• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.89-92
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• 2004

Nowadays, the study on the ceramic components and modules that used in telecommunication system is being performed. The technology that co-fired both a ceramic material and a silver conductor is usually used to develop small telecommunication components and modules. In the study, It is that the lumped elements equivalent circuit with easy tuning control can be matched more accurate at the 50ohm than the transmission line.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.687-698
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• 2001

본 논문에서는 RF(Radio Frequency) 회로의 구현 방법으로서 3차원 적층형태의 PAA(Pad Area Array) 패키지 구조를 제시하였다. 지능 교통망 시스템(Intelligence Traffic System)을 위한 224㎒의 RF 시스템을 적층형 PAA 패키지 구조에 적용시켜 구현하였다. 적층형 PAA 패키지 구성 과정에서는 RF 회로를 기능별, 주파수별로 분할하였고 3차원적인 적층형태의 PAA 구조로 설계한 후 분할된 단위 모듈의 RF 동작특성과 3차원 적층형 PAA 패키지 모듈의 전기적 특성을 개별적으로 분석하였다. 적층형 PAA RF 패키지가 갖는 연결단자인 공납(Solder Ball)에 대한 전기적 파라미터 측정결과 그 전기적 특성인 기생 캐패시턴스와 기생 인덕턴스는 각각 30fF, 120pH로 매우 미세하여 PAA 패키지 구조인 RF 시스템에 끼치는 영향이 무시될 수 있음을 확인하였고, 구성된 송수신단은 HP 4396B network/spectrum analyser로 측정한 결과 224㎒에서 수신단, 송신단 증폭이득은 각각 22dB 27dB. 나타나서 설계값에 비하여 3dB감소 된 것을 알 수 있었다. 이는 설계와 제작과정 사이의 차이로 판명되었으며 수동부품 보정방법을 통하여 각 단위모듈의 입출력 임피던스 정합을 이루어 각각 24dB, 29dB로 개선시킬 수 있었다. 따라서, 본 실험에서는 RF 회로를 기능별로 모듈화하고 3차원 적층형 PAA 패키지 구조로 구현하여 전기적 특성을 개선시킬 수 있음을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.1079-1086
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• 2012

본 논문에서는 반도체형 전력 증폭기의 바이어스를 개선하기 위하여 순차 제어 회로와 펄스 폭 가변 회로를 적용한 X-대역 60 W 고효율 전력 증폭 모듈을 설계하였다. 순차 제어 회로는 전력 증폭 모듈을 구성하는 각 증폭단의 GaAs FET의 드레인 전원을 순차적으로 스위칭하도록 회로를 구성하였다. 드레인 바이어스 전원의 펄스 폭을 RF 입력 신호의 펄스 폭보다 넓게 하여 전력 증폭 모듈의 입력 신호가 있을 때만 스위칭 회로를 순차적으로 구동시킴으로써 전력 증폭 모듈의 열화에 따른 출력 신호의 왜곡과 효율을 향상시킬 수 있다. 60 W 전력 증폭 모듈은 고출력 GaAs FET를 이용하여 전치 증폭단, 구동 증폭단과 주전력 증폭단으로 구성하였으며, 주전력 증폭단은 전력결합기를 이용한 평형증폭기 구조로 구현하였다. 설계된 전력 증폭 모듈은 9.2~9.6 GHz에서 듀티사이클 10 %로 동작시켰을 때 50 dB의 전력 이득, 펄스 주기 1 msec, 펄스 폭 100 us, 출력 전력 60 W에서 동작함에 따라 펄스-SSPA 형태로 반도체 펄스 압축 레이더 등에 적용할 수 있다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권12호
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• pp.57-63
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• 2016

본 논문은 $0.18{\mu}m$ 실리콘 CMOS 기술을 이용한 IEEE802.15.4g SUN 체계의 센서노드 무선통신부에 적용할 수 있는 RF 주파수 합성기의 구현에 대하여 기술하였다. 제안한 주파수 합성기는 고속 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO, 프리스케일러, 1/N 분주기, ${\Delta}-{\Sigma}$ 모듈레이터 그리고 PLL 공통 회로 등의 설계 최적화가 이루어졌으며, 특히 VCO는 NP 코어 구조와 13단 캡 뱅크를 각각 적용하여 고속, 저잡음 및 광대역 튜닝 범위를 확보하였다. 제안된 주파수 합성기를 칩으로 제작하여 측정한 결과 출력 주파수 범위는 1483MHz~2017MHz, 위상잡음은 100KHz 오프셋에서는 -98.63dBc/Hz, 1MHz 오프셋에서는 -122.05dBc/Hz로 양호한 특성을 얻을 수 있었다.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• 제12권2호
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• pp.83-89
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• 2020

A microstrip feedline based open ended folded-slot antenna is proposed for ultra-wideband (UWB) applications. The prototype of the proposed antenna is fabricated on the FR4 dielectric substrate. The proposed antenna has a wide n-shaped slot that is useful for designing circuit components on the same printed circuit board (PCB) as that of the radio frequency (RF) modules. The proposed antenna use two kinds of slots as radiators, and each slots have different characteristics because of the different type of ends of the slot. The wideband characteristic can be obtained by resonances of each slot which are occurred at different frequencies. The measured impedance bandwidth (S₁₁≤ -10 dB) is 2.9-11.56 GHz, and the antenna peak gain is 2-4 dBi over the UWB range. The antenna has a stable omni-directional radiation pattern and only a small group-delay variation across the UWB passband. In addition, we present a modified design with band-notched characteristics of a 5 GHz wireless local area network (WLAN) frequency band.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.150-152
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• 2004

The number of layers in rigid PCB(printed circuit board) is restricted, so the number of components can be embedded in module is restricted also. But using flexible multilayer PCB, the layers over than 7 can be evaluated. In this study, to verify the possibility of application of flexible multilayer PCB to RF modules, multilayered embedded capacitor is fabricated and analyzed. The characteristics of embedded capacitor is analyzed and compared to that of MLCC and LTCC capacitor. Embedded capacitor has better electrical features than MLCC and compatible one to LTCC capacitor.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.59-64
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• 2016

본 논문에서는 10W급 GaN MMIC를 이용하여 Ku-band SSPA 모듈을 설계 및 제작하였다. 설계 및 제작한 SSPA 모듈의 분배/합성을 위해 Rogers(RO4003C)기판을 이용하여 Branch-line 구조를 이용하였다. SSPA 모듈 버짓상 Divider/Combiner는 삽입손실이 최대 -0.7dB 이하로 설계 및 제작하였다. 또한 GaN MMIC 구조 특성상 Gate Bias-Drain Bias로 인가되어야 하기 때문에 Gate-Drain 순차회로를 적용한 Bias 회로를 구현하였으며, RF Power Detect, Temperature Detect, HPA On/Off 기능등을 구현하였다. 설계 제작된 Ku-band SSPA는 최대 출력 15.6W, Gain 45.7dB, 효율 19.0%로 만족하는 측정 결과를 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.61-70
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• 2008

본 논문에서는 멤스 기술의 하나인 연성 인쇄 회로 기판을 이용하여 임의의 형태로 변형이 가능한 초고주파 멤스 송신기를 제안하였다. 연성 인쇄 회로 기판은 그 무게가 가볍고 두께가 얇아 경량 소형화 모듈을 만드는데 유리한 장점이 있다. 또한, 연성 인쇄 회로 기판은 종이와 같이 유연한 특성을 가지고 있어 평면이 아닌 임의의 곡면 등에 실장할 수 있는 장정을 가지고 있다. 본 논문에서는 근거리 센서 네트워크 구성을 위한 직교 주파수 분할 다중 전송 방식을 위한 선형 무선 송신기를 설계 제작하였다. 송신 모듈의 능동 회로는 전력효율이 높고 선형성이 우수하여 전력 증폭기에 많이 사용되고 있는 InGaP/GaAs HBT 공정을 사용하여 설계 및 제작하였으며, 매칭 회로 및 필터 등의 수동 회로는 연성 인쇄 회로 기판에 직접 집적화 하여 제작하였다. 제작된 멤스 송신기는 EVM 특성을 통하여 시스템 성능을 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.319-319
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• 2013

Even though the fabrication methods of metal oxide based thin film capacitor have been well established such as RF sputtering, Sol-gel, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), ion beam assisted deposition (IBAD) and pulsed laser deposition (PLD), an applicable capacitor of printed circuit board (PCB) has not realized yet by these methods. Barium Strontium Titanate (BST) and other high-k ceramic oxides are important materials used in integrated passive devices, multi-chip modules (MCM), high-density interconnect, and chip-scale packaging. Thin film multi-layer technology is strongly demanded for having high capacitance (120 nF/$mm^2$). In this study, we suggest novel multi-layer thin film capacitor design and fabrication technology utilized by plasma assisted deposition and photolithography processes. Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) was used for the dielectric material since it has high dielectric constant and low dielectric loss. 5-layered BST and Pt thin films with multi-layer sandwich structures were formed on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by RF-magnetron sputtering and DC-sputtering. Pt electrodes and BST layers were patterned to reveal internal electrodes by photolithography. SiO2 passivation layer was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD). The passivation layer plays an important role to prevent short connection between the electrodes. It was patterned to create holes for the connection between internal electrodes and external electrodes by reactive-ion etching (RIE). External contact pads were formed by Pt electrodes. The microstructure and dielectric characteristics of the capacitors were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and impedance analyzer, respectively. In conclusion, the 0402 sized thin film multi-layer capacitors have been demonstrated, which have capacitance of 10 nF. They are expected to be used for decoupling purpose and have been fabricated with high yield.