• 제목/요약/키워드: RF/MM Wave

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X밴드 FMCW 레이더용 광대역 저항성 주파수 혼합기 구현 (Implement of Broadband Resistive Mixer for X-band FMCW Radar)

  • 박동국;한태경
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제31권8호
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    • pp.970-974
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    • 2007
  • A mixer is a key component in the wireless communication systems. In this paper, we design a mixer which is used in a frequency modulated continuous wave(FMCW) radar system. The frequency sweep range of the radar is from 10 GHz to 11 GHz. The transmitted and received signals of the FMCW radar are applied to LO and RF ports of the mixer, respectively, but the frequency difference between the two signals, which is called "a beat frequency" is under a few KHz and depending on the distance to target. Thus the isolation between the LO and RF ports is very important factor to design this mixer. In this paper we propose a single balanced resistive mixer using GaAs MESFET for this application. We first design a single-ended type resistive mixer using a simulation tool, then design a balanced type to increase the LO-to-RF isolation of the mixer. We fabricated the mixer on the substrate of dielectric constant 10 and thickness 0.635 mm. The measured results show that the isolation and conversion loss of the mixer over the frequency band is 20dB and 10.5dB, respectively. The LO input power for operating the proposed mixer is +3dBm, which is lower than a general conventional mixer's LO power. The 1 dB compression point is 6dBm.

Studies of MIMIC Power amplifier for millimeter-waves

  • Rhee, Eung-Ho;Yoon, Jin-seub;Cho, Seung-ki;Yoon, Jin-seub
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -2
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    • pp.1009-1012
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    • 2000
  • In this paper, we have designed and fabricated power PHEMT’s with an unit gate width of 80$\mu\textrm{m}$ and 4 fingers, and MIMIC power amplifiers using the PHEMT’s as well. The PHEMT’s have a 0.2$\mu\textrm{m}$ gate length and source to drain spacing of 3$\mu\textrm{m}$. The characteristics of the fabricated PHEMT’s are 4.08dB of S$\sub$21/ gain at the 35GHz and 317mS/mm of gm, and 62GHz of f$\sub$T/ and 120GHz of f$\sub$max/. The designed and fabricated MIMIC’s power amplifiers with 6 PHEMT’s and MIN capacitors were fully passivated by 1000 Α of Si$_3$N$_4$ film for higher performance and surface protects. The chips were processed using the MINT processes, and size was 3.25 ${\times}$ 1.8$\textrm{mm}^2$. The fabricated MIMIC power amplifiers have RF characteristics such as 11.25dB of S$\sub$21/ gain, 11.37dB of input return-loss and 12.69dB of output return-loss at the 34.55GHz.

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A System-in-Package (SiP) Integration of a 62GHz Transmitter for MM-wave Communication Terminals Applications

  • Lee, Young-Chul;Park, Chul-Soon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제4권3호
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    • pp.182-188
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    • 2004
  • We demonstrate a $2.1\;{\times}\;1.0\;{\times}\;0.1cm^3$ sized compact transmitter using LTCC System-in-Package (SiP) technology for 60GHz-band wireless communication applications. For low-attenuation characteristics and resonance suppression of the SiP, we have proposed and demonstrated a coplanar double wire-bond transition and novel CPW-to-stripline transition integrating air-cavities as well as novel air-cavities embedded CPW line. The fabricated transmitter achieves an output of 13dBm at a RF frequency of 62GHz, an IF frequency of 2.4GHz, and a LO frequency of 59.6GHz. The up-conversion gain is 11dB, while the LO signal is suppressed with the image rejection mixer below -21.4dBc, and the image and spurious signals are also suppressed below -31dBc.

방향성 결합구조의 음향파 도파로를 이용한 음향광학형 파장가변 광 필터의 부모드 억제에 관한 연구 (A study of the sidelobe supprion in an acousto-optic wavelength tunable filter utilizing a SAW-guide directional coupler)

  • 임경훈;정홍식
    • 한국광학회지
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    • 제11권6호
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    • pp.423-428
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    • 2000
  • 방향성 결합 구조의 음향파 도파로를 이용한 편광모드 변환형 파장가변 광 필터를 LiNbO$_3$ 와 Ti 이중 확산 공정기술을 이용하여 제작하였다. 균일 결합구조형 AOTF의 부모드의 크기를 두 음향파 도파로의 방향성 결합형 가중 결합 원리를 이용하여 8 dBwjd도 추가적으로 억제시킬 수 있었다. 1551.6mm 파장의 TE, TM 입사 편광모드와 173.58MHz, 17.78mW RF 구동신호각각에 대해서 -12.68dB 부모드 억압과 90% 변환효율이 측정되었다. 파장변화율과 통과 대역폭은 각각 8.86nm/ MHz, 1.7nm로 측정되었다.

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자동 이득제어 루프를 이용한 CMOS RF 전력 검출기 (A CMOS RF Power Detector Using an AGC Loop)

  • 이동열;김종선
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권11호
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    • pp.101-106
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    • 2014
  • 본 논문에서는 자동 이득 제어 회로를 이용한 와이드 다이나믹 레인지 RF root-mean-square (RMS) 전력 검출기를 소개한다. 제안하는 자동 이득 제어는 voltage gain amplifier (VGA), RMS 변환 블록, 이득 조절 블록으로 구성되어 있다. VGA는 dB-linear한 이득 관계를 갖는 캐스코드 VGA를 사용하였다. 제안하는 RMS 변환은 입력 신호 전 파장의 제곱 변환을 이용하여 RMS에 비례하는 DC 전압을 출력한다. 제안하는 RMS 전력 검출기는 500MHz에서 5GHz에서 작동하며 검출 범위는 0 dBm에서 -70dBm 이상의 신호를 -4.53 mV/dBm의 비율로 검출한다. 제안하는 RMS 전력 검출기는 TSMC 65nm 공정을 사용하여 설계되었으며 1.2V에서 5mW의 전력소비를 갖는다. 칩 레이아웃 면적은 $0.0097mm^2$이다.

Design and Fabrication of Dual Linear Polarization Antenna for mmWave Application using FR-4 Substrate

  • Choi, Tea-Il;Yoon, Joong-Han
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제27권3호
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    • pp.71-77
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    • 2022
  • 본 논문에서는 mmWave 대역에서 이중 직선편파 특성을 갖는 1×2 배열안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 두 개의 마이크로스트립 선로 급전구조를 갖도록 하였으며 유전율은 4.3이고 두께가 0.4 mm인 RF-4 유전체 기판위에 설계되었다. 제안된 1×2 배열안테나의 패치안테나 크기는 각각 2.33 mm×2.33 mm이며 전체 기판의 크기는 13.0 mm×6.90 mm이다. 제작 및 측정결과, 급전 위치가 포트 1일 때 1.13 GHz (28.52~29.65 GHz) 그리고 급전위치가 포트 2일 때 1.08 GHz (28.45~29.53 GHz) 임피던스 대역폭을 얻었다. 급전위치가 포트가 1일 때 편파분리도는 수직편파의 경우, 7.68 dBi에서 16.90 dBi 범위의 수평편파의 경우, 7.46 dBi에서 15.97 dBi 범위의 측정값을 얻었다. 급전위치가 포트 2일 때 편파분리도는 수직편파의 경우, 8.59 dBi에서 13.72 dBi 범위의 수평편파의 경우, 03 dBi에서 14.0 dBi 범위의 측정값을 각각 얻었다.

Metamorphic HEMT를 이용한 우수한 성능의 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기 (High-performance 94 GHz MMIC Low Noise Amplifier using Metamorphic HEMTs)

  • 김성찬;안단;이진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권8호
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    • pp.48-53
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    • 2008
  • 본 논문에서는 100 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT (high electron mobility transistor)를 이용하여 94 GHz 대역 응용에 적용 가능한 MMIC (millimeter-wave monolithic integrated circuit) 저잡음 증폭기를 구현하였다. 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기 구현을 위하여 제작된 $100nm\times60{\mu}m$ MHEMT의 측정결과, 655 mA/mm의 드레인 전류 밀도, 720 mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195 GHz, 최대공진주파수는 305 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 구축된 MHEMT와 CPW 라이브러리를 이용하여 구현된 MMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 94 GHz에서 $S_{21}$ 이득은 14.8 dB, 잡음지수는 4.6 dB의 우수한 특성을 얻었다. 전체 칩의 크기는 $1.8mm\times1.48mm$이다.

Design and simulation of a rectangular planar printed circuit board coil for nuclear magnetic resonance, radio frequency energy harvesting, and wireless power transfer devices

  • Mostafa Noohi;Adel Pourmand;Habib Badri Ghavifekr;Ali Mirvakili
    • ETRI Journal
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    • 제46권4호
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    • pp.581-594
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    • 2024
  • In this study, a planar printed circuit board (PCB) coil with FR4 substrate was designed and simulated using the finite element method, and the results were analyzed in the frequency domain. This coil can be used in wireless power transfer (WPT) as a transmitter or receiver, eliminating wires. It can also be used as the receiver in radio frequency energy-harvesting (RF-EH) systems by optimizing the planar PCB coil to convert radio-wave energy into electricity, and it can be employed as an excitation (transmitter) or receiver coil in nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy. This PCB coil can replace the conventional coil, yielding a reduced occupied volume, a fine-tuned design, reduced weight, and increased efficiency. Based on the calculated gain, power, and electromagnetic and electric field results, this planar PCB coil can be implemented in WPT, NMR spectroscopy, and RF-EH devices with minor changes. In applications such as NMR spectroscopy, it can be used as a transceiver planar PCB coil. In this design, at frequencies of 915 MHz and 40 MHz with 5 mm between coils, we received powers of 287.3 μW and 480 μW, respectively, which are suitable for an NMR coil or RF-EH system.

PCB 기판을 이용한 RF용 SAW 필터 개발 (Development of the RF SAW filters based on PCB substrate)

  • 이영진;임종인
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권11호
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    • pp.8-13
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    • 2006
  • 최근 RF용 탄성표면파 필터는 HTCC 패키지를 이용한 칩스케일 패키지 공법으로 제작되고 있다. 본 연구에서는 HTCC 패키지를 이용하는 대신에 BT 레진 계열의 PCB 기판을 이용하여 $1.4{\times}1.1$$2.0{\times}1.4mm$ 규격을 가지는 새로운 SAW RF 필터를 개발하였다. 본 기술을 적용하여 기존대비 약 40% 이상의 재료비 절감효과를 얻을 수 있다. 다층 PCB 기판과 $LiTaO_3$ 탄성표면파 기간간의 플립 본딩 조건을 최적화하였고, 적절한 PCB 재료선정을 통하여 PCB 기판 및 에폭시 라미네이팅 필름간의 열팽창계수 차이로 인해 발생하는 응력을 최소화시켰다. 이렇게 개발된 탄성표면파 필터는 기존의 제품에 비해 신뢰성 및 전기적 특성면에서 향상된 특성을 보였다.

InAlAs/InGaAs/GaAs 100 nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구 (Optimization Study on the Epitaxial Structure for 100nm-Gate MHEMTs with InAlAs/InGaAs/GaAs Heterostructure)

  • 손명식
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.107-112
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    • 2011
  • This paper is for improving the RF frequency performance of a fabricated 100nm ${\Gamma}$-gate MHEMT, scaling down vertically for the epitaxy-structure layers of the device. Hydrodynamic simulation parameters are calibrated for the fabricated MHEMT with the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}$As heterostructure grown on the GaAs substrate. With these calibrated parameters, simulations for the vertically-scaled epitaxial layers of the device are performed and analyzed for DC/RF characteristics, including the quantization effect due to the thickness reduction of InGaAs channel layer. A newly designed epitaxy-structure device shows higher extrinsic transconductance, $g_m$ of 1.556 S/mm, and higher frequency performance, $f_T$ of 222.5 GHz and $f_{max}$ of 849.6 GHz.