• 제목/요약/키워드: Reduced Sensor Condition

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Au와 Pt 확산에 의한 실리콘 $p^{+}-n$ 접합 스위칭다이오드의 전기적 특성 (Electrical characteristics of Au and Pt diffused silicon $p^{+}-n$ Junction diode)

  • 정기복;이재곤;최시영
    • 센서학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.101-108
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    • 1996
  • Au 또는 Pt를 확산시켜 실리콘 $p^{+}-n$ 접합 다이오드를 제작하였다. Au 또는 Pt의 확산을 $800{\sim}1010^{\circ}C$, 산소 및 질소분위기에서 실시하여 다이오드의 전기적 특성을 분석하였으며, Au 또는 Pt가 확산된 시편을 산소분위기의 $800{\sim}1010^{\circ}C$에서 2차 열처리를 실시한후 이 처리가 소자의 전기적 특성에 미치는 효과에 대해 고찰하였다. $1010^{\circ}C$의 온도에서 1차 확산결과 Pt가 확산된 다이오드의 누설전류는 Au가 확산된 다이오드 누설전류의 75배 였다. $1010^{\circ}C$, 질소분위기에서 1시간동안 Pt가 확산된 시편을 산소분위기에서 $800^{\circ}C$, 1시간동안 2차 열처리하였을 경우에 1차 열처리한 것보다 누설전류가 1/1100로 감소되었다. 초고속 실리콘 $p^{+}-n$ 접합 스위칭 다이오드의 특성을 만족하기 위해서는, Pt를 $1010^{\circ}C$, 질소분위기에선 1시간 확산시킨후 2차 열처리를 $800^{\circ}C$, 산소분위기에서 1시간동안 열처리하는 것이 최적 조건임을 알 수 있었다. 이때 다이오드의 제특성은 역회복시간 4ns, 항복전압 138V, 누설전류1.7nA 그리고 순방향 전압이 1V였다.

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고주파 온열암 치료 시 열감감소를 위해 자체 제작한 보상체의 유효성 평가 (Evaluation of compensator to reduce thermal sensation in oncological hyperthermia)

  • 이영철;김선명;정덕양;김영범
    • 대한방사선치료학회지
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    • 제29권2호
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    • pp.27-32
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    • 2017
  • 목 적: 고주파 온열암 치료에 의한 부작용 중에서 가장 주의하여할 것 중의 하나는 피부에 나타날 수 있는 화상이다. 특히 배꼽처럼 요철이 있는 부위에는 환자가 느끼는 열감이 크기 때문에 치료를 중단하는 경우가 발생한다. 이에 배꼽부위의 요철을 상쇄시키기 위한 보상체를 제작하고 온도 및 열감을 감소시키고자 한다. 대상 및 방법: 고주파 온열암 치료기(EHY-2000, Oncotherm Kft, Hungary)를 이용하여 본원에서 치료받은 환자를 대상으로 배꼽을 중심으로 4개 부위(배꼽 속, 배꼽 바로 옆, 배꼽아래 5 cm 지점, 등)의 온도를 5회에 걸쳐 측정하였다. 온도계(TM-100, Oncotherm Kft, Hungary)를 4개의 부위에 부착하고 치료 전, 치료 후 5분, 15분, 25분, 35분, 50분의 온도를 측정하였다. 이때 사용한 보상체는 바셀린, 볼루스, 레진으로 각각 같은 방법으로 측정하였다. 결 과: 일반적 치료 시 배꼽 속 온도변화는 평균 34.65도에서 42.9도로 변화하였다. 배꼽 바로 옆은 32.20도에서 37.00도까지 변화하였으며 배꼽아래는 31.90도에서 34.41도로 변화하여 배꼽속의 온도변화가 가장 큰 것으로 나타났다. 배꼽 속에 보상체 물질을 삽입한 경우의 배꼽 속 온도변화는 볼루스가 5.42도, 바세린이 6.55도, 레진이 6.83도로 측정되었다. 온도상승 검증을 위한 귀무가설의 유의확률은 각각 0.0108, 0.034, 0.019로 기각되었다. 결 론: 고주파 온열암 치료 시 환자가 느끼는 열감은 치료의 중단을 가져올 수도 있는 중요한 인자로서 배꼽과 같은 요철부위에 보상체를 사용 시 열감을 줄일 수 있었다. 보상체는 개인마다 요철의 모양이 다르기 때문에 맞춤제작이 가능한 레진이 유리하며, 온도를 낮출 뿐 아니라 환자가 느끼는 열감 또한 상당히 감소하는 것으로 나타났다. 추후 열전달 모델의 개발이 가능하다면 치료 시 나타나는 열감을 줄이며 보다 정확하고 편안한 치료를 제공 할 수 있을 것으로 사료된다.

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OMI 위성센서를 이용한 중국 지역에서 TOMS 오존 산출에 대한 이산화황의 영향 조사 연구 (Investigation of SO2 Effect on TOMS O3 Retrieval from OMI Measurement in China)

  • 최원이;홍현기;김대원;류재용;이한림
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제32권6호
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    • pp.629-637
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    • 2016
  • 본 연구에서는 2005년부터 2007년 사이에 중국 공업지대에서 Ozone Monitoring Instrument (OMI) 센서에서 관측한 이산화황 값의 증가에 따른 Total Ozone Mapping Spectrometer (OMI-TOMS)와 Differential Optical Absorption Spectrometer (OMI-DOAS) 오존전량 값의 차이를 위성자료를 이용하여 비교를 수행하였다. 중국 공업지대에서는 Planetary boundary layer (PBL)내의 이산화황을 나타내는 PBL $SO_2$ 자료가 사용되었다. 중국 공업지대에서 PBL내의 이산화황 농도 증가에 대하여 두 오존 값의 차이가 증가하는 경향성(R (Correlation coefficient) = 0.36)이 나타났다. 이산화황 이외에 두 오존 산출 알고리즘에 모두 영향을 미칠 수 있는 에어로솔 광학 두께(AOD; Aerosol Optical Depth)가 증가하는 경우 이산화황과 두 오존 값의 차이 사이의 회귀식의 기울기($1.83{\leq}slope{\leq}2.36$)가 비슷하게 유지되는 경향이 나타났다. 이는 다양한 AOD 조건에서도 이산화황이 두 오존 값의 차이를 증가시키는 관계가 나타나는 경향은 거의 비슷하게 유지되는 것으로 생각된다. 중국 공업지대에서 PBL내에 존재하는 이산화황과 화산 폭발에 의하여 고층(Middle troposphere (TRM), Upper troposphere and Stratosphere (STL))에서 존재하는 이산화황의 농도가 1 DU 증가하는 경우 두 오존 값의 차이는 각각 1.6 DU, 3.9 DU, 4.9 DU로 계산되었다. 고층(TRM, STL)의 이산화황과 저층(PBL)의 이산화황이 증가하는 경우 두 오존 값의 차이가 다르게 나타나는 것은 이산화황이 존재하는 고도에 따라서 두 오존 값의 차이에 미치는 영향이 다름을 의미한다. 이는 OMI-TOMS 오존을 산출하는데 사용되는 파장영역(317.5 nm)에서 행성경계층에서 이산화황에 의해 흡수되는 복사휘도의 감소된 민감도에 의한 것으로 생각된다.