• 제목/요약/키워드: Refractory metal

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기포 펌프를 적용한 흡수식 열펌프용 고온 재생기의 작동 특성 실험 (Experiments on a Regenerator with Thermosyphon for Absorption Heat Pumps)

  • 박찬우;정종수;남평우
    • 설비공학논문집
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    • 제8권4호
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    • pp.463-472
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    • 1996
  • Experiments were carried out to study the operation characteristics of a regenerator with a thermo-syphon pump and a surface-flame burner for a lithium bromide (LiBr)-water absorption heat pump. A cylindrical-shape metal-fiber burner and commercial grade propane were used. The emission of carbon monoxide and nitric oxide was measured by a combustion gas analyzer. Ther regeneration rate of water vapor as a refrigerant was measured. It could be as a reference value showing the performance of the regenerator. The circulation rate of the LiBr-water solution was also measured from both the tanks for the weak-and the strong-solution. Using a refractometer, the LiBr concetration in the solution was calculated from the measured refractory index of the solution. Temperature of the solution and the condensed water was recorded at several points in the experimental apparatus with thermocouples, using a personal computer. This data collecting system for measuring temperature was calibrated with a set of standard thermometers. The generating rate of water vapor as refrigerant increased linearly with heat supplied. It was about 4.0g/s with the heat supplied at a rate of 16,500kcal/h. The circulation rate of LiBr solution also increases with the heat supplied. The difference in LiBr concentrations between the weak and the strong solution was in the range of 1 to 5% when the concentration of the strong solution was about 60%. It was dependent upon both the heat supplied and the circulation rate of the solution. The initial concentration and the level of the LiBr solution in the regenerator were measured and recorded before experiments. The effect of them on the generating rate of water vapor and the circulation rate of the solution was also studied. The generating rate of water vapor was not strongly dependent upon both the level of the LiBr solution and the initial LiBr concentration. However, the concentration difference of the solution increases with the initial level of the LiBr solution.

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질화물 박막을 이용한 단결정 $\beta$-SiC의 고온 ohmic 접촉 연구 (High Temperature Ohmic Contacts to Monocrystalline $\beta$-SiC Thin Film Using Nitride Thin Films)

  • 최연식;나훈주;정재경;김형준
    • 한국재료학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.21-28
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    • 2000
  • 내열금속인 W, Ti와 이들의 질화물인 $W_2$N, TiN 박막을 이용하여 탄화규소 ohmic 접촉을 연구하였다. 열처리 온도에 따른 고온 안정성과 전기적 특성 및 상호 확산 억제 특성을 고찰함으로써 이들 질화물의 고온에서 안정한 ohmic 접촉으로 이용가능성을 조사하였다. 새로운 유기화합물 원료인 bis-trimethylsilylmethane을 이용하여 화학기상 증착법으로 증착한 단결정 $\beta$-SiC 박막과 W이 가장 낮은 접촉 비저항, 2.17$\times$10(sup)-5Ω$\textrm{cm}^2$를 보였으며, Ti 계열은 상대적으로 높은 접촉 비저항 값을 나타내었다. 이들 전극 위에 산화 방지막으로 Pt 박막을 증착함으로써 전극의 산화를 막을 수 있었으며, 질화물 전극은 고온에서 금속접촉에 비해 안정한 전기적 특성을 나타내었고, 상호 확산 방지 특성 면에도 우수한 특성을 지니고 있음을 알 수 있었다.

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DC/RF Magnetron Sputtering deposition법에 의한 $TiSi_2$ 박막의 특성연구

  • 이세준;김두수;성규석;정웅;김득영;홍종성
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.163-163
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    • 1999
  • MOSFET, MESFET 그리고 MODFET는 Logic ULSIs, high speed ICs, RF MMICs 등에서 중요한 역할을 하고 있으며, 그것의 gate electrode, contact, interconnect 등의 물질로는 refractory metal을 이용한 CoSi2, MoSi2, TaSi2, PtSi2, TiSi2 등의 효과를 얻어내고 있다. 그중 TiSi2는 비저항이 가장 낮고, 열적 안정도가 좋으며 SAG process가 가능하므로 simpler alignment process, higher transconductance, lower source resistance 등의 장점을 동시에 만족시키고 있다. 최근 소자차원이 scale down 됨에 따라 TiSi2의 silicidation 과정에서 C49 TiSi2 phase(high resistivity, thermally unstable phase, larger grain size, base centered orthorhombic structure)의 출현과 그것을 제거하기 위한 노력이 큰 issue로 떠오르고 있다. 여러 연구 결과에 따르면 PAI(Pre-amorphization zimplantation), HTS(High Temperature Sputtering) process, Mo(Molybedenum) implasntation 등이 C49를 bypass시키고 C54 TiSi2 phase(lowest resistivity, thermally stable phase, smaller grain size, face centered orthorhombic structure)로의 transformation temperature를 줄일 수 있는 가장 효과적인 방법으로 제안되고 있지만, 아직 그 문제가 완전히 해결되지 않은 상태이며 C54 nucleation에 대한 physical mechanism을 밝히진 못하고 있다. 본 연구에서는 증착 시 기판온도의 변화(400~75$0^{\circ}C$)에 따라 silicon 위에 DC/RF magnetron sputtering 방식으로 Ti/Si film을 각각 제작하였다. 제작된 시료는 N2 분위기에서 30~120초 동안 500~85$0^{\circ}C$의 온도변화에 따라 RTA법으로 각각 one step annealing 하였다. 또한 Al을 cosputtering함으로써 Al impurity의 존재에 따른 영향을 동시에 고려해 보았다. 제작된 시료의 분석을 위해 phase transformation을 XRD로, microstructure를 TEM으로, surface topography는 SEM으로, surface microroughness는 AFM으로 측정하였으며 sheet resistance는 4-point probe로 측정하였다. 분석된 결과를 보면, 고온에서 제작된 박막에서의 C54 phase transformation temperature가 감소하는 것이 관측되었으며, Al impuritydmlwhswork 낮은온도에서의 C54 TiSi2 형성을 돕는다는 것을 알 수 있었다. 본 연구에서는 결론적으로, 고온에서 증착된 박막으로부터 열적으로 안정된 phase의 낮은 resistivity를 갖는 C54 TiSi2 형성을 보다 낮은 온도에서 one-step RTA를 통해 얻을 수 있다는 결과와 Al impurity가 존재함으로써 얻어지는 thermal budget의 효과, 그리고 그로부터 기대할 수 있는 여러 장점들을 보고하고자 한다.

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마이크로 금형 부품을 위한 마이크로 절삭가공 기술 (Micro cutting process technology for micro molds parts)

  • 하석재;박정연;김건희;윤길상
    • Design & Manufacturing
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    • 제13권1호
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    • pp.5-12
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    • 2019
  • In this paper, we studied the micro tool deflection, micro cutting with low temperature, and deformation of micro ribs caused by cutting forces. First, we performed an integrated machining error compensation method based on captured images of tool deflection shapes in micro cutting process. In micro cutting process, micro tool deflection generates very serious problems in contrast to macro tool deflection. To get the real images of micro tool deflection, it is possible to estimate tool deflection in cutting conditions modeled and to compensate for machining errors using an iterative algorithm correcting tool path. Second, in macro cutting fields, the cryogenic cutting process has been applied to cut the refractory metal but, the serious problem may be generated in micro cutting fields by the cryogenic environment. However, if the proper low temperature is applied to micro cutting area, the cooling effect of cutting heat is expected. Such effect can make the reduction of tool wear and burr formation. For verifying this passibility, the micro cutting experiment at low temperature was performed and SEM images were analyzed. Third, the micro pattern was deformed by the cutting forces and the shape error occurred in the sidewall multi-step cutting process were minimized. As the results, the relationship between the cutting conditions and the deformation of micro-structure during micro cutting process was investigated.

LPCVD로 성장된 텅스텐 게이트의 물리.전기적 특성 분석

  • 노관종;윤선필;황성민;노용한
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.151-151
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    • 1999
  • 금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$$\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

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분광색채계측기를 이용한 Vita Shade 광중합형 복합레진의 색상 비교 (COMPARATIVE EVALUATION OF LIGHT-CURED COMPOSITE RESINS BASED ON VITA SHADE BY SPECTROCOLORIMETER)

  • 조경이;황인남;최홍란;오원만
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • 제23권1호
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    • pp.424-432
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    • 1998
  • To get a satisfactory result in the composite resin restorations, it is necessary to choose correct shade. At present, most of the commercial composite resins are based on the Vita Lumin shade guide or Bioform shade guide, but color differences might be expected even using the same shade in various materials. In this study, five kinds of light-cured composite resins with A2 and B3 shade were used to measure and compare the color each other while one porcelain served as a control. All composite resins (Spectrum TPH (SP), VeridonFil- Photo (VE), Z100 (Z100), Charisma (CH), Prodigy (PRO)) were filled in to the metal mold (12 mm diameter, 2 mm depth), followed by compression, polymerization and polishing with wet sandpaper. The specimens of porcelain were fabricated by using the refractory mold for porcelain. After 24 hours, the specimens were placed on the spectrocolorimeter and spectral reflectance were measured under CIE illuminant D65. After measuring the values of $L^*$, $a^*$, $b^*$ and ${\Delta}E^*$, following results were obtained; 1. The $L^*$, $a^*$ and $b^*$ values of both shade of porcelain specimens showed significantly higher than those of resin specimens(p<0.05). 2. In comparing the resin specimens of the A2 shade, differences were significant except $L^*$ values of SP-CH and PRO-VE, $a^*$ values of the VE-SP and $b^*$ values of the VE-Z100 and SP-PRO(p<0.05), 3. In comparing the resin specimens of the B3 shade, differences were significant except $L^*$ values of PRO-SP, $a^*$ values of the SP-PRO and Z100-VE and b* values of the PRO-SP(p<0.05). 4. In comparing the resin specimens of the A2 shade, color differences between materials (${\Delta}E^*$) showed the lowest value of 1.66, and the highest was 5.16. ${\Delta}E^*$ values of the materials of VE-PRO, CH-PRO, SP-PRO, SP-Z100 and SP-CH were lower than 3.3. 5. In comparing the resin specimens of the B3 shade, the lowest value of the ${\Delta}E^*$ was 0.57 and the highest was 5.92. ${\Delta}E^*$ values of Z100-CH and SP-PRO were lower than 3.3. The present study revealed there was perceptible color difference between materials even if they have the same designated shade based on Vita shade guide. The results of the present study suggested that it would be necessary to establish the reproducible and constant color specification system for an esthetic restoration.

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북한 광물자원 부존 및 개발현황 개요 (Status of Mineral Resources and Mining Development in North Korea)

  • 고상모;이길재;에드워드 윤
    • 자원환경지질
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    • 제46권4호
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    • pp.291-300
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    • 2013
  • 북한의 광물자원 부존량 및 생산 현황을 종합하면, 북한에서 부존규모가 큰 주요 광물종은 마그네사이트, 석회석, 석탄(무연탄), 인상흑연, 철, 금, 은, 연, 아연 등으로 판단된다. 기타 동, 몰리브덴, 중석, 인광석 등이 잠재성이 큰 광물자원으로 평가된다. 북한의 광물자원 수출 대상국은 중국으로서 주요 수출 광물로는 무연탄, 철광석이 75%로서 압도적으로 우세하다. 수출국은 중국 외 EU국가이나, 중국 수출이 70%에 달한다. 북한은 금 매장량 약 2,000톤과 연간 생산량은 약 2 톤(금속기준)이며, 대표적 광산은 수안, 홀동, 대유동광산이며, 6개 금 제련소가 운영 중이다. 철 매장량은 Fe 63.5% 기준으로 약 43억 톤, 연간 생산량은 약 5백만 톤, 주요 철광산은 무산, 리원, 북청, 은율, 신원, 재령광산이며, 7개 제철소 및 제강소가 운영 중이다. 연-아연 매장량은 금속 기준으로 연이 약 4.7백만 톤, 아연이 15백만 톤, 연간 생산량은 금속 기준 연이 약 26,000 톤, 아연이 금속 기준 50,000 톤이다. 주요 연-아연 광산은 검덕, 은파, 성천광산이며, 6개 제련소가 운영 중이다. 마그네사이트 매장량은 MgO 95% 기준으로 약 28억 톤, 최근 연간 생산량이 정광 기준 150,000 톤, 주요 광산은 룡양, 대흥, 쌍룡광산이며, 5개 마그네슘 내화물공장이 가행중이다. 인회석 매장량은 $P_2O_5$ 30% 기준으로 약 3.4억 톤, 최근 연간 생산량은 원광석 기준 약 300,000 톤, 주요 광산은 대대리, 동암, 풍년광산이다. 석탄은 북한에서 중요한 전략 연료광물자원으로 인식되고 있으며, 주 에너지원이다. 석탄 매장량은 186억 톤, 연간 생산량은 2천만 톤이다. 주요 석탄광산은 평남에 집중되고 있으며, 직동광산이 북한에서 가장 큰 석탄광산이다.