• Title/Summary/Keyword: RF 특성

Search Result 3,127, Processing Time 0.034 seconds

A FG-CPW Single Balanced Diode Mixer for C-Band Application (C-Band 용 FG-CPW 단일 평형 다이오드 혼합기)

  • Bae, Joung-Sun;Lee, Jong-Chul;Kim, Jong-Heon;Lee, Byung-Je;Kim, Nam-Young
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
    • /
    • v.12 no.3
    • /
    • pp.339-345
    • /
    • 2001
  • In this paper, FG-CPW (Finite-Ground Coplanar Wave-Guide) balanced diode mixer is presented. Frequency bandwidth is selected for a C-band, which is 5.72~5.82 GHz for RF, 5.58~5.68 GHz for LO, and 140 MHz for IF signals. A rat-race hybrid is designed for the accomplishment of single balanced type. A low pass filter (LPF) with CPW structure is used far good conversion loss and unwanted harmonics suppression. When LO signal with the power of 4 dBm at 5.635 GHz is injected, a conversion loss of 6.2 dB is obtained for the mixer. Also, the LO to RF and LO to IF isolation of 30 dB and 40 dB are obtained, respectively. This mixer can be used in the area on wireless LAN application.

  • PDF

PECVD를 이용하여 질소분위기에서 증착된 SiNx 박막의 특성 분석

  • Gong, Dae-Yeong;Park, Seung-Man;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.02a
    • /
    • pp.147-147
    • /
    • 2010
  • 태양전지의 효율 향상을 위해 웨이퍼 표면에 반사방지막 코팅을 위한 패시베이션 물질들에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 이 과정에서 널리 사용하는 ARC 물질로 SiNx 박막이 있다. SiNx 박막은 PECVD 법으로 저온에서 실리콘 기판 위에 증착 가능한 장점이 있다. 플라즈마 분위기 가스로 아르곤 또는 질소 사용하며 SiNx 박막의 광학적, 전기적인 특성은 화학적 조성비에 의해 결정되며 증착온도 가변에 박막의 특성이 변화하며 이를 이용하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 본 연구에서는 SiNx 박막을 형성하는데 질소 가스 분위기에서 PECVD를 이용하여 증착하고 그 특성을 분석하였다. 박막은 0.8 Torr의 압력에서 $150^{\circ}C\;{\sim}\;450^{\circ}C$의 기판온도로 증착되었으며 이때의 RF power은 100W ~ 300W로 가변 되었다. 증착된 박막은 1.94 에서 2.23의 폭넓은 굴절률 값을 가지고 있었다. $SiH^4/NH_3$ 가스 비의 증가에 따라 박막 두께와 굴절률이 감소함을 확인할 수 있었다.증착된 SiNx 박막의 소수반송자 수명 측정 결과 굴절률 2.23인 박막의 경우 약 87 us의 수명을 나타냈으며, 굴절률이 1.94로 줄어듦에 따라 소수 반송자 수명 역시 79 us로 감소하였다. SiNx 박막은 n-rich 보다 Si-rich 인 경우 effective 반송자 수명을 증가시켜 표면 재결합 속도를 줄이는데 유용함을 확인하였다. 또한 증착온도가 증가할수록, RF power가 증가 할수록 소수 반송자 수명 역시 증가하였다. 반사도의 경우 $SiH_4$의 비율이 증가할수록 반사도가 감소함을 확인 하였으며, 증착온도 증가에 따라, RF power 증가에 따라 반사도가 감소하였다. 결과적으로 $450^{\circ}C$의 기판온도와 300W의 RF power에서 증착된 SiNx 박막의 경우 가장 우수한 전기적, 광학적 특성을 보여주었다.

  • PDF

Study on the Correlation between The Ginsenoside Contents and Growth Characteristics of Wild-simulated Ginseng with Different Year-Roots (Panax ginseng C. A. Meyer) (산양삼 연근별 생육특성과 진세노사이드 함량 간의 상관관계 연구)

  • Kiyoon Kim;Hyun-Jun Kim;Yurry Um;Kwon-Seok Jeon
    • Proceedings of the Plant Resources Society of Korea Conference
    • /
    • 2020.08a
    • /
    • pp.93-93
    • /
    • 2020
  • 본 연구는 7년, 13년근 산양삼의 생육특성과 진세노사이드(G) 함량 간의 상관관계를 구명하기 위하여 수행되었다. 6개소의 산양삼의 생육특성을 조사한 결과, 뇌두길이, 뿌리길이, 생중량, 단면적, 표면적, 부피에 있어 13년근 산양삼이 7년근 산양삼에 비하여 유의적으로 높은 것을 확인하였다. 진세노사이드11종에 대한 함량은 G-Rb1, Rb2, Rc, Rd, Re, Rf, Rg1, Rg2 함량이 13년근 산양삼이 7년근 산양삼 보다 유의적으로 높은 수치를 확인하였다. 또한 산양삼과 인삼(재배삼) 진세노사이드 함량을 비교한 결과, 13년 산양삼에서 G-Rb1, Rd, Re, Rf, Rg1이 4년, 5년근 인삼(재배삼)에 비해 유의적으로 함량이 높은 것으로 확인되었다. 산양삼 연근별 생육특성과 진세노사이드 함량 간의 상관관계를 분석한 결과, G-Rb1, Rb2, Rc, Rd, Re, Rf, Rg1, Rg2 함량은 뇌두길이, 생중량, 단면적, 표면적, 부피와 유의정인 정의 상관관계를 보였으며, G-Rb1, Re, Rf, Rg2는 줄기직경과 부의 상관관계를 확인하였다. 본 연구는 산양삼의 7년근과 13년근을 대상으로 생육특성과 진세노사이드 함량 상관관계를 구명함으로써 연근에 따른 품질규격 정립에 유용한 정보를 제공 할 것으로 판단된다.

  • PDF

Electrical and Optical Properties of the IZTO Thin Film Deposited on PET Substrates with SiO2 Buffer Layer (SiO2 버퍼층을 갖는 PET 기판위에 증착한 IZTO 박막의 전기적 및 광학적 특성)

  • Park, Jong-Chan;Joung, Yang-Hee;Kang, Seong-Jun
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
    • /
    • v.21 no.3
    • /
    • pp.578-584
    • /
    • 2017
  • $SiO_2$ buffer layer (100 nm) has been deposited on PET substrate by electron beam evaporation. And then, IZTO (In-Zn-Sn-O) thin film has been deposited on $SiO_2$/PET substrate with different RF power of 30 to 60 W, working pressure, 1 to 7 mTorr, by RF magnetron sputtering. Structural, electrical and optical properties of IZTO thin film have been analyzed with various RF powers and working pressures. IZTO thin film deposited on the process condition of 50 W and 3 mTorr exhibited the best characteristics, where figure of merit was $4.53{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$, resistivity, $4.42{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$, sheet resistance, $27.63{\Omega}/sq.$, average transmittance (400-800 nm), 81.24%. As a result of AFM, all the IZTO thin film has no defects such as pinhole and crack, and RMS surface roughness was 1.147 nm. Due to these characteristics, IZTO thin film deposited on $SiO_2$/PET structure was found to be a very compatible material that can be applied to the next generation flexible display device.

Development of Power Divider for CDMA by Thin Film Technology (THIN FILM 기술을 이용한 CDMA용 전력분배기 개발)

  • 정동언
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
    • /
    • v.2 no.2
    • /
    • pp.19-30
    • /
    • 1995
  • 일반적으로 마이크로 웨이브 영역에 사용되는 마이크로스트립 전송로는 후막 전도 선을 이용하여 RF 모듈을 구현할수 있으나 선폭의 고해상도가 전체 특성에 큰 영향을 미치 므로 고정도의 박막을 이용한 RF 모듈이 많이 개발되고 있다. 따라서 본 논고에서는 박막 제조기술을 이용하여 마이크로 웨이브 하이브리드의 한 종류인 WILKINSON 전력 분배기 를 개발하였고 공정 변수를 최적화함으로써 고특성 고신회성의 전력 분배기를 구현할 수 있 었다. 먼저 전도선의 두께의 영향을 고찰하였으며 제조 공정에 있어 GROUND 방법 /HOUSING 형상을 개선함으로써 용이하게 전력 분배기를 제조하였다. 마지막으로 MIL 규 격에 따른 전력분배기의 신뢰성 시험 항목을 제시하였고 이에 따라 정격 전력을 계산, 측정 하였다.

Investigation of electrochromism thin films deposited by RF magnetron sputtering (RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 전기변색 박막의 물성평가)

  • Jo, Sang-Hyeon;Lee, Jae-Geun;Lee, Seong-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2015.05a
    • /
    • pp.105-105
    • /
    • 2015
  • 전기변색 (electrochromism) 박막은 전기화학적 산화, 환원 과정을 통해 가역적인 광학 특성의 변화를 갖는 현상을 말하며, 이를 이용한 전기변색 소자(electrochromic device)는 전력 소모가 적고 변색 효율이 크다는 장점으로 인해 Smart window, display, mirror 등에 응용 될 수 있다. 본 연구에서는 대표적인 전기 변색 물질인 WxOy, NixOy 전기 변색 재료의 Sputtering법으로 증착한 박막의 특성에 대하여 평가하였다.

  • PDF

RF 마그네트론 스퍼터로 제조한 투명전극용 AZO 박막의 특성

  • 허재성;손창식;김동환;최인훈;탁성주
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
    • /
    • 2005.09a
    • /
    • pp.129-132
    • /
    • 2005
  • 투명전극용 AZO 박막을 RF 마그네트론 스퍼터로 낮은 온도에서 제조하였다. Al을 도핑한 ZnO 박막을 유리위에 증착하였고, AZO의 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막은 hexagonal wurtzite 구조를 가진 다결정계이다. 이 박막은 가시광선 영역에서 $90.7\%$ 이상의 투과율을 보였고, 가장 낮은 비저항 값은 $5.86{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$이었다.

  • PDF

Characteristics Of TiO$_2$ Optical Thin Films With Ag Content by RF Magnetron Co-sputtering Method (RF magnetron co-sputtering으로 제작한 TiO$_2$ 광학 박막의 Ag 함량에 따른 특성)

  • 김상철;김의정;한성홍
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
    • /
    • 2003.07a
    • /
    • pp.282-283
    • /
    • 2003
  • TiO$_2$ 박막은 높은 굴절률과 유전 상수를 가지며, 가시광선과 근적외선 영역에서 우수한 투과성을 나타낸다. 따라서, 전기적, 광학적 특성이 우수한 광학코팅에 응용되고 있다. 또한 화학적으로 안정하고 비교적 큰 에너지 밴드 갭을 지닌 반도체 물질로서 유전체 다층 박막을 제작하는데 있어서 중요한 물질로 사용되고 있다. TiO$_2$ 박막을 제작하기 위한 물리적인 방법으로는 sputtering, anodic 또는 thermal, e-beam evaporation 등이 이용되고 있으며, sol-gel법, CVD 등과 같은 화학적인 방법도 이용되고 있다. (중략)

  • PDF