Pd/Si/Ti/Pt and Pd/Si/Pd/Ti/Au ohmic contacts to n-type InCaAs were investigated for applications to AlGaAs/GaAs HBT emitter ohmic contacts. In the Pd/Si/Ti/Pt ohmic contact, as-deposited contact showed non-ohmic behavior, and high specific contact resistivity of $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $375^{\circ}C$/10 sec. However, the specific contact resistivity decreased remarkably to $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ by annealing at $425^{\circ}C$/10sec. In the Pd/Si/Pd/Ti/Au ohmic contact, minimum specific contact resistivity of $3.9\times10^{-7}\Omega\textrm{cm}^2$ was achieved by annealing at $400^{\circ}C$/20sec. In both ohmic contacts, low contact resistivity and non-spiking planar interface between ohmic materials and InGaAs were maintained. Therefore, these thermally stable ohmic contact systems are promising candidates for compound semiconductor devices. RF performance of the AlGaAs/GaAs HBT was also examined by employing the Pd/Si/Ti/Pt and Pd/Si/Pd/Ti/Au systems as emitter ohmic contacts. Cutoff frequencies were 63.9 ㎓ and 74.4 ㎓, respectively, and maximum oscillation frequencies were 50.1 ㎓ and 52.5 ㎓, respectively. It shows very successful high frequency operations.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.99-99
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2013
In this talk, I will present two research works in progress, which are: i) mapping of piezoelectric polarization and associated charge density distribution in the heteroepitaxial InGaN/GaN multi-quantum well (MQW) structure of a light emitting diode (LED) by using inline electron holography and ii) in-situ observation of the polarization switching process of an ferroelectric Pb(Zr1-x,Tix)O3 (PZT) thin film capacitor under an applied electric field in transmission electron microscope (TEM). In the first part, I will show that strain as well as total charge density distributions can be mapped quantitatively across all the functional layers constituting a LED, including n-type GaN, InGaN/GaN MQWs, and p-type GaN with sub-nm spatial resolution (~0.8 nm) by using inline electron holography. The experimentally obtained strain maps were verified by comparison with finite element method simulations and confirmed that not only InGaN QWs (2.5 nm in thickness) but also GaN QBs (10 nm in thickness) in the MQW structure are strained complementary to accommodate the lattice misfit strain. Because of this complementary strain of GaN QBs, the strain gradient and also (piezoelectric) polarization gradient across the MQW changes more steeply than expected, resulting in more polarization charge density at the MQW interfaces than the typically expected value from the spontaneous polarization mismatch alone. By quantitative and comparative analysis of the total charge density map with the polarization charge map, we can clarify what extent of the polarization charges are compensated by the electrons supplied from the n-doped GaN QBs. Comparison with the simulated energy band diagrams with various screening parameters show that only 60% of the net polarization charges are compensated by the electrons from the GaN QBs, which results in the internal field of ~2.0 MV cm-1 across each pair of GaN/InGaN of the MQW structure. In the second part of my talk, I will present in-situ observations of the polarization switching process of a planar Ni/PZT/SrRuO3 capacitor using TEM. We observed the preferential, but asymmetric, nucleation and forward growth of switched c-domains at the PZT/electrode interfaces arising from the built-in electric field beneath each interface. The subsequent sideways growth was inhibited by the depolarization field due to the imperfect charge compensation at the counter electrode and preexisting a-domain walls, leading to asymmetric switching. It was found that the preexisting a-domains split into fine a- and c-domains constituting a $90^{\circ}$ stripe domain pattern during the $180^{\circ}$ polarization switching process, revealing that these domains also actively participated in the out-of-plane polarization switching. The real-time observations uncovered the origin of the switching asymmetry and further clarified the importance of charged domain walls and the interfaces with electrodes in the ferroelectric switching processes.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.41
no.2
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pp.97-107
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2017
This study is the second investigation on the steady flow characteristics of an SI engine with a semi-edge combustion chamber as a function of the port shape with varying evaluation positions. For this purpose, the planar velocity profiles were measured from 1.75B, 1.75 times of bore position apart from the bottom of head, to 6.00B positions using particle - image velocimetry. The flow patterns were examined with both a straight and a helical port. The velocity profiles, streamlines, and centers of swirl were almost the same at the same valve lift regardless of the measuring position, which is quite different from the case of the pent-roof combustion chamber. All the eccentricity values of the straight port were out of distortion criterion 0.15 through the lifts and the position. However, the values of the helical port exceeded the distortion criterion by up to 4 mm lift, but decreased rapidly above the 3.00B position and the 5 mm lift. There always existed a relative offset effect in the evaluation of the swirl coefficient using the PIV method due to the difference of the ideal impulse swirl meter velocity profile assumption, except for the cylinder-center-base estimation that was below 4 mm of the straight port. Finally, it was concluded that taking the center as an evaluation basis and the assumption about the axial velocity profile did not have any qualitative effect on swirl evaluation, but affected the value owing to the detailed profile.
Tridentate Schiff base ligands were prepared by the reactions of salicylaldehyde and 2-hydroxy-1-naphthaldehyde with 2-aminophenol and 2-amino-p-cresol. And then Cu(II) complexes of those ligands were synthesized. The structures and properties of ligands and their complexes were studied by elemental analysis, $^1H$-NMR, IR, UV-visible spectra, and thermogravimetric analysis. The mole ratio of Schiff base to the metal of complexes was found to be 1:1. Cu(II) complexes were contemplated to be four-coordinated square planar configuration containing one water molecule. The redox process of ligands and complexes in DMSO solution containing 0.1 M TBAP as a supporting electrolyte was investigated by cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry with glassy carbon electrode. The redox process of the tridentate Schiff base ligands was totally irreversible. The redox process of Cu(II) complexes was quasi-reversible and diffusion-controlled as one electron by one step process Cu(II)/Cu(I). The reduction potentials of the Cu(II) complexes shifted in the positive direction in the order of [Cu(II)(HNIPC)($H_2O$)]>[Cu(II)(HNIP)($H_2O$)]>[Cu(II)(SIP)($H_2O$)]>[Cu(II)(SIPC)($H_2O$)].
Journal of the Korean Society of Surveying, Geodesy, Photogrammetry and Cartography
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v.33
no.4
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pp.231-244
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2015
The accuracy of reference point of VLBI antenna is mandatory to perform collocation of different space geodetic techniques. In this study, we evaluated the optimal methods for the 3D circle fitting to enhance the accuracy of the reference point of VLBI antenna. Two kinds of methodologies for the orthonormal coordinate system with translation of planar observation point and the unitary coordinate transforamation were suggested and their fitting accuracies were evaluated where the orthogonal distance was calculated by residual between observation point and fitting model and the recursive calculation was performed to improve the accuracy of 3D circle fitting. Finally, we found that the methodology for the unitary coordinate transformation is highly appropriate to determine the optimal equation for azimuth-axis and elevation-axis of VLBI antenna. Therefore, the reference point of VLBI antenna with high accuracy can be determined by the intersection of the above two axises (azimuth-axis and elevation-axis). This result is expected to be utilized for a variety of researches for connection between VLBI observation results and the national control point.
In this paper, we designed and implemented an ultra wideband (UWB) antenna with 5G mobile communication and WLAN bands rejection characteristics. The proposed antenna consists of a planar radiation patch with two slots, parasitic elements on both sides of the strip line and ground plane on back side. The upper n-type slot contributes for 5G mobile communication band (3.42~3.70 GHz) rejection and the lower n-type slot contributes for wireless local area network (WLAN) band (5.15~5.825 GHz) rejection. Parasitic elements were used in order to satisfy the voltage standing wave ratio (VSWR) less than or equal to 2.0 for UWB band (3.10~10.60 GHz) except two rejection bands. The Ansoft's high frequency structure simulator (HFSS) was used for antenna design and simulations. The simulated antenna showed dual rejection bands of 3.36~3.71 GHz and 5.13 ~ 5.92 GHz in UWB band, and measured result for the implemented antenna showed dual rejection bands of 3.40~3.72 GHz and 5.08~5.858 GHz. Simulated and measured VSWRs are less than or equal to 2.0 for all UWB band except dual rejection bands.
Eight-membered ring spiro orthocarbonate (C$_{25}H_{20}O_4$, M$_r$ = 384) is monoclinic, space group C2/c, with a = 15.319(4), b = 9.057(3), c = 13.168(3)${\AA}$, ${\beta}$ = 98.53(3)$^{\circ}$, Z = 4, F(000) = 808, T = 290 K, ${\mu}$(Mo-K${\alpha}$) = 0.55 cm$_1$, D$_c$ = 1.36 g/cm$^3$ and D$_m$ = 1.40 g/cm$^3$. The intensity data were collected with Mo-K${\alpha}$ radiation (${\lambda}$ = 0.7107 ${\AA}$) on an automatic four-circle diffractometer with a graphite monochromater. The structure was solved by direct methods and refined by full matrix least-squares methods. The final R value was 0.052 for 1412 observed reflections. The molecule has C$_2$point symmetry. The eight-membered ring has a chair conformation with pseudo-C$_s$ symmetry. The naphthyl ring is planar with the C-C bond lengths being in the range of 1.352∼1.444${\AA}$ and bond angles of 117.2∼123.5$^{\circ}$. The bond lengths of C(1)-C(9), C(8)-C(9) and C(9)-C(10) are somewhat longer than those of the other C-C bonds.
Yun, Bo Yeong;Song, Mi Gyeong;Lee, Seok Hui;Kim, Yang
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.22
no.1
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pp.30-36
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2001
The crystal structures of fully dehydrated $Pd^{2+}$ - and $TI^{+}$ -exchanged zeolite X, $Pd_{18}TI_{56}Si_{100}Al_{92}O_{384}(Pd_{18}TI_{50-}X$, a = $24.935(4)\AA$ and $Pd_{21}TI_{50}Si_{100}Al_{92}O_{384}(Pd_{21}TI_{50-}X$ a = $24.914(4)\AA)$, have been determined by single-crystal X-ray diffraction methods in the cubic space group Fd3 at $21(1)^{\circ}C.$ The crystals were prepared using an exchange solution that had a $Pd(NH_3)_4Cl_2\;:TINO_3$ mole ratio of 50 : 1 and 200 : 1, respectively, with a total concentration of 0.05M for 4 days. After dehydration at $360^{\circ}C$ and 2 ${\times}$$10^{-6}$ Torr in flowing oxygen for 2 days, the crystals were evacuated at $21(1)^{\circ}C$ for 2 hours. They were refined to the final error indices $R_1$ = 0.045 and $R_2$ = 0.038 with 344 reflections for $Pd_{18}Tl_{56-}X$, and $R_1$ = 0.043 and $R_2$ = 0.045 with 280 reflections for $Pd_{21}Tl_{50-}X$; I > $3\sigma(I).$ In the structure of dehydrated $Pd_{18}Tl_{56-}X$, eighteen $Pd^{2+}$ ions and fourteen $TI^{+}$ ions are located at site I'. About twenty-seven $TI^{+}$ ions occupy site II recessed $1.74\AA$ into a supercage from the plane of three oxygens. The remaining fifteen $TI^{+}$ ions are distributed over two non-equivalent III' sites, with occupancies of 11 and 4, respectively. In the structure of $Pd_{21}Tl_{50-}X$, twenty $Pd^{2+}$ and ten $TI^{+}$ ions occupy site I', and one $Pd^{2+}$ ion is at site I. About twenty-three $TI^{+}$ ions occupy site II, and the remaining seventeen $TI^{+}$ ions are distributed over two different III' sites. $Pd^{2+}$ ions show a limit of exchange (ca. 39% and 46%), though their concentration of exchange was much higher than that of $TI^{+}$ ions. $Pd^{2+}$ ions tend to occupy site I', where they fit the double six-ring plane as nearly ideal trigonal planar. $TI^{+}$ ions fill the remaining I' sites, then occupy site II and two different III' sites. The two crystal structures show that approximately two and one-half I' sites per sodalite cage may be occupied by $Pd^{2+}$ ions. The remaining I' sites are occupied by $TI^{+}$ ions with Tl-O bond distance that is shorter than the sum of their ionic radii. The electrostatic repulsion between two large $TI^{+}$ ions and between $TI^{+}$ and $Pd^{2+}$ ions in the same $\beta-cage$ pushes each other to the charged six-ring planes. It causes the Tl-O bond to have some covalent character. However, $TI^{+}$ ions at site II form ionic bonds with three oxygens because the super-cage has the available space to obtain the reliable ionic bonds.
Journal of The Geomorphological Association of Korea
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v.19
no.2
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pp.31-49
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2012
Satae cheon, a tributary of the Suip cheon in Yanggu, Gangwon province, is an international river extended to North Korea. Most of drainage basin area of the river was the fierce battle field during the Korean War(1950-1953) and hard to access as it located between the MDL(Military Demarcation Line) and the CCZ(Civilian Control Zone: about 10km south from MDL). By the restriction of access to the sites, most of natural landscape have been well conserved except limited use for military activities. Even the landfoms in that area were not studied, except the government's heritage reports. Satae Cheon's channel follows the Imdang fault line(N-S) to Satae-ri and flow to west to the Dutayeon area. The river meanders along geological structure or weak line at the Dutayeon area. The meandering channel was shorten by the meander cut which linked the thalweg line of meander loop ant the meander neck. As a result of this cut, the river cliff formed by the Satae cheon became the part of newly formed channel bed and the S-forms are formed. After the channel route stabilized, channel incised the rock with large potholes and undulating walls were formed. The channel width changes from 1m to 10m with restriction of the undulating walls, so this part can be regarded as inner channel or inner gorge. From the point of planar forms it also can be slot-type canyon.
In this study, the magnetic(static and high-frequency) and microwave absorbing properties have been investigated in Ru-Co substituted M-hexaferrites($BaFe_{12-2x}Ru_xCo_xO_{19}$). The powders and sintered specimens were prepared by conventional ceramic processing technique. With the calcined powders, the composite specimens were prepared using the silicone rubber as a matrix material. The substitution ratio of Ru-Co to obtain in-plane magnetic anisotropy, thus having the minimum coercivity, is much smaller (about x=0.3) than the previously reported Ti-Co substituted specimen. Owing to this low substitution, the specimen has a large value of saturation magnetization($M_s$=65 emu/g). Ferromagnetic resonance behavior and microwave absorbing frequency band is strongly influnced by the coercvity which can be controlled by Ru-Co substitution ratio. It is found that the M-hexaferrites with planar magnetic anisotropy by doping Ru-Co in both sintered and composite form have superior microwave absorbing properties in GHz frequency range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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