• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.8-17
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• 1992

In this paper a push-push oscillator using DR (dielectric resonator) at K-band is designed and constructed. Two identical oscillators are arranged in a push-push configuration that has the frequency of oscillator that is twice frequency each oscillator. A dielectric resonator is placed at the input of an active two-port device(FET) yielding a stable frequency source. The oscillators realized with this technique exhibit excellent spectral purity and cancellation of fundamental frequency.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.1170-1175
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• 2003

본 논문에서는 Push-Push FET DRO회로의 게이트단에서 이용했던 동일한 유전체 공진기를 드레인단에 추가하면 출력이 증강되는 현상을 이론적으로 해석하였다. 본 해석은 두 개의 마이크로스트립 선로 사이에 위치한 유전체 공진기가 두개의 FET 출력 의 위상차를 고정시켜서 Push-Push FET DRO의 출력이 증가되는 것을 보인다. 이 영향을 Push-Push FET DRO 발진기 제작에서 발생할 수 있는 두 개의 FET 출력회로 사이의 임피던스 차이와 전력결합기의 전기적인 길이 오차를 수정하기 위해 사용할 수 있기 때문에 유전체 공진기가 부가된 Push-Push FET DRO는 발진기 제작에 유용한 구조가 될 것이다.

• 한국ITS학회:학술대회논문집
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• 한국ITS학회 2004년도 제3회 정기총회 및 추계학술대회
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• pp.228-230
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• 2004

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.385-388
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• 2000

In this paper, the Ka-band Dielectric resonator oscillator has been designed and fabricated. The resonator network was simulated using HFSS program. The design method of an oscillator is the small-signal S-parameter design. The Push-push DRO employs a hetero junction FET (NE32484A). The fabricated Push-push DRO shows such characteristics as the phase noise -106 ㏈c/Hz at the 100 ㎑ frequency offset. the output power and fundamental frequency surpression were -6 ㏈m and -29 ㏈c, respectively.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제13권2호
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• pp.139-143
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• 2015

A push-push voltage controlled dielectric resonator oscillator (VCDRO) with a modified frequency tuning structure using broadside couplers is investigated. The push-push VCDRO designed at 16 GHz is manufactured using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology to reduce the circuit size. The frequency tuning structure using a broadside coupler is embedded in a layer of the A6 substrate by using the LTCC process. Experimental results show that the fundamental and third harmonics are suppressed above 15 dBc and 30 dBc, respectively, and the phase noise of push-push VCDRO is -97.5 dBc/Hz at an offset frequency of 100 kHz from the carrier. The proposed frequency tuning structure has a tuning range of 4.46 MHz over a control voltage of 1-11 V. This push-push VCDRO has a miniature size of 15 mm×15 mm. The proposed design and fabrication techniques for a push-push oscillator seem to be applicable in many space and commercial VCDRO products.

• 전기전자학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.121-126
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• 2012

본 논문에서는 전압제어 발진기에서 변형된 구조의 주파수 동조회로를 갖는 push-push 전압제어 유전체 공진 발진기를 설계 및 제작하였다. Push-push 전압제어 유전체 공진 발진기는 중심주파수 16GHz에서 설계되었으며, LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술 공정의 장점을 이용하여 주파수 동조 회로를 A6 기판의 중간 layer에 삽입하여 설계하였으며 이로 인해 회로의 전체 크기를 줄일 수 있었다. 제작된 push-push 전압제어 유전체 공진 발진기의 측정결과 기본 주파수의 억압특성은 30dBc 이상 특성을 나타내었으며 0~12V의 제어전압 범위에서 0.43MHz의 주파수 튜닝 대역폭을 얻었다. 또한 커리어로부터 100KHz 떨어진 지점에서 -103dBc/Hz의 위상잡음 특성을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.241-247
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• 2007

본 논문에서는 새로운 구조의 push-push 발진기를 제안하였다. 제안된 구조는 각각의 발진기를 HDRO(Harmonic Dielectric Resonator Oscillator)로 설계하여 push-push 구조로 결합시킴으로써 기본 주파수 억압 특성을 개선하였고, 고조파 성분의 출력 파워를 향상시켰다. 이에 따른 위상 잡음 증가를 공진기와 병렬 선로 사이의 결합 특성 개선을 통하여 보상하였다. 실험 결과 18.7 GHz에서 9.32 dBm의 출력을 나타내었고, 기본 주파수 억압 특성은 -47.2 dBc, 위상 잡음은 -99.86 dBc@100 kHz의 특성을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.541-546
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• 2010

LTCC(low temperature co-fired ceramic) 공정의 다층기판을 이용하여 push-push 유전체 공진 발전기를 설계 및 제작하였다. 중심주파수 8GHz를 갖는 직렬 궤환형의 단일 유전체 공진 발진기를 설계하고 이를 이용하여 중심주파수 16GHz인 push-push 유전체 공진 발진기를 설계하였다. 발전기의 회로 크기에 큰 영향을 미치는 바이어스 회로를 LTCC 다층구조의 중간층에 배치함으로써 일반적인 단층기판을 이용한 경우에 비해 발진기 회로의 크기를 크게 줄 일 수 있었다. 제작된 push-push 유전체 공진 발진기의 측정결과 기본 주파수 및 3차 고조파 억압특성은 각각 15dBc 및 25dBc 이상의 특성을 나타내었으며 발진기의 위상잡음 특성은 -102dBc/Hz@100KHz 및 -128dBc/Hz@1MHz의 특성을 각각 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.659-664
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• 2006

본 논문에서는 $0.12{\mu}m$ 게이트 전극을 가진 metamorphic InAIAs/InGaAs high electron-mobility transistors (mHEMT)를 이용하여 제작된 60 GHz push-push 발진기의 특성을 고찰하였다. 전극 길이가 $0.12{\mu}m$ 인 mHEMT는 700 mA/mm의 최대 전류, 600 mS/mm의 최대 전달정수, 170 GHz $f_T$, 그리고 300 GHz 이상의 $f_{MAX}$ 등 우수한 특성을 나타내었다. 두 개의 $6{\times}50{\mu}m$ 크기를 가지는 mHEMT 를 이용하여 제작된 발진기는 59.5 GHz 에서 6.3 dBm의 출력 전력과 -35 dBc 이상의 기저 주파수 억압도를 나타내었다. 페이즈 노이즈 (phase noise)는 발진 주파수의 1 MHz 오프셋에서 -81.2 dBc/Hz 의 특성을 나타내었다. 본 연구 결과는 60 GHz 대역에서 mHEMT를 이용하여 제작된 push-push 발진기로는 최대 출력을 나타낸 결과이며, 이 연구 결과는 상용화와 저가격에 InP HEMT 보다 유리한 mHEMT를 이용하여 고출력 발진기 특성을 얻을 수 있음을 보여준다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.100-103
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• 2003

A Ku-band Push-push VCO for low cost applications is proposed. The proposed push-push oscillator achieves a wide tuning range in Ku-band by the collector bias tuning instead of extra varactor diodes. The measurement shows a wide tuning range of 900MHz, fundamental suppression of -30dBc and good phase noise of -115dBc@1MHz offset.