• Title/Summary/Keyword: RF 특성

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Effects of Restricted Feeding Method on Growth Performance, Carcass Characteristics and Economic Efficiency in Finishing Pigs (제한 급여 방법이 비육돈의 성장, 도체특성 및 경제성에 미치는 영향)

  • Min, Ye-Jin;Jung, Hyun-Jung;Kim, Ki-Hyun;Kim, Jo-Eun;Yu, Dong-Jo;Jeong, Yong-Dae;Kim, Young-Hwa;Kim, Doo-Wan;Choi, Yo-Han
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.20 no.11
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    • pp.394-401
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    • 2019
  • This study examined the effects of restricted feeding on the growth performance, carcass characteristics, and economic efficiency of finishing pigs for 27 days. A total of 24 finishing pigs (Landrace×Yorkshire×Duroc, average initial body weight of 81.52±1.11 kg) were allotted randomly to two treatments with 12 replicates (one pig per replicate). The experimental treatments were ad libitum feeding (AF), and restricted feeding (RF) with a 10% increase in offered feed than the day before if required. The results showed that the average daily feed intake (ADFI; p<0.001) of the pigs were improved in the RF treatment, but there were no changes in the average daily gain and weight gain to feed intake ratio (G:F). There were no significant differences in carcass weight and backfat thickness. In addition, the total pork price per pig was not affected by RF. Although total feed intake (TFI) and total feed intake cost (TFC) were significantly lower in the RF pigs (p<0.001), the feed cost per 1 kg weight gain (FCG) was similar regardless of the treatments. In conclusion, the RF method may decrease the feed cost due to a lower TFI and TFC.

Fabrication of High-Frequency Packages for K-Band CMOS FMCW Radar Chips Using RF Via Structures (RF 비아 구조를 이용한 K-대역 CMOS FMCW 레이더 칩용 고주파 패키지의 제작)

  • Shin, Im-Hyu;Park, Yong-Min;Kim, Dong-Wook
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.23 no.11
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    • pp.1228-1238
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    • 2012
  • In this paper, we design, fabricate and measure two kinds of high-frequency packages for K-band CMOS FMCW radar chips using RF via structures. The packages are fabricated with the conventional PCB process and LTCC process. The design centering of the packages is performed at 24 GHz and impedance variation caused by the wire bonding and RF via structure is fully evaluated using 3D electromagnetic simulation. The RF via structure with characteristic impedance of $50{\Omega}$ is used to reduce impedance mismatch loss. Two kinds of test packages with back-to-back connected RF paths are fabricated and measured for the design verification of the PCB-based package and LTCC package. Their measured results show an insertion loss of less than 0.4 dB at 24 GHz and less than 0.5 dB for 20~29 GHz. The measured return loss is less than -13 dB for the PCB-based package and less than -15 dB for the LTCC package in the frequency band, but the return loss of the package itself is predicted to be better than that of the test package by about 5 dB, because the ripples of the back-to-back connection typically degrade the return loss by 5 dB or more.

Design of a CMOS Tx RF/IF Single Chip for PCS Band Applications (PCS 대역 송신용 CMOS RF/IF 단일 칩 설계)

  • Moon, Yo-Sup;Kwon, Duck-Ki;Kim, Keo-Sung;Park, Jong-Tae;Yu, Chong-Gun
    • Journal of IKEEE
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    • v.7 no.2 s.13
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    • pp.236-244
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    • 2003
  • In this paper, RF and IF circuits for mobile terminals which have usually been implemented using expensive BiCMOS processes are designed using CMOS circuits, and a Tx CMOS RF/IF single chip for PCS applications is designed. The designed circuit consists of an IF block including an IF PLL frequency synthesizer, an IF mixer, and a VGA and an RF block including a SSB RF mixer and a driver amplifier, and performs all transmit signal processing functions required between digital baseband and the power amplifier. The phase noise level of the designed IF PLL frequency synthesizer is -114dBc/Hz@100kHz and the lock time is less than $300{\mu}s$. It consumes 5.3mA from a 3V power supply. The conversion gain and OIP3 of the IF mixer block are 3.6dB and -11.3dBm. It consumes 5.3mA. The 3dB frequencies of the VGA are greater than 250MHz for all gain settings. The designed VGA consumes 10mA. The designed RF block exhibits a gain of 14.93dB and an OIP3 of 6.97dBm. The image and carrier suppressions are 35dBc and 31dBc, respectively. It consumes 63.4mA. The designed circuits are under fabrication using a $0.35{\mu}m$ CMOS process. The designed entire chip consumes 84mA from a 3V supply, and its area is $1.6㎜{\times}3.5㎜$.

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Studies of Seed Germination in Panax ginseng C. A. Meyer III. Seasonal Changes of Germination Inhibitors during Ripening (인삼종자의 발아특성에 관한 연구 III. 등숙과정에 있어서 발아억제물질의 경시적변화)

  • Choe, Gyeong-Gu;Norindo Takahashi
    • KOREAN JOURNAL OF CROP SCIENCE
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    • v.23 no.1
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    • pp.55-59
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    • 1978
  • This study was carried out to investigate the sea sonal changes of the contents of inhibitors in leaves and fruits of Ginseng plant during ripening. Three kinds of inhibitors in leaves and all parts of fruit, i.e., seed, sarcocarp and endocarp were recognized at the Rf 0.1, 0.4-0.6 and 0.8-1.0 zones by the bioassay of lettuce seed germination. Among them, the level of the inhibitor at the Rf 0.4-0.6 zone in leaf and seed increased most significantly in accordance with fruit ripening. The activities of three inhibitors found in endocarp gradually decreased during ripening.

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Development of the passive tag RF-ID system at 2.45 GHz (2.45 GHz 수동형 태그 RF-ID 시스템 개발)

  • 나영수;김진섭;강용철;변상기;나극환
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.41 no.8
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    • pp.79-85
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    • 2004
  • In this paper, the RF-ID system for ubiquitous tagging applications has been designed, fabricated and analysed. The RF-ID System consists of passive RF-ID Tag and Reader. The passive RF-ID tag consists of rectifier using zero-bias schottky diode which converts RF power into DC power, ID chip, ASK modulator using bipolar transistor and slot loop antenna. We suggest an ASK undulation method using a bipolar transistor to compensate the disadvantage of the conventional PIN diode, which needs large current Also, the slot loop antenna with wider bandwidth than that of the conventional patch antenna is suggested The RF-ID reader consist of patch array antenna, Tx/Rx part and ASK demodulator. We have designed the RF-ID System using EM and circuit simulation tools. According to the measured results, The power level of modulation signal at 1 m from passive RF-ID Tag is -46.76 dBm and frequency of it is 57.2 KHz. The transmitting power of RF-ID reader was 500 mW

A Study on the Growth of ZnO Thin Films Deposited on the Sapphire Sustrates (사파이어기판 상의 ZnO 박막 성장에 관한 연구)

  • Lee, Yong-Ui;Kim, Hyeong-Jun;Yang, Hyeong-Guk;Park, Jong-Cheol;Kim, Yu-Taek;Kim, Yeong-Jin
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.3
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    • pp.341-346
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    • 1996
  • R-sapphire 기판위에 rf magnetron 스퍼터 방법으로 ZnO 박막을 증착하여 박막의 증착변수에 따른 결정성장방향과 SAW 특성을 분석하였다. 증착온도, 압력, rf 전력에 의해 박막 성장면이 (002)에서 (110)으로의 전이가 관찰되었다. 5mTorr, 40$0^{\circ}C$, 250W의 rf 전력에서 가장 우수한 (110)방향의 에피 ZnO 압전 박막의 SAW 특성을 분석하기 위하여 제작된 마스크를 사용하여 IDT를 구성한 후 SAW 특성을 분석한 결과 h/λ=0.08의 조건에서 전단속도가 약 5232m/s로서 고주파용 SAW 필터의 제조에 적합한 특성을 보이고 있다.

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RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 ZnO:Al 박막의 열공정에 따른 특성

  • Kim, Deok-Gyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.56.1-56.1
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    • 2015
  • RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유리 기판위에 ZnO:Al 박막을 증착하고 열공정에 따른 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 열공정 파라미터로는 공정 온도와 어닐링 온도를 이용하였다. 각각의 열공정 파라미터 변화에 따라 ZnO:Al 박막의 특성이 영향 받음을 확인하였다. 모든 샘플에서(002) 우선 배향성을 보였으며 80% 이상의 투과도 특성을 보였다. 하지만, 열공정에 따라 결정성이 나빠지기도 좋아지기도 하였다. 표면 거칠기는 열공정 종류에 상관없이 온도 증가에 따라 증가하였다. 또한, 투과도도 열공정 종류에 상관없이 온도 증가에 따라 감소함을 보인 반면 광학적 밴드갭은 적색이동 현상을 나타내었다. 적색이동 현상은 Burstein-Moss effect와 관련이 있으며 온도증가에 따라 캐리어 이동도가 감소하여 나타난 현상이다. 열공정에서 따라 비저항이 민감하게 변화하였다. 각각의 열공정에서 온도가 증가함에 따라 비저항이 증가하였고 캐리어 농도와 이동도는 감소함을 보이고 있다. ZnO:Al 박막의 화학적인 상태를 분석한 결과, 열공정 온도에 따라 Al 농도 변화와 불순물 표면 흡착 변화가 발생하였으며 이에 따라캐리어 농도와 이동도의 감소가 나타난 것으로 판단된다.

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Design of Mobile Antenna Element for DBS (이동체 탑재에 적합한 DBS 수신용 안테나 소자 설계)

  • Lee Yong-Ki;Kim Sung-Nam;Kim Young-Sik;Cheon Chang-Yul
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 2003.08a
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    • pp.12-15
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    • 2003
  • 이동체 탑재형 안테나는 특성상 소형화 및 신호 추적 시간 단축이 중요한 요소이다. 이러한 특성은 위상변위기를 이용한 전자적인 빔 조향 방식으로 한층 더 보완할 수 있다. 현재 이동체에서 주로 사용되고 있는 DBS (Direct Broadcasting Satellite) 수신용 안테나는 패치 및 슬롯 형태의 안테나 소자를 배열하여 사용한다. 하지만 이러한 안테나 소자는 전방위각에 대해 인공위성 방향(앙각 45도)에서 이득 손실이 있기 때문에 위상변위기를 이용한 빔 조향 방식에서 사용하기에는 문제점을 가지고 있다. 따라서 모든 방위각에 대해 앙각 45도에서 최대 이득 특성을 갖는 안테나 소자를 이용해 이득 손실을 줄이는 것은 큰 의미가 있다. 본 논문에서는 monopole 주변에 PBG(Photonic Band Gap) 구조를 구현함으로써 표면파를 억제하여 앙각 45도 방향에서 최대 이득 특성을 보이는 안테나 소자를 제안한다.

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Effects of In concentration and substrate temperature on properties of ZIO films deposited by RF magnetron sputtering (RF 스퍼터링법에 의해 증착한 ZIO 박막의 물성에 미치는 In 함량과 기판온도의 영향)

  • Park, Se-Hun;Park, Ji-Bong;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.135-135
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    • 2009
  • ZIO 박막은 RF 마그네트론법으로 다양한 $In_{2}O_{3}$ 함량을 소결체 ZIO 타겟을 사용하여 유리 기판위에 증착되었다. $In_{2}O_{3}$ 9.54 wt%를 함유한 ZIO 타겟을 이용하여 PT에서 증착한 박막이 가장 낮은 비저항 $9.13{\times}10^{-4}{\Omega}cm$를 나타내었다. 전기적 특성을 향상시키기 위하여 기판온도를 상승하였으나 오히려 전기적 특성이 저하되는 결과를 나타났다. 게다가 기계적 특성 역시 기판온도 상승에 따라 저하되었다. 한편 XRD 측정을 통하여 기판온도 200과 $300^{\circ}C$에서 ZnO (002) 면과 $In_{2}O_{3}$ (400) 면이 동시에 관찰되었다. 그러므로 전기적, 기계적 특성의 저하는 상분리, 결정립크기의 감소와 같은 결정성 저하에 기인한다고 생각된다.

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태양전지 응용을 위한 산소 플라즈마 처리에 따른 AZO 박막의 특성

  • Lee, Jae-Hyeong;Seo, Mun-Su;Park, Yong-Seop
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.320.2-320.2
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    • 2013
  • 본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 AZO 박막을 증착하였다. 증착되어진 AZO 박막은 플라즈마 화학기상증착장치를 이용하여 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 가스로는 산소가스를 사용하였으며, AZO 박막을 산소플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 박막의 특성이 변화되는 것을 관찰하였다. RF 마그네트론 스퍼터링 장치로 증착되어진 AZO 박막의 비저항값과 투과율을 측정한 결과 각각 $5.6{\times}10-4\;{\Omega}{\cdot}cm$과 80%를 나타내었다. 증착되어진 AZO 박막을 플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 산소플라즈마 처리를 실시하였고, 플라즈마 처리가 되어진 AZO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성등을 고찰하였으며, 태양전지 응용을 위하여 AZO 박막의 기계적인 특성들을 고찰하였다.

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