Kim, Younsik;Huh, Soonsang;Kim, Jonghyuk;Choi, Youngjae;Kim, Changyoung
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.21
no.4
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pp.6-8
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2019
Iron-based superconductors (IBSs) possess nematic phases in which rotational symmetry of the electronic structure is spontaneously broken. This novel phase has attracted much attention as it is believed to be closely linked to the superconductivity. However, observation of the symmetry broken phase by using a macroscopic experimental tool is a hard task because of naturally formed twin domains. Here, we report on a novel detwinning method by using a magnetic field on FeTe single crystal. Detwinning effect was measured by resistivity anisotropy using the Montgomery method. Our results show that FeTe was detwinned at 2T, which is a relatively weak field compared to the previously reported result. Furthermore, detwinning effect is retained even when the field is turned off after field cooling, making it an external stimulation-free detwinning method.
Li, Jun;Pan, Yang Yang;Li, Jiao sheng;Li, Rong;Zheng, Tao
Journal of the Optical Society of Korea
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v.18
no.3
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pp.230-235
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2014
Two-step quadrature phase-shifting digital holography based on the calculated intensity of a reference wave is proposed. In the Mach-Zehnder interferometer (MZI) architecture, the method only records two quadrature-phase holograms, without reference-wave intensity or object-wave intensity measurement, to perform object recoding and reconstruction. When the reference-wave intensity is calculated from the 2D correlation coefficient (CC) method that we presented, the clear reconstruction image can be obtained by some specific algorithm. Its feasibility and validity were verified by a series of experiments with 2D objects and 3D objects. The presented method will be widely used in real-time or dynamic digital holography applications.
Eun Hee Kee;Mohd Musaib Haidari;Ji Hoon Jeon;Jin Sik Choi;Bae Ho Park
Journal of Sensor Science and Technology
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v.32
no.2
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pp.100-104
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2023
In this study, a device was fabricated to check the possibility of a memory device by controlling the oxygen functional groups in graphene oxide formed with a 45-second exposure time. We discovered that graphene oxide can be formed using the ultraviolet (UV) light treatment method with different exposure times. Moreover, Raman spectroscopy measurement revealed that the oxygen functional groups can be moved by controlling the voltage. We further studied the change in the local graphene oxide region, which was found to be related to the modulation of the electrical properties of the device. Therefore, the fabricated graphene oxide device can be used as a wettability switching membrane and graphene-based ion transport device.
We present a Yb-doped narrow-linewidth polarization-maintaining all-fiber amplifier that achieves a high mode-instability (MI) threshold, high output power, and 9.7-GHz spectral linewidth. Six wavelength-multiplexed laser diodes are used to pump this amplifier. First, we construct a high-power fiber amplifier based on a master oscillator-power amplifier configuration for experiments. Subsequently, we examine the MI threshold by individually pumping the amplifier with wavelengths of 976, 974, 981, 974, and 981 nm respectively. The experimental results demonstrate that the amplifier exhibits a high MI threshold (>3.5 kW) when pumped with a combination of wavelengths at 974 and 981 nm. Afterward, we inject an optimized phase-modulated seed with a nearly flat-top spectrum into this amplifier. Ultimately, laser output of 3.2 kW and 9.7 GHz are obtained.
Park, Tae-Jung;Kam, Hyeong-Ryeol;Shin, Seung-Ho;Kim, Chang-Hun
Journal of Korea Multimedia Society
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v.12
no.6
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pp.842-855
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2009
We present a physics-based blending method for the second order algebraic implicit surface. Unlike other traditional blending techniques, the proposed method avoids complex mathematical operations and unwanted artifacts like bulge, which have highly limited the application of the second order algebraic implicit surface as a modeling primitive in spite of lots of its excellent properties. Instead, the proposed method provides the designer with flexibility to control the shapes of the blending surface on interactive basis; the designer can check and design the shape of blending surfaces accurately by simply adjusting several physics parameter in real time, which was impossible in the traditional blending methods. In the later parts of this paper, several results are also presented.
A high sensitivity fiber optic temperature sensor based on a side-polished fiber (SPF) coupled to a tapered multimode overlay waveguide (MMOW) is proposed and studied. Both tapered and non-tapered MMOW were considered to study the effect of tapering of MMOW on the characteristics of the device and to investigate the criticality of the uniformity of the multimode overlay waveguide over the SPF. Present study shows that tapering of the MMOW can be used to tune the desired wavelength range without any loss in the sensitivity. Sensitivity up to 9 nm/$^{\circ}C$ within the temperature range of 25 to $100^{\circ}C$ can be achieved with the proposed sensor, almost 6 times higher compared even to state-of-the-art high-sensitivity grating-based fiber optic temperature sensors.
The effect of interface roughness between [Ni/Mn] superlattice and pinned NiFe layer on magnetoresistance (MR) of [Ni/Mn] superlattice-based spin valve films was investigated. Antiferromagnetic phase structure and interface roughness of [Ni/Mn] superlattice spin valve films were compared in the as-deposited and the annealed samples at 240$\^{C}$, respectively. Surface morphology of spin valves was substantially flattened due to the formation of the antiferromatic NiMn phase. In case of Co insertion between Cu and NiFe, the interlace roughness and MR ratio in the annealed [NiMn] superlattice and pinned NiFe/Co layer increased more than those in the annealed [Ni/Mn] superlattice and pinned NiFe layers respectively.
The Belle II detector at the SuperKEKB e+e- collider in Japan is designed for precise measurements of weak interaction parameters and new physics beyond the Standard Model; therefore, it requires very high instantaneous luminosity. To handle such high luminosity, the level-1 trigger system in the Belle II experiment is designed to efficiently trigger events of interest with the highest efficiency. Among many sub-detectors, track reconstruction of charged particles is performed using information collected from the central drift chamber. Therefore, the central drift chamber-based trigger plays a central role in distinguishing specific types of physics based on fast track reconstruction. To improve the longitudinal position resolution of a track vertex and for the fine-tuning of trigger signal timing, the time of the collision, which we call event time, is necessary. We developed an event time finding algorithm using the wire hit time information obtained from the central drift chamber and validated our algorithm through Monte Carlo simulation.
Sohn, Sun-Young;Lee, Dae-Woo;Park, Keun-Hee;Jung, Dong-Geun;Kim, H.M.;Manna, U.;Yi, J.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07b
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pp.1056-1058
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2005
Electrical and optical characteristics of MEH-PPV-based PLEDs with the LiF anode interfacial layer were investigated. The maximum luminance efficiency of the device with a LiF anode interfacial layer of 1-nm-thick was 3.0 lm/W, which is higher than 1.97 lm/W of the device without a LiF layer. By inserting LiF, excess injected holes from ITO anode can be blocked and hence the recombination ratio of electrons and holes can be increased in the emitting layer to improve device efficiency.
Transparent electronics has been one of the key terminologies forecasting the ubiquitous technology era. Several researchers have thus extensively developed transparent oxide-based thin-film transistors (TFTs) on glass and plastic substrates although in general high voltage operating devices have been mainly studied considering transparent display drivers. However, low voltage operating oxide TFTs with transparent electrodes are very necessary if we are aiming at logic circuit applications, for which transparent complementary or one-type channel inverters are required. The most effective and low power consuming inverter should be a form of complementary p-channel and n-channel transistors but real application of those complementary TFT inverters also requires electrical- and even photo-stabilities. Since p-type oxide TFTs have not been developed yet, we previously adopted organic pentacene TFTs for the p-channel while ZnO TFTs were chosen for n-channel on sputter-deposited $AlO_x$ film. As a result, decent inverting behavior was achieved but some electrical gate instability was unavoidable at the ZnO/$AlO_x$ channel interface. Here, considering such gate instability issues we have designed a unique transparent complementary TFT (CTFTs) inverter structure with top n-ZnO channel and bottom p-pentacene channel based on 12 nm-thin nano-oxide/self assembled monolayer laminated dielectric, which has a large dielectric strength comparable to that of thin film amorphous $Al_2O_3$. Our transparent CTFT inverter well operate under 3 V, demonstrating a maximum voltage gain of ~20, good electrical and even photoelectric stabilities. The device transmittance was over 60 % and this type of transparent inverter has never been reported, to the best of our limited knowledge.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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