• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권5호
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• pp.24-27
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• 2003

We have been investigated phase-change with temperature and electric field in chalcogenide Ge$_2$Sb$_2$Te$\sub$5/ thin film. T$\sub$c/(crystallization temperature) is confirmed by measuring the resistance with the varying temperature on the hotplate. We have measured I-V characteristics with Ge$_2$Sb$_2$Te$\sub$5/ chalcogenide thin film. It is compared with I-V characteristics after impress the variable pulse. The pulse has variable height and duration.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제2권4호
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• pp.8-13
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• 1997

This paper describes a scalable systolic synchronous memory for digital signal processing and packet switching. The systolic synchronous memory consists of the 2-D array of small memory blocks which are fully pipelined and communicated in three directions with adjacent blocks. The maximum delay of a small memory block becomes the operation speed of the chip. The array configuration is scalable for the entire memory size requested by an application. it has the initial latency of N+3 cycles with NxN array configuration. We designed an experimental 200 MHz 4Kb static RAM chip with the 4x4 array configuration of 256 SRAM blocks. It was fabricated is 0.8$\mu\textrm{m}$ twin-well single-poly double-metal CMOS technology.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송공학회 2002년도 정기총회 및 학술대회
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• pp.21-24
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• 2002

본 논문에서는 광대역 무선 데이터 서비스용으로 표준화된 WLAN IEEE 802.11a Convolutional 부호기의 펑처링 패턴에 따른 성능을 분석하고, 간략화 된 구현 방법을 제시한다. 제한된 주파수 대역에서 Convolutional 부호기의 구조를 변경함이 없이 정보 전송율을 향상시키기 위해 부호기에서 출력되는 비트열을 일정한 비트 간격마다 1비트씩 생략하는 펑처링 기법이 주로 이용된다. IEEE 802.11a WLAN 채널코딩에서도 부호율이 l/2, 구속장 7인 Convolutional 부호기를 기반으로 2/3와 3/4과 같은 높은 부호율을 얻기 위해 펑처링 기법을 채택하고 있다. 본 논문에서는, 단일 하드웨어 구조를 사용해서 1/2의 기본 부호율로부터 전송율에 따라 WLAN IEEE 802.11a의 펑처링에 의한 부호율 2/3와 3/4에서, 부호기의 구조를 간략화하기 위해 펑처링 패턴 구조에 따른 부호화 성능을 조사하고 단일하드웨어 구조를 사용해서 이들 부호율의 시스템을 구현할 수 있도록 한다. 모의 실험에서는 부가 백색 가우시안 잡음 현상이 존재하는 채널을 모델링 해서, BPSK와 QPSK의 변조방법에 대해 WLAN IEEE 802.11a 펑처링 패턴에 따른 부호화 성능을 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.265.2-265.2
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• 2013

We fabricate poly(3,4-ethylenedioxythiopene patterns using liquid-bridge-mediated nanotransfer (LB-nTM) printing via vapor phase polymerization (VPP). LB-nTM printing method can simultaneously enable the synthesis, alignment and patterning of the nanowires from molecular ink solutions. Two- or three-dimensional complex structures of VPP-PEDOT were directly fabricated over a large area using many types of molecular inks. VPP method is a versatile technique that can be used to obtain highly conducting coatings of conjugated polymer on both conducting and non-conducting substrates. The PEDOT patterns has analyzed crystallinity from X-ray diffraction pattern and select-area diffraction patterns. In addition, the PEDOT pattern has high conductivity compared other conducting polymers.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.567-574
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• 2006

이 논문은 3차원 손실 정수 웨이브릿 변환을 이용한 손실 의료 영상 압축에 대한 방법을 보여준다. 또한 의료영상에 3차원 불균형 트리 웨이브릿 분할법과 3차원 불균형 수평단면상 의존성 트리를 이용한 불균형 트리 구조 알고리즘을 제공 한다. 그리고 3차원 웨이브릿 분할법에서 정수 웨이브릿 필터들을 이용한 리프팅 방법을 보여준다. 여러 정수 필터들과 16개의 코딩유닛 수를 이용하여 의료영상을 우리의 알고리즘으로 만든 인코더를 이용하여 테스트를 했습니다. 코딩 유닛 수 16 개를 사용하여 전에 사용 되었던 방법인 전체 영상 코딩 유닛에 비해 코딩 지연을 줄일 수 있었고, RAM의 용량도 줄일 수 있었다. 또한 불균형의 트리 구조를 사용하여 2차원을 3 레벨 이상으로 사용할 수 있어서, 부호화와 복호화에서 각 픽셀에서 트리의 길이를 마음대로 조정할 수 있는 결과가 되었다. 결론적으로 사이즈가 적은 코딩 유닛과 불균형 웨이브릿 변환을 의료 영상에 적용하여 전에 했던 코딩방법보다도 정수 필터인 I(5,3) 필터 에서는 더욱더 좋은 결과를 보여 준다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.7-14
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• 2000

Bi/sub 4/Ti/sub 3/O/sub 12/ (BIT) 박막을 acetate 계 precursor 를 이용한 sol-gel 법으로 제작한 후, 구조적 및 전기적 특성을 조사하여 NVFRAM (Won-Volatile Ferroelectric RAM)으로의 응용가능성을 조사하였다. DT-TG (Differential Thermal-Thermal Gravimetric) 분석으로 drying 온도와 annealing 온도가 각각 400℃ 와 650℃ 인 BIT 박막의 열처리조건을 확립하였다. Pt/Ta/Sio/sub 2//Si 기판 위에 제작된 BIT 박막은 완전한 orthorhombic perovskite상을 가지며, 입자크기가 약 100nm 이고 표면 거칠기는 약 70.2Å 으로 비교적 치밀한 형상을 나타내었다. 10㎑ 의 주파수에서 비유전률과 유전손실은 각각 176 과 0.038 이었으며, 100 ㎸/cm 의 전기장에서 누설전류밀도는 4.71㎂/㎠ 이었다. ±250㎸/㎝ 에서 이력곡선을 측정한 결과, 잔류분극 (Pr)과 항전계 (Ec)는 각각 5.92μC/㎠ 과 86.3㎸/㎝ 이었다. BIT 박막에 ±5V 의 사각펄스를 인가하여 피로특성을 측정한 결과, 잔류분극은 초기값 5.92μC/㎠ 에서 10/sup 9/회에서는 3.95μC/㎠ 로 약 33% 감소하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권9호
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• pp.29-35
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• 1992

Dielectric thin film of N/O (Si$_{3}N_[4}/SIO_{2}$) for high density stacked dynamic-RAM cell was formed by LPCVD and oxidation(Dry & pyrogenic oxidation methods) of the top Si$_{3}N_[4}$ film. The thickness, structure and composition of this film were measured by ellipsometer, high frequency C-V meter, high resolution TEM, AES, and SIMS. The thickness limit of Si$_{3}N_[4}$ film in making thin N/O structure layer was 7nm. In this experiment, the film with thinner than 7nm was not thick enough as oxygen diffusion barrier, and oxygen punched through the film and interfacial oxidation occurred at the phase boundary between Si$_{3}N_[4}$ and polycrystalline silicon electrode.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권8호
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• pp.2419-2422
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• 2014

The syntheses and crystal structures of a three-dimensional (3D) coordination network $[Zn_4(2-mBIM)_5-(C_2H_6NCOO)(HCOO)({\mu}-OH)]{\cdot}DMF$ ($1{\cdot}$DMF; 2-mBIM = 2-methylbenzimidazolate) and a two-dimensional (2D) layer $[Zn_2(2-mBIM)_3(HCOO)(H_2O)]{\cdot}DMF$ ($2{\cdot}DMF$) are reported. Different structures were produced depending on the ratio of reactants. Structurally, 1 illustrates the formation of a unique framework based on a 2-mBIM bridge with the side group on an imidazole ring, while 2 possesses a honeycomb layer built up purely from imidazolates. For gas sorption, $CO_2$ is adsorbed on the activated phase of 1 but $N_2$ is not taken up.

• KSBB Journal
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• 제27권4호
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• pp.263-267
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• 2012

The purpose of this study was to determine optimum value of aeration rate for the cultivation of Chlorella sp. under illumination of red light emitting diode. The aeration rates varied from 0 to 2.4 vvm under the illumination of 4,400 lux of red light emitting diode. The highest specific growth rate of $1.51\;day^{-1}$ was obtained at the aeration of 0.7 vvm and lower specific growth rates were obtained for other aeration tests. Furthermore, the highest biomass concentration (1.02 g/L) was also obtained at the aeration of 0.7 vvm. Therefore, aeration of 0.7 vvm was determined to be the optimum aeration rate for the cultivation of Chlorella sp. under red light emitting diode.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.280.2-280.2
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• 2016

The graphene, a single atomic sheet of graphite, has attracted tremendous interest owing to its novel properties including high intrinsic mobility, optical transparency and flexibility. However, for more diverse application of graphene devices, it is essential to tune its transport behavior by shifting Dirac Point (DP) of graphene. So, in the following context, we suggest a method to tune structural and electronic properties of graphene using atomic layer deposition. By atomic layer deposition of zinc oxide (ZnO) on graphene using 4-mercaptophenol as linker, we can fabricate n-doped graphene. Through ${\pi}-{\pi}$ stacking between chemically inert graphene and 4-mercaptophenol, conformal deposition of ZnO on graphene was enabled. The electron mobility of graphene TFT increased more than 3 times without considerably decreasing the hole mobility, compared to the pristine graphene. Also, it has high air stability. This ZnO doping method by atomic layer deposition can be applicable to large scale array of CVD graphene TFT.