• 제목/요약/키워드: Reverse masking

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Alternative Optimization Techniques for Shallow Trench Isolation and Replacement Gate Technology Chemical Mechanical Planarization

  • Stefanova, Y.;Cilek, F.;Endres, R.;Schwalke, U.
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제8권1호
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    • pp.1-4
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    • 2007

  • This paper discusses two approaches for pre-polishing optimization of oxide chemical mechanical planarization (CMP) that can be used as alternatives to the commonly applied dummy structure insertion in shallow trench isolation (STI) and replacement gate (RG) technologies: reverse nitride masking (RNM) and oxide etchback (OEB). Wafers have been produced using each optimization technique and CMP tests have been performed. Dishing, erosion and global planarity have been investigated with the help of conductive atomic force microscopy (C-AFM). The results demonstrate the effectiveness of both techniques which yield excellent planarity without dummy structure related performance degradation due to capacitive coupling.

  • https://doi.org/10.4313/TEEM.2007.8.1.001 인용 PDF KSCI

일치성규칙과 목표값이 없는 데이터 증대를 이용하는 학습의 성능 향상 방법에 관한 연구 (A study on the performance improvement of learning based on consistency regularization and unlabeled data augmentation)

  • 김현웅;석경하
    • 응용통계연구
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    • 제34권2호
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    • pp.167-175
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    • 2021

  • 준지도학습(semi-supervised learning)은 목표값이 있는 데이터와 없는 데이터를 모두 이용하는 학습방법이다. 준지도학습에서 최근에 많은 관심을 받는 일치성규칙(consistency regularization)과 데이터 증대를 이용한 준지도학습(unsupervised data augmentation; UDA)은 목표값이 없는 데이터를 증대하여 학습에 이용한다. 그리고 성능 향상을 위해 훈련신호강화(training signal annealing; TSA)와 신뢰기반 마스킹(confidence based masking)을 이용한다. 본 연구에서는 UDA에서 사용하는 KL-정보량(Kullback-Leibler divergence)과 TSA 대신 JS-정보량(Jensen-Shanon divergene)과 역-TSA를 사용하고 신뢰기반 마스킹을 제거하는 방법을 제안한다. 실험을 통해 제안된 방법의 성능이 더 우수함을 보였다.

  • https://doi.org/10.5351/KJAS.2021.34.2.167 인용 PDF KSCI

코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도 (Characterization of Reverse Leakage Current Mechanism of Shallow Junction and Extraction of Silicidation Induced Schottky Contact Area for 0.15 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS Technology Utilizing Cobalt Silicide)

  • 강근구;장명준;이원창;이희덕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권10호
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    • pp.25-34
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    • 2002

  • 본 논문에서는 코발트 실리사이드가 형성된 얕은 p+-n과 n+-p 접합의 전류-전압 특성을 분석하여 silicidation에 의해 형성된 Schottky contact 면적을 구하였다. 역방향 바이어스 영역에서는 Poole-Frenkel barrier lowering 효과가 지배적으로 나타나서 Schottky contact 효과를 파악하기가 어려웠다. 그러나 Schottky contact의 형성은 순방향 바이어스 영역에서 n+-p 접합의 전류-전압 (I-V) 동작에 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 실리사이드가 형성된 n+-p 다이오드의 누설전류 증가는 실리사이드가 형성될 때 p-substrate또는 depletion area로 코발트가 침투퇴어 Schottky contact을 형성하거나 trap들을 발생시켰기 때문이다. 분석결과 perimeter intensive diode인 경우에는 silicide가 junction area까지 침투하였으며, area intensive junction인 경우에는 silicide가 비록 공핍층이나 p-substrate까지 침투하지는 않았더라도 공핍층 근처까지 침투하여 trap들을 발생시켜 누설전류를 증가시킴을 확인하였다. 반면 p+-n 다이오드의 경우 Schottky contact이발생하지 않았고 따라서 누설전류도 증가하지 않았다. n+-p 다이오드에서 실리사이드에 의해 형성된 Schottky contact 면적은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스의 전류 전압특성을 동시에 제시하여 유도할 수 있었고 전체 접합면적의 0.01%보다 작게 분석되었다.

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