국내 산업 전반에 걸친 정보화 추세는 건설산업에도 예외가 될 수 없지만, 급속하게 전파되고 있는 인터넷의 활용을 통하여 효율적인 건설품질관리업무를 수행하고 있는 건설업체는 몇몇 대형건설업체에 불과하다. 따라서 본 연구는 국내 H건설의 품질정보관리시스템(QIMS)의 구축사례를 알아보고, 이러한 시스템의 활용을 통하여, 향후 건설품질경영시스템(CQMS)이 정착되고 발전되어서 국내건설산업 전체가 국제적으로 품질경쟁력을 인정받는 계기가 될 수 있는 기반을 제시하고자 한다.
QMS(Quadruple Mass Spectrometer)를 사용하여 혼합 기체의 조성비를 측정하는 기술로 He, $NF_3$, $CF_4$, $SF_6$가 포함된 공정에서 사용되는 가스를 사용하여 실제 조성비를 정량적으로 구하는 방법을 연구하였다. 실험을 위해 압력을 $1{\times}10^{-8}Torr$로 배기하였고, 반복 실험을 통하여 최적의 값으로 QMS를 튜닝을 한 후 He, $NF_3$, $CF_4$, $SF_6$가스에 대한 감도를 구하였다. 측정된 감도 값을 바탕으로 총 10회의 반복 측정한 데이터를 이용하여 농도 값을 얻었다. 사용된 가스는 한국표준과학연구원 표준가스실에 제작한 가스이다. 실험 데이터를 이용한 농도와 실제 농도를 비교한 결과 5% 이내의 오차 범위에서 농도 측정이 가능했다.
The ISO 9000 family of international quality management standards were revised on 15 December 2000. The ISO 9001:2000 standard is used for certification/registration and contractual purposes by organizations seeking recognition of their quality management system(QMS). We summarize key contents changed in ISO 9000:2000 family standards. To comply with ISO 9001:2000, we analyze the current QMS for steel outfit industry, using audit results from ISO 9001:1994 for seven steel outfit firms during last three years. We investigate statistical relationships between ISO 9001:2000 and ISO 9001:1994 requirements from a three dimensional contingency table with audit results. We observe that the importance of requirements of the ISO 9001:2000 sections makes a difference between companies.
반도체 제조, 디스플레이 산업 등의 진공공정에서 잔류기체의 종류와 양에 대한 관심이 높아지면서 사용이 쉽고 높은 정확도를 가지는 사중극 질량 분석기(QMS)가 널리 쓰이고 있다. 특히 고진공으로 내려가면서 리크디텍션(leak detection)과 미세량의 잔류기체 감지가 더욱더 요구된다. 그중에서도 진공공정에서의 수소 가스를 감지하는 것은 매우 중요하므로 $H_2$/Ar 혼합가스를 이용하여 미세농도의 수소를 측정하였다. 측정하려는 가스를 부피확장 방법으로 가스챔버로 희석하여 이동시키고 핀홀에서 가스유량을 더 줄여서 QMS가 기체를 감지하는 압력범위를 유지하면서 측정하였다. 미세량의 수소기체를 감지하기 위해 이온소스의 emission current, Ion ref. voltage, cathode voltage의 변수를 조절하여 QMS를 최적화 하였으며, 그 결과 수십 ppm 농도까지 측정이 가능하다.
In this study, PST thin films were etched with inductively coupled $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ plasmas. The etch characteristics of PST thin films as a function of $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ gasmixtures were analyzed by using quadrupole mass spectrometer (QMS). Systematic studies were carried out as a function of the etching parameters, including the RF power and the working pressure. The maximum PST film etch rate is 56.2 nm/min, because a small addition of $Cl_2$ to the $Cl_2/Ar$ mixture increased the chemical effect. It was proposed that sputter etching is the dominant etching mechanism while the contribution of chemical reaction is relatively low due to low volatility of etching products.
1987년 최초의 ISO 9000 (품질경영시스템) 패밀리 규격이 발행된 이래, 기업의 경영 시스템(Management System)의 핵심이 되는 MS 규격으로서 QMS(ISO 9001), EMS(ISO 14001), ISMS (ISO/IEC 27001) 등이 발행 또는 개정되어 왔다. 또 QMS 섹터 규격인 항공 우주 (AS/EN 9100), 의료기기 (ISO 13485), 정보통신 (TL 9000), ITSMS(ISO 20000), FSMS (ISO 22000), SCSMS (ISO 28000) 등이나 새로운 MS 규격이 되는 GHG(ISO 14064), IPOCM(ISO/PAS 22399), SR(ISO/CD 26000) 등 ISO 또는 비ISO 의 MS 규격이 차례차례로 발행 또는 개발 중에 있어 경영시스템 인증은 더욱 더 광범위해지면서 다방면화, 섹터화의 경향을 나타내고 있다. 제품 및 서비스 무역의 글로벌화, 조달 및 투자의 비 지역화, 공공 서비스에 대한 규제 철폐, 소비자 및 환경보호에 대한 공적인 요구, 테러리즘 전염병 자연적인 재앙에 대한 국제적인 연대 책임에 대한 필요성, 새로운 기술과 혁신의 전개 등이 경영 시스템 인증에 대한 요구를 증대시키고 있으며, 그 전제로서 세계적 규모로 제도의 신뢰성을 확보하는 구조의 확립 및 활동 결과의 신뢰가 보증되는 체제가 구축되어 있어야 한다. 이러한 신뢰를 바탕으로 한 제3자 인증제도는 세계경제의 원활한 발전에 중요한 과제가 되고 있다.
최근 반도체 산업은 더 높은 성능의 회로 제작을 통해 초고집적화를 추구하고 있다. 이를 위해서 회로 설계의 최소 선폭과 소자 크기는 지속적으로 감소하고 있고 이를 위한 배선 기술들은 플라즈마 공정을 이용한 식각공정에 크게 의존하고 있다. 식각공정에 있어서 반응가스의 조성은 식각 속도와 선택도를 결정하는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 CIS QMS (closed ion source quadrupole mass spectrometer)를 이용하여 CF4+Ar를 이용한 실리콘 산화막의 플라즈마 식각 공정 시 생성되는 라디칼과 이온 종들을 측정하였다. Ar 이온이 기판표면과 충돌하여 기판물질간의 결합을 깨놓으면, 반응성 기체 및 라디칼과의 반응성이 커져서 식각 속도를 향상 시키게 된다. 본 실험에서는 2 MHz의 RPS (remote plasma source)를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 13.56 MHz의 rf 전력을 기판에 인가하여 식각할 웨이퍼에 바이어스 전압을 유도하였다. CF4/(CF4+Ar)의 가스 혼합비가 커질수록 식각 부산물인 SiF3의 양은 증가 하였으며, CF4 혼합비가 0일 때(Ar 100%) 비하여 1일 때(CF4 100%) SiF3의 QMS 이온 전류는 106배 증가하였다. 이때의 Si와 결합하여 SiF3를 형성하는 F라디칼의 소모는 0.5배로 감소하였다. 또한 RPS power가 800 W일 때 플라즈마에 의해서 CF4는 CF3, CF2, CF로 해리 되며 SiO2 식각 시 라디칼의 직접적인 식각과 Si_F2의 흡착에 관여되는 F라디칼의 양은 CF3 대비 7%로 검출되었고, 식각 부산물인 SiF3는 13%로 측정되었다. Ar의 혼합비를 0 %에서 100%까지 증가시켜 가면서 측정한 결과 F/CF3는 $1.0{\times}105$에서 $2.8{\times}102$로 변화하였다. SiF3/CF3는 1.8에서 6.3으로 증가하여 Ar을 25% 이상 혼합하는 것은 이온 충돌 효과에 의한 식각 속도의 증진 기대와는 반대로 작용하는 것으로 판단된다.
This study reviews the revisions and updates to the Release 3.5 version of the TL 9000 Measurements Handbook. This paper introduces the new organization of QuEST Forum Work Groups(WGs) and how to apply TL 9000 standards in software product lifecycle.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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