• 제목/요약/키워드: Reaction Cross Section

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연구로 2호기 방사화 수조 콘크리트의 재고량 평가에 관한 연구 (A Study on the Inventory Estimation for the Activated Bioshield Concrete of KRR-2)

  • 홍상범;서범경;조동건;정경환;문제권
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제37권4호
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    • pp.202-207
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    • 2012
  • 방사능재고량 평가는 해체과정에서 요구되는 계획 수립, 비용 평가, 위해도 평가, 폐기물관리 및 잔류방사능 조사 등에 중요한 영향을 준다. 연구로 2호기 해체사업은 2009년 완료하였고, 해체과정에서 많은 양의 방사화 콘크리트가 발생되었다. 연구로 수조 콘크리트는 연구로 운영과정에서 발생된 중성자와 상호작용에 의해 콘크리트 내 극미량으로 존재하는 불순물이 방사화되어 다양한 핵종이($^3H$, $^{14}C$, $^{55}Fe$, $^{60}Co$ $^{63}Ni$, $^{134}Cs$, $^{152}Eu$$^{154}Eu$) 검출되었다. 본 논문에서는 연구로 방사화 콘크리트에 대한 핵종 재고량을 계산하기 위해 MCNP5, ORIGEN2.1를 조합하여 평가하였고, 계산 결과는 측정된 결과와 비교평가를 수행하였다. 연구로 2호기 수조 콘크리트의 경우 연구로 운전정지 후 12년 동안 안전격리 기간을 거쳐 해체가 착수되었으며, 해체시점에서 $^3H$, $^{55}Fe$, $^{60}Co$$^{152}Eu$ 방사능이 전체방사능의 99.8%를 차지하였다. 운전기간 및 냉각기간에 따른 방사화 재고량의 영향을 분석하였다.

은대구, Anoplopoma fimbria 소화기관의 형태 및 조직학적 특징 (Morphology and Histology of the Digestive Organ in the Sablefish, Anoplopoma fimbria (Teleostei: Anoplopomatidae))

  • 김수지;강주찬;이정식
    • 한국어류학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.19-27
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    • 2016
  • 은대구의 소화관 상대길이 비는 1.52 (n=12)이며, 소화관은 위의 후방부에 5~6개의 유문수를 가진다. 점막주름의 형태는 식도와 위에서는 미분지형이지만 장에서는 분지형이다. 횡단면에서 소화관은 조직학적으로 점막층, 점막하층, 근육층 및 장막으로 구분할 수 있다. 식도의 점막상피층은 단층이며, 원주섬모상피세포들과 점액세포들로 구성된다. 위 점막층의 위선은 관상선으로 주세포, 벽세포 및 뮤신분비세포들로 구성된다. 뮤신분비세포는 원주형으로 AB-PAS (pH 2.5) 반응에서 분홍색과 푸른색을 나타내는 분비과립을 가진다. 장의 점막상피층은 단층이며, 원주섬모상피세포들과 배상세포들로 구성된다. 점막하층은 소성결합조직층으로 주로 교원섬유들로 구성되며, 식도에서 잘 발달되어 있다. 소화관의 근육층은 종주근층과 환상근층으로 구분되며, 위에서 잘 발달되어 있다. 간은 다수의 소엽구조와 담관들로 이루어져 있으며, H-E 염색에서 간세포의 세포질은 호산성이며, 핵과 인은 호염기성을 보였다. 췌장조직은 소화관 주변의 지방조직에 산재하며, 다수의 외분비세포들로 구성된 포상선이었다. H-E 염색에서 외분비선세포의 세포질은 호염기성을 나타내며, 다수의 호산성 전효소 과립들을 함유한다.

게르마늄 Prearmophization 이온주입을 이용한 티타늄 salicide 접합부 특성 개선 (Effects of the Ge Prearmophization Ion Implantation on Titanium Salicide Junctions)

  • 김삼동;이성대;이진구;황인석;박대규
    • 한국재료학회지
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    • 제10권12호
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    • pp.812-818
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    • 2000
  • 본 연구에서는 Ge PAM이 선폭 미세화에 따른 C54 실리사이드화 및 실제 CMOS 트랜지스터 접합부에서의 각종 전기적 특성에 미치는 영향을, As PAM과의 비교를 통하여 관찰하였다. 평판 상에서 각 PAM 및 기판의 도핑 상태에 따른 Rs의 변화량을 측정하였으며, 각 PAM 방식은 기존의 살리사이드 TiSi$_2$에 비해 개선된 C54 형성 효과를 보였다. 특히, Ge PAM은 n+ 기판에서 As PAM보다 효과적인 실리사이드화를 보였고, 이 경우 XRB 상에서도 가장 강한 (040) C54 배향성을 나타내었다. ~0.25$\mu\textrm{m}$ 선폭 및 n+ 접합층에서 기존 방식에 비해 As과 Ge PAM은 각각 ~85,66%의 개선된 바저항을 보였으며, P+ 접합층에서는 As과 Ge PAM 모두 62~63% 정도의 유사한 Rs 개선 효과를 보였다. 콘택 저항에서도 각 콘택 크기 별로 바저항(bar resistance) 개선과 같은 경향의 PAM 효과를 관찰하였으며, 모든 경우 10 $\Omega$/ct. 이하로 양호한 결과를 보였다. 누설 전류는 area 형 패턴에서는 모든 공정 조건에서 <10E-14A/$\mu\textrm{m}^{2}$ 이하로, edge 형에서는 특히 P+ 접합부에서 As 또는 Ge PAM 적용 시 <10E-13 A/$\mu\textrm{m}^{2}$ 이하로 다소 누설 전류를 안정화시키는 결과를 보였다. 이러한 결과는 XTEM에 의해 관찰된 바 Ge PAM 적용 시 기존의 경우에 (PAM 적용 안한 경우) 비해 유사한 평활도의 TiSi$_2$박막 형상과 일치하였으며, 또한 본 실험의 Ge PAM 이온주입 조건이 접합층에 손상을 주지 않는 범위에서 적정화되었음을 제시하였다

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