and both of solid-liquid interfaces are tracked simultaneously with a governing equation in each domain. Numerical results are mainly presented for the comparison of the surface shape of rotational crystal rod with that of no-rotational crystal rod and the effects of revolution speeds of the crystal rod. Results show that the rotation of crystal rod produces more its flat surface. In addition, the shape of crystal growth near the centerline is more concaved with the increase in the revolution speed of crystal rod. The flow pattern and temperature distribution is analyzed and presented in each case. As the pulling velocity of crystal rod is increasing, the free surface of the melt below the heated ring is enlarged due to the crystal interface migrating downward.
The effect of Ligand Binding energy in quantum rod (CdS/ZnS) plays a critical role in anisotropic growth. As mimicking large chain of ligands and using the head of the chain, I plan to bind the quantum rod and ligands so that it can grow well consequently. So the ultimate goal of this study is on how ligand binding can affect the growth of this quantum rod. There are preferred surfaces between the quantum rod and ligands, and we empirically know that ligands which bind the quantum rod; Phosphoric oxide (PO), Phosphoric acid(PA), Carboxylic acid(CA), Trimethylamine(TMA), have strong tendency to be attached on the surfaces of CdS/ZnS; ($11{\bar{2}}0$), ($10{\bar{1}}0$), ($000{\bar{1}}$), (0001). I virtually bond the surface and the ligands, and calculated the ligand binding energy after optimizing their structure, utilizing EDISON simulator. After all, I figured out how they are linked each other and how the quantum rod grows.
Fabrication of micro carbon structures and patterns using laser-assisted chemical vapor deposition is studied. Argon ion laser and ethylene were used to grow micro carbon rod through pyrolytic decomposition of the reaction gas. The influence of reaction gas pressure and incident laser power on the diameter and growth rate of the micro carbon rod was experimentally investigated. The diameter of micro carbon rods increases linearly with respect to the laser power but is almost independent of the reaction gas pressure. Growth rate of the rod changes little with gas pressure when the laser power remains below 1W. When the carbon rod was grown at near threshold laser power, a very smooth surface is obtained on the rod. By continuously moving the focusing lens in the direction of growth, a micro carbon rod with a diameter of 28 ${\mu}{\textrm}{m}$ and aspect ratio of 100 was fabricated.
Growth characteristics of micro carbon structures fabricated by laser-assisted chemical vapor deposition are studied. Argon ion laser and ethylene were used as the energy source and reaction gas, respectively, to grow micro carbon rod through pyrolytic decomposition of the reaction gas. Experiments were performed at various conditions to investigate the influence of process parameters on growth characteristics such as the diameter or growth rate of the micro carbon rod with respect to reaction gas pressure and incident laser power. Reaction gas pressure in experiments ranges from 200 to 600Torr and the incident laser power from 0.3 to 3.8W. For these conditions, the diameter of the rod increases linearly with respect to the laser power but is almost independent of the reaction gas pressure. Growth rate of the rod changes little with gas pressure when the laser power remains below IW. For a constant reaction gas pressure, the growth rate increase with Increasing laser power, but the rate of increase decreases gradually, implying that the chemical vapor deposition condition changes from a kinetically-limited regime to a mass-transport-limited regime. When the carbon rod was grown at near threshold laser power, a very smooth surface is obtained on the rod. By continuously moving the focusing lens in the direction of growth, a micro carbon rod with a diameter of 287${\mu}{\textrm}{m}$ and aspect ratio of 100 was fabricated..
일반적으로 floating zone법에 의한 결정성장시에는 소결봉이 원료로서 사용되며 이러한 원료봉의 소결조건에 의해 결정성장시 안정성이 영향을 받게 된다. 그 원인은 FZ법에 의한 결정성장시 소결조건에 따른 원료봉의 미세구조의 변화가 소결봉과 융액사이의 계면형태를 변화시키기 때문이다. 본 연구에서 FZ법에 의해 $TiO_2$(rutile)과 ruby 단결정을 성장하였으며 이를 통해 소결봉의 미세구조가 FZ법에 의한 결정성장시에 용융대의 안정서에 미치는 영향을 분석하였다.$TiO_2$(rutile)과 ruby의 결정성장에 사용되는 원료봉의 소결시 소결온도가 높아지고 소결시간이 길어질수록 원료봉 중앙부와 바깥ㅂ분의 입자크기의 차이가 커져서 결국에는 그로 인하여 원료봉의 용융양상이 바뀌어졌다. FZ법에 의한 결정성장시 원료봉의 최적소결 조건은 입자의 크기가 소결봉 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되는 것이었다. 반면 일반 적으로 중요하다고 여기는 소결봉의 porosity는 FZ법에 의한 결정성장시 영향력 있는 인자가 아니라는 점을 소결하지 않은 원료봉을 사용해 결정성장 실험을 행하여 봄으로써 확인할 수 있었다.
Vertically aligned Zinc Oxide rod arrays were grown by the self-assembly hydrothermal process on the GaN epitaxial layer which has a same lattice structure with ZnO. Zinc nitrate and DETA solutions are used in the hydrothermal process. The $(HfO_2)$ thin film was deposited on GaN and the patterning was made by the photolithography technique. The selective growth of ZnO rod was achieved with the patterned GaN substrate. The fabricated ZnO rods are single crystal, and have grown along hexagonal c-axis direction of (002) which is the same growth orientation of GaN epitaxial layer. The density and the size of ZnO rod can be controlled by the pattern. The optical property of ordered array of vertical ZnO rods will be discussed in the present work.
The partial phase diagram of $NaNO_3$-NaCl system was investigated and the eutectic temperature was determined as $294.5^{\circ}C$. A typical rod eutectics of $NaNO_3$-4.56 wt%NaCl was directionally solidified. The results of interrod spacing, ${\lambda}_E$ as a function of growth velocity, V, were. obtained as ${\lambda}_E\;V^{0.39}\;=\;5.26$ (temperature gradient, $G_l\;=\;21.4^{\circ}C/mm$) and ${\lambda}_E\;V^{0.32}\;=\;5.45$ ($G_l\;=\;3.9^{\circ}C/mm$) and the exponent numbers of growth velocity were smaller than the theoretical value, 1/2. The sample rotation applied during directional solidification made the interrod spacing decrease slightly.
Zinc oxide micro rods were fabricated using as chemical bath deposition ok photolithography. Vertically aligned Zinc Oxide rod array as grown by chemical bath deposition method on Zinc Oxide template layer. The ZnO template layer was deposited on glass and the pattering was made by standard photolithography technique. The selective growth of ZnO micro rods were achieved with the masked ZnO template layer substrate. The fabricated ZnO micro rods were found to be single crystalline and have grown along hexagonal c-axis direction of (0002) which is same as the preferred growth orientation of ZnO template layer. The ZnO micro-rod array structure was implemented as a window layer in Cu(InGa)Se2 solar cell and its effect on photovoltaic efficiency was examined.
We have studied the electrical properties and microstructure of $(Y_{0.5}Nd_{0.25}Sm_{0.25})Ba_2Cu_3O_y[(YNS)-123]$ Oxides by rod-type seeded melt growth process(RSMG) in air atmosphere. Rod-type $NdBa_2Cu_3O_y${Nd-123) seed crystals made a extrusion process method, were used for achieving the ab-plane alignment having large grains perpendicular to the center of (YNS)-123 samples. The observations using SEM and TEM micrographs of the melt-textured (YNS)-123 samples revealed that the nonsuperconducting $(Y_{0.5}Nd_{0.25}Sm_{0.25})Ba_2Cu_3O_y[(YNS)-211]$ inclusions are uniformly distributed in the superconducting matrix. The microstructure and electrical properties were investigated by XRD, SEM, TEM and DC SQUID magnetometer. The sample showed a sharp superconducting transition at 90 K. The magnetization values of the (YNS)-123 sample exhibited the enhanced electrical properties, compared with $YBa_2Cu_3O_y$(Y-123) sample.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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