• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제12권3호
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• pp.41-46
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• 2013

Efficient and inexpensive solar cells are necessary for photo-voltaic to be widely adopted for mainstream electricity generation. For this to occur, the recombination losses of charge carriers (i.e. electrons or holes) must be minimized using a surface passivation technique suitable for manufacturing. Recently it has been shown that aluminum oxide thin films are negatively charged dielectrics that provide excellent surface passivation of silicon solar cells to attract positive-charged holes. Especially aluminum oxide thin film is a quite suitable passivation on the rear side of p-type silicon solar cells. This paper, it demonstrate the interfacial microstructure and electrical properties of mono-crystalline silicon surface passivated by $Al_2O_3$ films during firing process as applied for screen-printed solar cells. The first task is a comparison of the interfacial microstructure and chemical bonds of PECVD $Al_2O_3$ and of PEALD $Al_2O_3$ films for the surface passivation of silicon. The second is to study electrical properties of double-stacked layers of PEALD $Al_2O_3$/PECVD SiN films after firing process in the temperature range of $650{\sim}950^{\circ}C$.

• 전기학회논문지
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• 제66권12호
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• pp.1905-1912
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• 2017

In recent years, Ulaanbaatar, a capital of Mongolia has witnessed major problem that air quality reaches hazardous level during the winter season. Coal combustion for heating of every house in "Ger" district is main reason. One way to reduce the air pollution is mass usage of electric heater. However, there are several difficulties such as overload and degradation of transformers and other equipment used in distribution and transmission systems as well as power shortage occurrence in evening peak period due to residential consumption. This study aims to contribute for solving the air pollution and power shortage problem in Mongolia. One possible solution could be distributed generation (DG) with photovoltaic (PV) penetration. In this study, PV with energy storage (ES) hybrid system to reduce peak load is analyzed. We proposed the suitable structure of PV-ES hybrid for Mongolian household, and suggested several operation scenarios. Optimal operation algorithm is carried out based on a comparison aspect from economical, grid impact and PV penetration possibility. The economic analyse shows annual income of 520USD, and has a payback period of 8 years for selected scenario. The proposed PV-ES system structure is verified by experimentation set on the building rooftop in city center. The suggested scenario is planned to apply for system in further research.

• 대한원격탐사학회지
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• 제32권6호
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• pp.579-587
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• 2016

세계적으로 자국의 에너지 수급의 안정성을 도모함과 동시에 태양광 발전시스템의 효율적인 운영을 위한 위성기반 태양광 발전가능량 산출기술 개발이 중요한 관심사로 주목받고 있다. 본 연구는 위성기반 일사량 산출기술과 태양광 발전가능량 산출기술에 대한 동향을 분석하고 관련기술 개발 전략을 제시하는데 그 목적을 둔다. 동향 분석 결과, 우리나라의 태양광 발전가능량 산출에 대한 전반적인 기술 수준은 선진국 대비 30% 이하로 아주 미미한 수준이며 이는 태양광 자원지도 제작에 국한되어있다. 이러한 기술 수준을 단시간 내에 선진국과 대등하게 끌어올리는 것은 거의 불가능할 것이다. 따라서 집중적인 연구개발을 통해 선진국 대비 80% 수준의 기술 수준을 달성하여 주요한 정보를 제공하여야 만이 실제 현업에서의 태양광 발전소 운영에 기여할 수 있을 것이다. 즉 가능한 빠른 시간 내에 현재 운영되고 있는 COMS 뿐만 아니라 차세대 고해상도 정지궤도기상위성 자료를 이용한 수백 m 급 고정밀 일사량 상세화 기술과 단기 또는 중기 일사량 예측을 위한 핵심기술이 우선적으로 확보되어야하며, 이후 위성기반 태양광 발전가능량 산출기술을 개발함으로써 현업에서 활용될 수 있는 정보를 제공함이 현실적으로 타당한 기술개발 전략일 것이다.

• 센서학회지
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• 제6권5호
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• pp.407-413
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• 1997

기판온도 $300^{\circ}C$에서 열증착법에 의해 p형 <100> Si 기판위에 CuPc(Copper Phthalocyanine) 결정 박막을 증착하였다. X선 회절분석으로부터 CuPc 박막은 a-축 방향으로 성장하였음을 알 수 있었다. CuPc분자들이 기판면위에 수직인 CuPc/Si박막의 광전특성을 조사하기 위하여 수직방향의 전류-전압 (I-V) 특성을 기판 Si의 특성과 비교 관찰하였다. 저항성 접촉을 위해 기판인 p형 Si위에 전극으로 Au를 증착시켰다. Au/Si 접합에 빛을 조사한 결과 전류는 증가하지만 광기전력효과는 관찰되지 않았다. p형 반도체인 CuPc 박막과 기판 p-Si의 접합은 장벽을 형성하지 않기 때문에 빛을 조사하지 않았을 때의 I-V 특성은 저항성을 나타낸다. 빛을 조사하였을 때 CuPc/Si 접합의 증가된 광전류는 Si 웨이퍼보다 현저하게 큰 것을 알 수 있다. 따라서 CuPc 층이 600 nm 파장에서의 붉은 빛을 현저하게 흡수하여 광전류에 기여하는 다량의 광캐리어를 형성함을 알 수 있다. CuPc/Si 박막은 $J_{sc}$ (short-circuit photocurrent) $4.29\;mA/cm^{2}$와 $V_{oc}$ (open circuit photovoltage) 12 mV의 광기전력 특성을 보여준다.