• 한국농업기계학회:학술대회논문집
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• 한국농업기계학회 2002년도 동계 학술대회 논문집
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• pp.479-485
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• 2002

본 연구는 초음파를 이용하여 한우도체의 연도를 비파괴적이며 객관적으로 측정할 수 있는 시스템을 개발하기 위해서 수행되었다. 한우도체 연도 측정 시스템은 크게 초음파 측정장치, 자동 탐촉자 수직이동장치, 데이터 획득 및 분석장치로 구성되었는데 초음파 측정장치는 초음파 pulser/receiver 및 탐촉자, 자동 탐촉자 이동장치는 상하운동부, 구동부, 제어부, 데이터 획득 및 분석장치는 digitizer, Labview 5.1을 사용하여 구성되었다. 통합된 시스템을 이용하여 획득된 도체의 초음파 신호를 분석하기 위해 1.0~1.1 MHz의 bandpass filtering을 거쳐 hilbert 변환을 이용, envelope를 구할 수 있었으며 탐촉자와 도체의 최적 접촉 위치를 결정하기 위하여 3단계로 나누어 신호분석을 실시하였다. 시료의 개수는 40개였으며 획득된 envelope를 FFT 변환 후 PLS, PCR 분석을 수행한 결과 7단계의 PCR 분석에서 $R^2$= 0.6474의 유의성 있는 결과를 나타내었으므로 최적 접촉 위치로 결정하였다. 최적 접촉 위치를 통해 시료 80개의 추가 실험을 실시한 결과 PCR 분석에서 $R^2$= 0.4304의 결과를 나타내었으며 이를 이용, 도체의 연도를 측정하는 프로그램을 개발하고 최종 통합 시스템을 구축하였다. 본 한우도체 연도 측정 시스템의 개발을 통해 한우도체의 전단력을 예측하여 연도를 객관적으로 판정 가능할 것으로 생각되며 또한 사이즈의 확대로 도축장에 설치하는 설비로서 가능할 것이라 사료된다. 그러나 추후 좀 더 세밀한 측정과 결과의 보완을 위한 분석방법의 개선에 관한 연구가 진행되어야 할 것이다. 사용해 설계된 장치를 사용자가 쉽게 제작할 수 있도록 하였다. 공정설계프로그램을 통해 설계된 공정은 데이터베이스에 저장이 되며 장치설계프로그램에서 쉽게 이전에 설계했던 공정을 이용할 수 있도록 하여 공정 설계와 장치설계를 연계하도록 하였다.동투하시간과 비용 -종자준비부터 통마늘선별까지의 일관기계화로 투입된 주요작업의 노력은 75∼76%가 절감되고, 재배규모 3ha기준시 비용은 44-53%절감되었음. the annealing texture. Observations by TEM and EBSD revealed the formation of very fine grains of ∼1.0$\mu\textrm{m}$ after CCSS.he dislocations form local defect arrangements at the grooves permitting the substantial reduction in defect density over the remainder of the interfacial area.한 최대의 감자 재배지역을 형성하였다. 제주도는 산지지형과 따뜻한 기온으로 2기작이 가능하고, 감자가공 공장설립과 교통발달에 따른 육지 시장과의 접근이 용이해졌기 때문에 남한에서 2번째로 큰 감자재배지역이 되었다.(요약 및 결론에서 발췌)그람양성균에서 효과적이었으며, 농도별 항균력시험 결과 농도가 증가할수록 비례하여 저해율도 증가함을 알 수 있었다. 첨가농도를 달리하여 미생물의 생육도를 측정한 결과, fraction II磎꼭\ulcorner경우 그람양성균에 대해 500 ppm 이상에서 뚜렷한 증식억제효과를 나타내었다.서 뚜렷한 증식억제효과를 나타내었다.min/+}$계

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• 비파괴검사학회지
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• 제22권1호
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• pp.1-8
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• 2002

PVDF 및 P(VDF-TrFE) 고분자 압전박막을 이용하여 고주파수 수침용 초음파 탐촉자를 제작한 다음 그 특성을 비교 평가하였다. 탐촉자와 탐상기 사이의 신호전송용 동축케이블의 길이가 고주파수 초음파 검출장에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 초음파 빔의 초점이 형성되는 반사체가 편평할수록 고주파수 초음파 검출장은 감소하는 것으로 나타났으며 3mm 직경의 PVDF 탐촉자의 경우 0.5mm 강구에서 약 100MHz의 광대역 고주파수 초음파 검출장을 형성하였다. PVDF와 P(VDF-TrFE) 탐촉자를 비교한 결과 반사신호의 피크 값과 빔 폭은 P(VDF-TrFE)가 PVDF 보다 크게 나타났으나 고주파수 초음파 검출장은 PVDF가 P(VDF-TrFE)보다 광대역 특성을 나타내었다. 개발된 3mm 직경의 PVDF 탐촉자를 이용하여 표면의 깊이균열 크기가 $30{\sim}100{\mu}m$인 수소유기균열(HIC) 강재 시편을 C-scan한 결과 고감도의 분해능으로 미세 균열의 검출이 가능하였다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제34권9호
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• pp.698-703
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• 2001

배경: 하행 흉부대동맥류를 포함한 대동맥 질환을 가진 환자들에서 히생한 대동맥내 스텐트-그라프트 삽입술의 치료효과와 추적성적 및, 대상 환자들의 임상적 특징을 통해 치료방법으로서의 적응과 역할을 알아보았다. 대상 및 방법: 1995년 이후 모두 8명의 환자에서 진단방사선과와 협진으로 스텐트-그라프트 삽입술을 시행하였으며, 시술 전 진단으로는 외상성 대동맥 파열이 3례, 동맥경화증성 대동맥류 3례, 흉부가성대동맥류 파열 1례, 매독성 대동맥염에 의한 흉복무대동맥류가 1례였다. 시술은 혈관조영실에서 혈관조영을 하면서 시행하였고, 전신마취가 3례, 국소마취가 3례였고, 2례에서 경막외 마취하에 시술하였으며, 사용한 스텐트-그라프트는 0.35mm 굵기의 스테인레스 강철사를 지그재그 형태로 구부려 만든 스텐트를 서로 연결하고 인조혈과(Dacton)을 입힌 후 봉합한 것으로 제조회사에 의뢰하여 자체제작 하였다. 결과: 시술받은 환자의 전례에서 스텐트-그라프트 삽입시 기술적 어려움은 없었으며, 스텐트-그라프트 삽입후 4일에서 7일 사이에 시행했던 추적검사(4례)에서 스텐트-그라프트 주위부 누출이나 당초 목표했던 위이에서의 이탈은 없었다. 1례의 외사성 대동맥 파열이 었었던 환자가 시술 후 13일째 급성호흡곤란증후군 및 다장기부전으로 사망하였고, 매독성 대동맥염이 있었던 흉복부 대동맥류 환자가 시술 후 6일째 상행대동맥 및 대동맥궁에 대한 수술을 시행받고 술후 22일째 문합부위 파열로 사망하였다. 결론: 대동맥내 스텐트-그라프트를 이용한 흉복부 대동맥 질환의 치료는 수술에 따른 이환률 및 사망률을 고려할 때 특히 다장기부전으로 수술이 어려운 경우 또는 수술 후 합병증의 발생이 강력히 우려되는 경우에 안전하게 시행할 수 있는 치료의 한 방편으로서 의미를 가진다고 사료된다.행성 이하선염과 파라인플루엔자 바이러스는 외피가 있는 170-180nm 이었다.TEX>$\pm$0.10(100분), 0.46$\pm$0.11(120분), 0.52$\pm$0.15(심폐기 재가동 30분), 0.62$\pm$0.15(60분), 0.76$\pm$0.17(심폐기이탈 30분), 0.81$\pm$0.20(60분), 0.84$\pm$0.23(90분) and 0.94$\pm$0.33(120분)를 보였고 이는 역행성 뇌관류 전에 비해 유의하게 증가된 소견이었다(p<0.05). 뇌신피질, 기저핵, 해마에서 전자현미경 조직 소견을 관찰하였으며 마이토콘드리아의 부종을 관찰할 수 있었다. 결론 : 역행성 뇌관류 120분 후에 S100 베타 단백의 유의한 증가를 관찰할 수 있었으며 뇌조직 손상과의 관련성은 좀 더 연구되어야 할 부분으로 생각된다. 장기 생존 모델을 통한 재평가가 필요하다고 사료되며 심폐바이패스 시행 등의 교란 인자도 고려해야 할 것이다.비해 Progenitor II의 형질전환 효율이 현저히 떨어졌다. L. acidophilus HY7008과 HY7001은 두 기기 모두 형질전환이 이루어졌으나, L. acidophilus WEISBY와 NCFM은 Progeni-tor II에서 전이가 일어나지 않았으며, Gene Pulser에서 전이균주를 얻어 두 electroporator간에 형질전환 효율의 차이를 보였다. 11. L. casei 102S에 pLZ12를 electroporation시 낮은 전압에서 형질전환 효율이 비교적 좋았으며, 배양 시기를 달리하여 전이시켰을 때 대수생장 말기의 세포가 형질전환 효율이 좋았다. 12.

• 미생물학회지
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• 제37권4호
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• pp.284-288
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• 2001

호흡기 바이러스는 인간에게 가장 강한 감염력을 지닌 병원체의 하나이다. 1997년-2000년 부산지역에서 시행된 바이러스성 전염병 유행예측사업 과정 중에 호흡기계 바이러스를 분리하여 확인하였다. 지정 의뢰된 검체에서 분리된 바이러스의 평균 분리율은 8.4%이었으며 확인된 바이러스의 종류에는 인플루엔자 바이러스 A, B형, 파라인플루엔자 바이러스, 아데노바이러스, 유행성이하선염 바이러스, 홍역 바이러스이었다. 분리된 인플루엔자 바이러스의 주요 항원형은 인플루엔자 A/Sydney/05/97(H3N2)-like 및 A/Johanesburg/33/94(H3N2)-like, A/Beijing/262/95(H1N1)-like, 그리고 인플루엔자 B/Beijing/262/95-like와 B/Harbin/07/94-like, B/Guangdong/08/93-like형이었다. 주요 혈청형으로는 아데노 바이러스는 1, 2, 3, 5 혈청형이 관찰되었고, 유행성 이하선염과 홍역 바이러스는 IgN 과 IgG 항체가로 확인하고 유행성 이하선염 바이러스도 분리하였다. 연도별 발생에서는 인플루엔자 바이러스는 항원형은 달랐으나 매년 나타났으며 파라인플루엔자 바이러스는 1999년에 확인되었다. 1999년과 2000년에는 유행성 이하선염 바이러스가, 2000년도엔 홍역바이러스가 집중적으로 검출되었다. 분리월별로는 인플루엔자 바이러스는 11월에서 다음해 3월 사이, 아데노바이러스는 1월에서 6월 사이, 유행성 이하선염은 2월에서 5월 그리고 12월에, 홍역은 4월에서 8월, 11월과 12월에 각각 확인되었고, 파라인플루엔자는 12월에 분리되었다. 분리된 바이러스는 외피가 없는 70 nm의 아데노바이러스를 제외하고 모든 구형을 나타내었으며, 크기는 인플루엔자바이러스 B형이 130 nm, 유행성 이하선염과 파라인플루엔자 바이러스는 외피가 있는 170-180nm 이었다.TEX>$\pm$0.10(100분), 0.46$\pm$0.11(120분), 0.52$\pm$0.15(심폐기 재가동 30분), 0.62$\pm$0.15(60분), 0.76$\pm$0.17(심폐기이탈 30분), 0.81$\pm$0.20(60분), 0.84$\pm$0.23(90분) and 0.94$\pm$0.33(120분)를 보였고 이는 역행성 뇌관류 전에 비해 유의하게 증가된 소견이었다(p<0.05). 뇌신피질, 기저핵, 해마에서 전자현미경 조직 소견을 관찰하였으며 마이토콘드리아의 부종을 관찰할 수 있었다. 결론 : 역행성 뇌관류 120분 후에 S100 베타 단백의 유의한 증가를 관찰할 수 있었으며 뇌조직 손상과의 관련성은 좀 더 연구되어야 할 부분으로 생각된다. 장기 생존 모델을 통한 재평가가 필요하다고 사료되며 심폐바이패스 시행 등의 교란 인자도 고려해야 할 것이다.비해 Progenitor II의 형질전환 효율이 현저히 떨어졌다. L. acidophilus HY7008과 HY7001은 두 기기 모두 형질전환이 이루어졌으나, L. acidophilus WEISBY와 NCFM은 Progeni-tor II에서 전이가 일어나지 않았으며, Gene Pulser에서 전이균주를 얻어 두 electroporator간에 형질전환 효율의 차이를 보였다. 11. L. casei 102S에 pLZ12를 electroporation시 낮은 전압에서 형질전환 효율이 비교적 좋았으며, 배양 시기를 달리하여 전이시켰을 때 대수생장 말기의 세포가 형질전환 효율이 좋았다. 12. L. casei 102S세포를 각각 10% glycerol, EB, 2차 증류수 등에 녹여 electroporation을 실시하였을 때 각각 $3.