• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2009.05a
• /
• pp.188-188
• /
• 2009

ZIO 박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 기판 가열 없이 상온에서 non-alkali 유리 기판 위에 증착하였다. RF/(DC+RF) 비율은 0%에서 100%까지 25% 비율로 증가시키면서 전체 파워는 80W로 유지하였다. 100%의 RF/(DC+RF) 비율에 의해 증착된 ZIO 박막에서 $1.28{\times}10^{-3}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항을 나타내었으며, 이것은 캐리어 농도의 증가에 기인되어진다고 생각된다. 한편, 결정성은 50%의 RF/(DC+RF) 비율로 증착된 ZIO 박막에서 가장 우수하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.327-327
• /
• 2013

본 연구에서는 $SiO_2$ Target과 $In_2O_3$ Target으로 co-sputtering방법을 이용해 증착한 Si-doped $In_2O_3$ (ISO) 박막의 Si 도핑 농도에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 연구하였고, 이를 유기태양 전지(OPVs) 에 적용함으로써 그 가능성을 타진하였다. $In_2O_3$ target의 DC power를 100 W로 고정시킨 채 $SiO_2$ target의 RF power 크기를 20~60 W 변화시키면서 상온에서 실험을 진행한 결과 최적 조건은 박막의 두께가 200 nm일 때 Working pressure는 3 mTorr이고, RF power는 50 W이었다. 이 조건으로 제작된 ISO 박막은 550 nm에서 81.51%의 광투과율과 51.91 Ohm/sq.의 비교적 낮은 면저항이 나타남을 Hall measurement 및 UV/Vis spectroscopy 분석을 통해 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 분석법과 Transmission Electron Microscope 분석법을 통해 $SiO_2$ 도핑 power가 50 W 이상으로 증가할 경우 ISO 박막의 결정성이 감소하여 완벽한 비정질상의 ISO 투명박막이 형성됨을 확인할 수 있었다. 비정질 특성을 갖는 ISO 투명 전극을 이용하여 유기 박막형 태양전지를 제작한 결과 Voc (0.576 V), Jsc (7.671 mA/$cm^2$), FF (62.96%), PCE (2.78%)의 특성을 나타냄으로서 co-sputtering 공정을 통해 최적화된 ISO 박막을 유기 박막형 태양전지에 적용함으로써 광전소자로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.15-18
• /
• 2001

The Mo/si multilayer for EUV lithography was deposited using magnetron sputtering system. The multilayers were characterized using the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) and low/high angle X-ray diffraction (XRD). The microstructure of Mo and Si was highly textured structure and amorphous, respectively. The well-defined low angle XRD peaks implies a well-defined multilayer structure. The interfacial layer of Mo-on-Si was thicker than Si-on-Mo interfacial layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2007.04a
• /
• pp.116-117
• /
• 2007

In-Sn-Zn-O 박막을 2개의 케소드(DC, RF)를 이용해magnetron co-sputtering법으로 polycarbonate (PC)기판위에 성막하였다. ITO와 ZnO 타겟은 각각 DC와 RF power supply에 의해 스퍼터 되었다. ISZO 박막의 가장 낮은 비저항은 RF power 55W 일 때 얻을 수 있었고, 이것은 케리어 밀도의 증가에 의한 것이라 생각되어 진다.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
• /
• v.65 no.12
• /
• pp.2014-2018
• /
• 2016

Transparent, conductive electrode films, showing the particular characteristics of good conductivity and high transparency, are of considerable research interest because of their potential for use in opto-electronic applications, such as smart window, photovoltaic cells and flat panel displays. Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than widely-used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using RF/DC magnetron sputtering system. The multilayer structure consisted of three layers, [NiInZnO(NIZO)/Ag/NIZO]. The optical and electrical properties of the multilayered NIZO/Ag/NIZO structure were investigated in relation to the thickness of each layer. The optical and electrical characteristics of multilayer structures have been investigated as a function of the Ag and NIZO film thickness. High-quality transparent conductive films have been obtained, with sheet resistance of $9.8{\Omega}/sq$ for Ag film thickness of 8 nm. Also the multilayer films of inserted Ag 8 nm thickness showed a high optical transmittance above 93% in the visible range. The electrical and optical properties of the new multilayer films were mainly dependent on the thickness of Ag insertion layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.209-209
• /
• 2012

고 해상도를 요구하는 차세대 디스플레이에서 ITO 박막은 매우 얇은 두께에서 높은 투과율과 고 전도성을 동시에 가져야 한다. 이러한 박막 물성을 함께 가지는 고품질 ITO 초박막을 제조하기 위해서 DC와 RF의 장점을 동시에 가지는 DC/RF 중첩형 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 다양한 $SnO_2$ 함량을 가진 ITO 초박막(~50 nm)을 증착하여 물성 및 미세 구조 변화를 관찰 하였다. 또한, 상온과 결정화 온도 이상에서 증착한 ITO 초박막의 $SnO_2$ 함량에 따른 박막의 전기적, 광학적 거동 및 미세구조의 변화를 확인하는 동시에, RF/(DC+RF) 중첩 비율에 따른 ITO 초박막의 물성 변화를 확인 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.19 no.8
• /
• pp.764-768
• /
• 2006

For the possible application of pearl pigment, multi-layered $TiO_2/Al,\;Cr/TiO_2$ thin film were deposited on $SiO_2$ substrate by using sputtering method, $TiO_2$ and Al or Cr was selected as a possible high and low refraction material at the film interface respectively. Optical properties including color effect were systematically studied in terms of different film thickness and film layers by using spectrometer. In order to expect the experimental results, the simulation program, the Essential Macleod Program(EMP) was adopted and compared with the experimental data. The film consisting of $TiO_2/Al,\;Cr/TiO_2$ layers shows a wavelength range of $430{\sim}760nm$, typically color ranges between bluish purple and red. It was confirmed that this experimental result was quite well consistent with the experimental one.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.202-202
• /
• 2012

CIGS 단일 타켓을 DC 및 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 파워별로 Mo/SLG위에 증착하여 미세구조 및 화학 조성 평가를 실시하였다. 파워가 증가함에 따라 이온의 운동에너지 증가에 따라서 결정성이 향상되었음을 확인할 수 있었다. DC 마그네트론 스퍼터링의 경우 40W에서 가장 결정성이 좋았으며, RF 마그네트론 스퍼터링은 80W에서 높은 결정성을 확인할 수 있었다. 이는 DC power 40W와 RF power 80W에서 박막의 조성이 화학양론을 만족하고 grain의 성장이 잘 되었기 때문에 높은 결정성을 나타났다고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.178.2-178.2
• /
• 2015

In and Ga doped ZnO (IGZO) films were deposited on 5 nm thick Cu film buffered Polycarbonate (PC) substrates with RF magnetron sputtering and then the effect of Cu buffer layer on the optical and electrical properties of the films was investigated. While IGZO single layer films show the electrical resistivity of $1.2{\times}10-1{\Omega}cm$, IGZO/Cu bi-layered films show a lower resistivity of $1.6{\times}10-3{\Omega}cm$. Although the optical transmittance of the films in a visible wave length range is deteriorated by Cu buffer layer, IGZO films with 5 nm thick Cu buffer layer show the higher figure of merit of $2.6{\times}10-4{\Omega}-1$ than that of the IGZO single layer films due to the enhanced opto-electrical performance of the IGZO/Cu bi-layered films.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2005.07a
• /
• pp.466-467
• /
• 2005

Al doped zinc oxide films (ZnO:Al) were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering from a ZnO target mixed with 2 wt% $Al_2O_3$. The as-deposited ZnO:Al films were rapid-thermal annealed. Electrical properties and structural evolution of the films, as annealed by rapid thermal process (RTP), were studied and compared with the films annealed by conventional annealing process. RTP, the (002) peak intensity increases and the electrical resistivity decreases by 20%, after RT annealing. The effects of RT annealing on the structural evolution and electrical properties of RF sputtered films were further discussed and compared also with the films deposited by DC magnetron sputtering.