• 한국재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.473-477
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• 1999

Xerographic properties of double-layer photoconductor doped with 4-butyl-4'-methoxyazobenzene (BMAB) as charge-carrier transport material were investigated. BMAB can undergo reversible trans-cis isomerization by light with appropriate wavelength. In the results of measured surface voltage properties for photoconductor doped with BMAB, TNF: BMAB(4-wt%) sample with trans form showed the lowest dark decay, the lowest residual voltage, and the highest sensitivity among cis form. The trans isomer of BMAB has ordering orientation because the molecule possesses a rodlike shape, while the cis isomer has random orientation due to its bent shape. Therefore the molecular arrangement of trans form enhanced charge-carrier transport mobility.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.72-72
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• 2009

본 연구에서는 Photoconductor materials 기반의 평판형 X-ray Detector film 제작에 관한 연구를 수행하였다. 기존의 광도전성 물질로 사용되어 오던 비정질 셀레늄(Amorphous seleinum; a-Se) 기반의 디지털 방사선 검출기 보다 높은 신호 및 동작 특성을 가지는 Mercury Iodide(HgI2)와 열적, 전기적 특성이 안정적이며, 소자의 동작특성이 우수한 Lead Oxide(PbO) 기반의 X-ray Detector film의 개발에 있어서 각각 HgI2 및 PbO 두 물질 층을 적정비율에 맞추어 제작함으로써 최적의 X-ray Detector를 구현하고자 하였다. 이는 빠른 영상획득을 통해 기존의 방식이 가지는 문제점을 해결하고 의료기기 디지털화를 구현할 수 있는 차세대 시스템을 개발하고자 하는 것이다. 본 연구에서는 기존의 진공증착법의 두꺼운 대면적 필름의 제조가 어려운 문제점을 해결하고자 Particle In Binder method(PIB) 방법을 이용하여 $3"{\times}3"$사이즈의 두께 $200{\mu}m$의 다결정의 Photoconductor 필름을 제조하여 전기적 특성을 평가하였다. 제작된 필름의 전기적 특성을 dark current, X-선 sensitivity와 SNR(Signal to -Noise Rate) 등을 측정하여 정량적으로 평가 하였다. 기준 실험으로 진행한 DG 2.1 바인더를 사용한 single-HgI2 층에서 보다 높은 sensitivity 값을 보였지만 높은 dark current로 인해 SNR이 떨어지는 결과를 볼 수 있었다. 본 연구에서 제시하는 두 Photoconductor material의 Soaking method를 이용한 실험에서는 single-HgI2에 해당하는 높은 sensitivity 및 저감된 dark current로 인해 높은 SNR 값을 획득하였다. 하지만 습도와 같은 주변 환경에 의한 재현성 문제로 인한 신호값의 불안정성에 대한 문제점도 남아 있으므로, 차후 최적화된 material 제작 공정을 위한 연구가 꾸준히 진행 되어져야 할 것이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.121-121
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• 2002

• 폴리머
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• 제25권5호
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• pp.719-727
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• 2001

유기광도전체에 있어서의 액정은 종래의 분자 배향성을 가지지 않는 비정성 고체계와는 달리 분자 배향성을 가지기 때문에 분자 사이의 질서도가 높아지게 되고, charge-carrier의 hopping을 방해하는 hopping site의 공간적인 틈이 작아져 고 이동도의 특성을 가질수 있다. 본 연구에서는 유기광도전체의 전하 수송층에 액정5CT를 혼합하여, charge-carrier수송특성에 있어서의 액정5CT의 영향을 관찰하였다. 액정5CT를 함유한 유기광도전체는 액정의 혼합비가 증가함에 따가 초기전위는 증가하였으며, 암감쇄는 감소하는 경향을 나타내었다. 감도는 5CT를 TNF와 OXD 각자에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우에 가장 우수하게 나타났다. 형광거동을 관찰한 결과, 이는 전하수송재료와 액정5CT의 전하 수송착체에 의한 것으로, 액정5CT를 TNF와 OXD 각각에 대하여 40 wt%로 혼합한 시료의 경우가 다른 시료에 비해 전하 수송착체가 가장 잘 형성되어, 성공을 잘 수송하기 때문으로 나타났다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.81-84
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• 2013

고 에너지 방사선의 이용과 치료 계획의 발전이 이루어지면서 치료방사선에서 선량 측정의 중요성은 더욱 부각되고 있다. 이러한 선량 측정을 위한 검출기에는 이온 전리함, 필름, 열형광선량계, 다이오드 등이 있다. 이중, 다이오드 검출기는 입사되는 방사선에 의하여 전기적인 신호를 생성하는 광도전체 물질을 사용하는데, 이러한 광도전체 물질에 대해서 최근 많은 연구 그룹들이 관심을 가지고 있다. 하지만, 방사선 치료 영역에서만은 실리콘(Si) 이외에 물질에 대한 연구 결과가 활발히 도출되고 있지 않은 실정이다. 본 논문에서는 광도전체 물질의 고 에너지 방사선에 대한 반응 특성을 확인함으로써 선량계로의 적용 가능성을 검증하고자 하였다. 요오드화수은($HgI_2$)과 요오드화납($PbI_2$)을 기반으로 하는 검출기를 제작하여, 선형가속기에서 입사되는 고 에너지 방사선에 대하여 재현성, 선형성, Pulse rate response를 평가하였다. 이러한 항목들은 치료방사선의 선량계로써의 역할을 평가할 수 있는 필수 요소들이다. 실험결과, 제작된 요오드화수은($HgI_2$)은 약 7% 내외의 재현성과 선형성 오차를 나타내었으며, 요오드화납($PbI_2$)은 1.7%의 선형성 오차와 12.2%의 재현성 오차를 가지는 것으로 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.390-392
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• 2005

The digital radiation detectors are used clinically by diagnostic apparatus. However the digital radiation detector are some problem like high operating voltage, light blurring, low conversion efficiency, low fill factor, etc. Thus we propose a new radiation detector that the photoconductor layer and liquid crystal layer are coupled in sandwich structure. X-ray absorption in the photoconductor layer controls the state of the liquid crystal via creation of charge carrier and the light modulation of liquid crystal make image formation. The advantage of the new radiation detector is that high resolution image is acquired and the signal amplification is possible by external visible light source. In this study, we study the optical properties and electrical properties of the new radiation detector to irradiate X-ray. The Mercury Iodide($HgI_2$) was used by photoconductor material, and the aluminum is used by reflective layer. The thickness of Mercury Iodide is about $200{\mu}m$, the operating voltage of the liquid crystal is 1.5~5V. The electrical properties of Mercury Iodide was measured, and the transmission efficiency of liquid crystal was measured by modulation potential.

• 한국방사선학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.93-96
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• 2011

현재 광도전체 물질을 이용한 직접변환방식의 방사선 검출기 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 광도전체 물질 중 상용화된 비정질 셀레늄(a-Se)에 비해 요오드화수은($HgI_2$) 광도전체 화합물은 고에너지에 대한 높은 흡수율과 민감도를 가지는 것으로 보고되고 있다. 또한 이러한 광도전체 필름은 발생된 신호의 검출효율은 상하부 전극크기에 의한 전기장의 세기 및 기하학적 분포에 많은 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 이에 본 연구는 $HgI_2$ 광도전체 필름에서 상하부 전극의 크기에 따른 X선 검출특성을 조사하였다. 시편제작은 기존의 진공 증착법이 두꺼운 대면적 필름제조가 어렵다는 문제점을 해결하고자 페이스트 인쇄법을 이용하여 인듐전극이 코팅된 유리기관위에 제작하였으며, 시편의 두께를 $150{\mu}m$, 면적크기를 $3cm{\times}3cm$ 크기로 제조하였다. 상부전극은 마그네틱 스퍼터링법을 이용하여 $3cm{\times}3cm$, $2cm{\times}2cm$, $1cm{\times}1cm$의 크기로 ITO(indium-tin-oxide)를 진공 증착하였다. 특성평가를 위해 X선 선량에 대한 민감도와 누설전류, 신호대잡음비를 측정하여 필름의 전기적 검출 특성을 정량적으로 평가하였다. 그 결과 상부전극의 크기가 증가함에 따라 검출된 신호의 크기가 다소 증가하는 경향을 보였다. 하지만, 전극크기의 증가에 따른 누설전류 또한 증가함으로써 신호대잡음비는 오히려 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과로부터 향후 광도전체를 적용한 X선 영상검출기 개발에 있어 상부전극의 최적크기와 구조설계가 고려되어야 할 것으로 사료된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.152-152
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• 2003

Hg$\sub$l-x/Cd$\sub$x/Te (MCT) was grown by hot wall epitaxy. Prior to the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of 590$^{\circ}C$ for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was 5 $\mu\textrm{m}$ or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111) /GaAs substrate at various temperatures in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment The photoconductor characterization for the epilayers was also measured The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out

• 한국인쇄학회지
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• 제12권1호
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• pp.1.1-11
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• 1994

The photosensitive properties and carrier transport in the organic photoconductor with the carrier transport layers(CTL) of polymer matrix doped with two carrier transport materials above carrier generation layer(CGL) containing oxotitanium phthalocyanine (TiOPc) were investigated. The CGL of TiOPc dispersed in poly(vinylbutyral) was formed as thickness of 0.1${\mu}{\textrm}{m}$and the carrier transport layer was prepared by coating polycarbonate and polyester doped with oxadiazoly(OXD), polyvinylcarbazole (PVK), trinitro fluorenone(TNF) as thickness of 10~15${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. We have measured half decay exposure,sensitivity and xerographic gain from the photo-induced discharge curve(PIDC). In this work, it was found that the characteristics of carrier transport were mainly caused by the ionization potential difference of constitutive materials in molecularly doped polymer.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제28권2호
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• pp.306-309
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• 2007

PXLM(Phosphor based x-ray light modulator) has a combined structure by phosphor, photoconductor, and liquid crystal and it can realize x-ray image of high resolution in clinical diagnosis area. In this study, we fabricated a photoconductor and investigated electrical and optical properties to confirm application possibility of radiator detector of PXLM structure. As photoconductor, amorphous selenium(a-Se), which is used most in DR(Digital radiography) of direct conversion method, was used and for formation of thin film, it was formed as $20{\mu}m-thick$ by using thermal vacuum evaporation system. For a produced a-Se film, through XRD(X-ray diffraction) and SEM(Scanning electron microscope), we investigated that amorphous structure was uniformly established and through optical measurement, for visible light of 40 $0\sim630nm$, it had absorption efficiency of 95 % and more. After fabricated a-Se film on the top of ITP substrate, hybrid structure was manufactured through forming $Gd_2O_3:Eu$ phosphor of $270{\mu}m-thick$ on the bottom of the substrate. As the result to confirm electrical property of the manufactured hybrid structure, in the case of appling $10V/{\mu}m$, leakage current of $2.5nA/cm^2$ and x-ray sensitivity of $7.31nC/cm^2/mR$ were investigated. Finally, we manufactured PXLM structure combined with hybrid structure and liquid crystal cell of TN(Twisted nematic) mode and then, investigated T-V(Transmission vs. voltage) curve of external light source for induced x-ray energy. PXLM structure showed a similar optical response with T-V curve that common TN mode liquid crystal cell showed according to electric field increase and in appling $50\sim100V$, it showed linear transmission efficiency of $12\sim18%$. This result suggested an application possibility of PXLM structure as radiation detector.