• 제목/요약/키워드: RF diode switch

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GSM용 적층형 저역통과필터와 RF 다이오드 스위치의 설계 (Design of Multilayer LPF and RF diode switch for GSM)

  • 최우성;양성현
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권3호
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    • pp.416-423
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    • 2012
  • Ansoft HFSS와 Serenade를 사용하여, 적층형 저역통과필터(LPF)와 RF 다이오드 스위치를 설계하였다. RF diode switch의 등가회로를 참고한 시뮬레이션은 송신모드 (Transmit mode)일 때 다이오드를 인덕터(Inductor)로 등가 회로화 하였고, 수신모드(Receive mode) 일때는 다이오드를 커패시터(Capacitor)로 변환하여 시뮬레이션 하였다. 적측형 RF diode 설계는 소자 와 수축률 변화를 고려하여 수행하였다.

Composite Right/Left Handed 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치 연구 (Study of a Dual-band RF switch using a Composite Right/Left Handed Transmission Line and PIN Diode)

  • 박창현;최병하;신동률;성원모
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권11호
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    • pp.55-60
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    • 2008
  • 본 논문에서는 CRLH(Composite Righ/Left Handed) 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치를 제안하였다. 일반적인 RF 스위치가 RH(Right Handed) 전송선 및 PIN 다이오드로 구성되는 것과는 달리, 제안된 RF 스위치는 CRLH 전송선을 이용함으로써 이중대역 특성을 만족하였다. 설계된 CRLH전송선은 Open-Stub를 이용하여 PIN 다이오드 패키지 인덕턴스로 인한 격리도 감소를 해결하였다. RF 스위치는 GSM 주파수 대역인 900MHz와 DCS 주파수 대역인 1.8GHz의 이중 대역에서 설계 및 제작하였다.

RF Switch용 강유전체 Cantilever 설계에 관한 연구 (A Study on design of the Ferroelectrics Cantilever for RF Switch)

  • 김인성;민복기;송재성
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.652-655
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    • 2004
  • RF MEMS is a miniature device or an array of integration devices and mechanical components and fabricated with If batch-processing techniques. RF MEMS application area are in phased arrays and reconfigurable apertures for defence and telecommunication systems, switching network for satellite communication, and single-pole double throw switches for wireless application. Recently, RF MEMS switches have been developed for the application to the milimeter wave system. RF MEMS switches offer a substantilly higher performance than PM diode or FET switches. In this paper, SPDT(single-pole-double-throw) switch are designed to use 10 GHz. Actuation voltage and displacement are simulated by tool. And stress and distribution are simulated.

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S-대역 펄스 2 kW RF 리미터 (Pulse 2 kW RF Limiter at S-band)

  • 정명득
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.791-796
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    • 2012
  • RF 리미터(limiter)는 원하지 않는 신호로부터 수신단을 보호하기 위해 사용되는 소자로서, 임계값 이상의 모든 입력신호에 대해 일정한 출력을 제공한다. 다이오드를 사용하는 RF 리미터는 작은 신호는 통과시키는 반면, 어떤 임계값 이상의 신호는 감쇄시켜서 전달한다. 현대의 레이더 시스템에서 수신기를 보호하기 위해 사용되는 RF 리미터는 새로운 간섭 위협이나 복잡한 전자파 환경의 도전으로부터 극복할 수 있는 절대 필요한 역할을 수행한다. 본 논문은 고출력 RF 리미터를 구현하기 위해 PIN 다이오드와 Limit 다이오드의 조합으로 구성된 회로를 제안한다. PIN 다이오드는 스위치의 격리도(isolation) 특성을 이용하는 것과 같이 다이오드의 격리도 특성을 이용하는 개념을 적용한다. S-대역에서 200 us 펄스폭을 갖는 2 kW RF 리미터를 개발하였다. 그 측정 결과는 예측한 값과 잘 일치함을 알 수 있다.

와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치 모듈과 고속 스위치 구동회로의 구현 (Implementation of High-Power PM Diode Switch Modules and High-Speed Switch Driver Circuits for Wibro Base Stations)

  • 김동욱;김경학;김보배
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권4호
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    • pp.364-371
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    • 2007
  • 본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

Micro Switch용 PZT Cantilever의 설계에 관한 연구 (A Study on design of the PZT Cantilever for Micro Switch)

  • 김인성;송재성;민복기;정순종
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.422-423
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    • 2005
  • RF Micro switches is a miniature device or an array of integration devices and mechanical components and fabricated with Ie batch-processing techniques. RF Micro switches application area are in phased arrays and reconfigurable apertures for defence and telecommunication systems, switching network for satellite communication, and single-pole double throw switches for wireless application. Recently, RF Micro switches have been developed for the application to the milimeter wave system. RF Micro switches offer a substantilly higher performance than PIN diode or FET switches. In this paper, SPDT(single-pole-double-throw) switch are designed to use 10 GHz. Actuation voltage and displacement are simulated by tool.

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IGBT를 사용한 고전압 스위치에 관한 연구 (Study on High Voltage Switch Using IGBT)

  • 박성수;김성철;조무현;남궁원
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 A
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    • pp.556-558
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    • 1996
  • PLS 2-GeV linac has 11 sets of high power klystron-modulator system as a main RF source for the beam acceleration. The modulators can provide 200-MW peak pulsed power(400-kV, 500-A) with a pulse width of $7.5{\mu}s$(ESW), a maximum pulse repetition rate of 120-Hz at the full power level. The DC power supply provides a 25-kV, 7-Adc and the charging system consists of a charging inductor, charging capacitor, and the diode for reverse current protection. The charged PFN voltage by a LC resonant charging method has two times of the DC high voltage and the pulsed power is delivered to the load by a thyratron switch. To reduced the press of high voltage lit thyratron switch, the command charging is the best method. In this article, the high voltage switch for the command charging method is tested to the start work and the system is presented with the experiment results of the trigger and operational characteristics.

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Passive parasitic UWB antenna capable of switched beam-forming in the WLAN frequency band using an optimal reactance load algorithm

  • Lee, Jung-Nam;Lee, Yong-Ho;Lee, Kwang-Chun;Kim, Tae Joong
    • ETRI Journal
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    • 제41권6호
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    • pp.715-730
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    • 2019
  • We propose a switched beam-forming antenna that satisfies not only ultra-wideband characteristics but also beam-forming in the WLAN frequency band using an ultra-wideband antenna and passive parasitic elements applying a broadband optimal reactance load algorithm. We design a power and phase estimation function and an error correction function by re-analyzing and normalizing all the components of the parasitic array using control system engineering. The proposed antenna is compared with an antenna with a pin diode and reactance load value, respectively. The pin diode is located between the passive parasitic elements and ground plane. An antenna beam can be formed in eight directions according to the pin diode ON (reflector)/OFF (director) state. The antenna with a reactance load value achieves a better VSWR and gain than the antenna with a pin diode. We confirm that a beam is formed in eight directions owing to the RF switch operation, and the measured peak gain is 7 dBi at 2.45 GHz and 10 dBi at 5.8 GHz.

PIN 다이오드를 이용한 WLAN용 재구성 모노폴 안테나 (Dual-band reconfigurable monopole antenna using a PIN diode)

  • 문승민;윤중한;김기래
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권9호
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    • pp.1633-1640
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    • 2016
  • 본 논문에서는 WLAN 대역에서 동작하는 오픈된 사각 모양의 마이크로스트립패치 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 단일 공진 또는 다중 공진 주파수를 가변하여 유효 대역폭을 가지고 있으며 WLAN대역(2.4 - 2.484, 5.15 - 5.35, 5.25-5.825 GHz)을 만족하는 마이크로 스트립 선로를 갖는 평면형 모노폴 구조로 설계된다. 안테나는 FR-4 기판에 제작되었고 두께는 0.8 mm이다. 안테나의 동작모드와 재구성 특성을 분석하기 위해 전류분포와 전자계 분포를 분석하기 위해 상용 툴을 사용하였다. 최적화된 수치를 얻기 위해 각 패치의 길이에 따른 시뮬레이션 반사손실을 비교하였다. 최적화된 수치를 사용하여 스위치가 off 되었을 때 WLAN 밴드 (2.380 - 2.710 GHz)을 얻었으며, 스위치가 on 되었을 때 2.4 GHz 밴드 (2.380 - 2.710 GHz)을 얻었다. 제작 및 측정결과로부터 제안된 안테나의 반사손실 특성, 측정된 이득과 방사패턴 특성 결과를 얻었다.