• 한국군사과학기술학회지
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• 제12권3호
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• pp.360-367
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• 2009

본 논문에서는 위상배열시스템에 적용 가능한 RADANT 위상 스캐닝 개념과 전송선 타입의 부하선로(Loaded Line) 위상변위기 개념에 대하여 고찰하고, 이 두가지 개념을 결합시켜 전자적으로 빔 조향이 가능한 새로운 형태의 RADANT 렌즈를 설계하기 위한 이론적 방법을 제시한다. 제시된 이론적 방법은 간단한 회로 시뮬레이션 결과를 통하여 RADANT 렌즈의 구현 가능성이 확인되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권10호
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• pp.1121-1127
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• 2010

본 논문에서는 X-대역 Radant lens 4-bit 위상 변위기 설계에 필요한 $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$ 위상 변위 레이어(layer) 중에서 $45^{\circ}$ 레이어의 등가회로에 관하여 기술한다. $45^{\circ}$ 위상 변위 레이어에 대한 CST사의 MWS (Microwave Studio)와 Agilent사의 ADS(Advanced Design System) 시뮬레이션을 비교 분석하여 등가회로를 추출하고, 등가회로를 통해 얻을 수 있는 이론치와 측정치를 비교한다. 또한, 추출된 등가회로를 활용하여, 4-bit Radant lens의 위상 bit 시뮬레이션 결과도 제시한다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제12권5호
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• pp.644-651
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• 2009

In this paper, the design results of a $22.5^{\circ}$ diode phase shifter for the RADANT lens and two $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layers for the diode phase shifter are presented. The amount of phase shift introduced by each dielectric layer depends on the thickness and the shape of the metal strip and the electrical property of the diode. The equivalent circuit model is employed to represent the dielectric phase shift layer, and the simulated result of the equival circuit model is compared with the result of the field simulation. The measured data of the fabricated $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$ dielectric phase shift layer shows about $2^{\circ}$ phase shift error.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.45-51
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• 2009

본 논문에서는 주기적인 금속 스트립 패턴을 갖는 유전체 층이 놓인 평행판 도파관내에서의 전파 특성에 대하여 기술하였다. CST사의 MWS(Microwave Studio)를 이용하여 금속 스트립 사이에 연결된 PIN 다이오드의 ON/OFF 상태를 금속 스트립의 단락/개방 상태로 각각 시뮬레이션을 하였고, X-대역 4-bit radant lens 위상변위기에 사용될 수 있는 $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$ 유전체 층을 설계하였다. 설계된 각 유전체 층의 위상차 시뮬레이션 결과는 $11.28^{\circ}$, $23.2^{\circ}$, $46.22^{\circ}$이었다. 또한, Agilent사의 ADS(Advanced Design System)를 이용하여 각 유전체 층에 대한 동작대역에서의 등가회로를 구현 및 시뮬레이션 하였고, MWS 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 최종적으로 $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$ 유전체 층을 제작하여 중심주파수에서 각각 $9.6^{\circ}$, $22.4^{\circ}$, $43^{\circ}$의 측정된 위상차를 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권9호
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• pp.906-913
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• 2009

본 논문에서는 평행판 도파관 내에서 동작하는 X-대역 4-비트($22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$, $90^{\circ}$, $180^{\circ}$ BIT) 다이오드 위상변위기의 설계 개념 및 구현 방법에 관하여 기술한다. 이를 위하여 $11.25^{\circ}$, $22.5^{\circ}$, $45^{\circ}$ 유전체 위상 변위 레이어에 대한 CST사의 MWS(MicroWave Studio)와 Agilent사의 ADS(Advanced Design System) 시뮬레이션 결과를 제시하고, 측정 결과와 비교한다. 시뮬레이션 결과는 각각 $0.6^{\circ}$, $0.7^{\circ}$, $3.5^{\circ}$의 위상 오차가 발생하며, 측정 결과는 $0.6^{\circ}$, $2^{\circ}$, $5.5^{\circ}$의 위상 오차가 발생함을 알 수 있다 또한, 이들을 바탕으로 $22.5^{\circ}$ BIT와 $45^{\circ}$ BIT 위상변위기에 대한 시뮬레이션 결과를 비교, 제시함으로써 4-비트 위상변위기의 설계 개념 및 구현 방법의 타당성을 입증한다.