Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
본 논문에서는 태양광 발전의 효율을 높이기 위하여 센서와 마이크로프로세서를 이용한 태양광 위치추적 장치를 설계하여 고정 방식의 태양광 발전과 위치 추적 방식의 태양광 발전에 대하여 비교해 보았으며, 태양전지에 대한 특성 해석과 수학적 모델링을 통한 시뮬레이션을 행하여 태양전지 특성 사양과 비교해 보았다. 또한 전력변환 시스템을 Boost 컨버터와 전압형 인버터로 구성하여 각각에 대하여 실험하였으며, Boost 컨버터 제어에서 최대 전력점 추적을 위해 일정전압 제어법을 사용하였다. 인버터의 제어에서는 SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation) 제어법을 사용하여 실험하여 좋은 결과를 나타내었다.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$ The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ (<$200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC vanes with $T_f$.
We demonstrate the hybrid polymer-quantum dot based multi-functional device (Organic bistable devices, Light-emitting diode, and Photovoltaic cell) with a single active-layer structure consisting of CdSe/ZnS semiconductor quantum-dots (QDs) dispersed in a poly N-vinylcarbazole (PVK) and 1,3,5-tirs- (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene (TPBi) fabricated on indium-tin-oxide (ITO)/glass substrate by using a simple spin coating technique. The multi-functionality of the device as Organic bistable device (OBD), Light Emitting Diode (LED), and Photovoltaic cell can be successfully achieved by adding an electron transport layer (ETL) TPBi to OBD for attaining the functions of LED and Photovoltaic cell in which the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of TPBi is positioned at the energy level between the conduction band of CdSe/ZnS and LiF/Al electrode (band-gap engineering). Through transmission electron microscopy (TEM) study, the active layer of the device has a p-i-n structure of a consolidated core-shell structure in which semiconductor QDs are uniformly and isotropically adsorbed on the surface of a p-type polymer core and the n-type small molecular organic materials surround the semiconductor QDs.
2011년 10월 국내 최초로 다목적댐 저수지에 100kW급 수상태양광발전 상용화 실증 플랜트가 합천댐에 설치되었다. 수상태양광발전 설비는 육상에 설치하는 태양광발전 설비와는 달리 수상부유체, 계류장치, 수중케이블 등 설치에 많은 어려움이 있다. 특히 수상이라는 환경적 제약으로 인해 육상 태양광 시공 방법으로 공정 관리를 할 수 없는 많은 변수가 속출한다. 수상태양광발전의 구조체는 수상태양광 모듈 및 기타 전기설비를 수상에 부상시키기 위한 설비로서 바람이나 태풍 등 기상환경에 견뎌야 하고 수질에 악영향을 미치지 말아야하며 시공성, 경제성 등 종합적인 고려가 필요하다. 본 논문에서는 100kW 수상태양광 시공사례를 바탕으로 수상태양광의 구조체, 계류장치, 수중케이블, 전력설비 및 원격감시제어시스템의 시공기술에 대한 기초자료를 제공하였다. 본 연구에서 시공된 100kW 수상태양광은 현재 평균 설비이용률 15%로 운영중에 있다.
A photovoltaic panel is a device that, through the photovoltaic effect, converts luminous energy into electric energy. Photovoltaic generation system used infinity of solar energy, cost of fuel is needless and there in no air pollution or waste occurrence. This paper summarizes the results of these efforts by offering a photovoltaic system structure in 30[kW] large scale applications installed in Mokpo National University dormitory roof. The status of photovoltaic system components, are inter-connection and safety equipment monitoring system will be summarized as this article. This describes configuration of utility interactive photovoltaic system which generated power supply for dormitory. In this paper represent 30[kW] utility photovoltaic system examination result.
Organic photovoltaic (OPV)cells have attracted considerable attention due to their potential for flexible, lightweight, and low-cost application of solar energy conversion. Since a 1% power conversion efficiency (PCE) OPV based on a single donor-acceptor heterojunction was reported by Tang, the PCE has steadily improved around 5%. It is well known that a high parallel (shunt)resistance and a low series resistance are required simultaneously to achieve ideal photovoltaic devices. The device should be free of leakage current through the device to maximize the parallel resistance. The series resistance is attributed to the ohmic loss in the whole device, which includes the bulk resistance and the contact resistance. The bulk resistance originated from the bulk resistance of the organic layer and the electrodes; the contact resistance comes from the interface between the electrodes and the active layer. Furthermore, it has been reported that the bulk resistance of the indium tin oxide (ITO) of the devices dominates the series resistance of OPVs for a large area more than $0.01\;cm^2$. Therefore, in practical application, the large area of ITO may significantly reduce the device performance. In this work, we investigated the effect of sheet resistance ($R_{sh}$) of deposited ITO on the performance of OPVs. It was found that the device performance of polythiophene-fullerene (P3HT:PCBM) bulk heterojunction OPVs was critically dependent on Rsh of the ITO electrode. With decreasing $R_{sh}$ of the ITO from 39 to $8.5\;{\Omega}/{\square}$, the fill factor (FF) of OPVs was dramatically improved from 0.407 to 0.580, resulting in improvement of PCE from $1.63{\pm}0.2$ to $2.5{\pm}0.1%$ underan AM1.5 simulated solar intensity of $100\;mW/cm^2$.
Recently, there is a growing concern on the photovoltaic effects using organic materials. This is a phenomena which converts the solar energy into the electrical one. We have fabricated a device structure of $ITO/PEDOT:PSS/CuPc/C_{60}/BCP/AI$. The PEDOT:PSS layer is made by spin coating, and the other organic layers are made by thermal vapor deposition. By measuring the current-voltage characteristics with an illumination of light, we have obtained value of Voc=0.38V, Jsc=$0.5mA/cm^{2}$. And a fill factor and efficiency are about 0.314 and 0.083%, respectively. A 500W xenon lamp(ORIEL) is used for a light source, and the light intensity illuminated into the device was about 10mW.
Organic photovoltaic effects were studied in a device structure of ITO/CuPc/Al and ITO/CuPc/$C_{60}$/BCP/Al. A thickness of CuPc layer was varied from 10 nm to 50 nm, we have obtained that the optimum CuPc layer thickness is around 40 nm from the analysis of the current density-voltage characteristics in CuPc single layer photovoltaic cell. From the thickness-dependent photovoltaic effects in CuPc/$C_{60}$ heterojunction devices, higher power conversion efficiency was obtained in ITO/20nm CuPc/40nm $C_{60}$/Al, which has a thickness ratio (CuPc/$C_{60}$) of 1:2 rather than 1:1 or 1:3. Light intensity on the device was measured by calibrated Si-photodiode and radiometer/photometer of International Light Inc(IL 14004).
In this paper, to make sure that the photovoltaic solar cell module of the system can be normal for output in each solar cell module, input and output unit is installed in the bypass device, and then through the voltage and current monitoring to determine abnormality of the solar cell module, in the case of abnormal occurring, the bypass device can be pass to the next solar module of the serial structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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