• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.111-114
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• 2003

Compared to a conventional atomic layer deposition (ALD) grown Al203 film, Plasma enhanced ALD (PEALD) grown AION film was revealed to possess a large breakdown field, which is necessary for stable operation of thin film electroluminescent (TFEL) device. Also, AION is more stable than Al203 films grown by PEALD or by ALD after post-annealing process, which is inevitably required to improve luminance property of phosphor. Furthermore, AION films were applied to insulators of ZnS:Tb TFEL device. Resultant1y, they show better stability than ALD grown insulators under high electric field.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권1호
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• pp.29-33
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• 2003

Europium doped yttrium oxide submicron-sized particles were prepared by ultrasonic aerosol pyrolysis. To examine the size effect of submicron-sized-particle, the photoluminescence of the particles was investigated. The particle size was controlled by pH, reaction temperature, molar concentration of yttrium in precursor solution. The PL intensity of submicron-sized particles was decreased with particles size. When the particle size is above about 150 times of Bohr radius of Y$_2$O$_3$, the optical property of the particles shows the bulk characteristics.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권3호
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• pp.123-128
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• 2004

융제(flux)로서 $B_2O_3$의 농도를 0-10 wt%까지 변화시킨 $SrAl_2O_4$ : $Eu^{+2}$, $Dy^{+3}$계 장잔광 형광체를 고상반응법으로 합성한 후, $B_2O_3$의 첨가량에 따른 결정특성과 장잔광 축광재료로서 가장 중요한 발광 및 장잔광 특성을 조사하였다. $SrAl_2O_4$ : Eu$^{+2}$, $Dy^{+3}$계 형광체는 $B_2O_3$의 농도에 관계없이 520nm 파장을 최대 발광파장으로 하는 발광스펙트럼을 나타내었고, 3wt%의 $B_2O_3$ 농도에서 최대 발광강도를 나타내었다. 그리고 $SrAl_2O_4$ : Eu$^{+2}$, $Dy^{+3}$ 형광체의 잔광강도 역시 $B_2O_3$의 농도에 무관하게 시간에 따라 모든 시료에서 지수 함수적으로 감소하였으나, $B_2O_3$의 농도가 3wt%인 경우에 발광의 감쇠속도가 작은 뛰어난 장잔광특성을 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제48권5호
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• pp.447-453
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• 2011

The monodisperse spherical $SiO_2$ particles were overcoated with $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphor layers via a Pechini sol-gel process and the resulting $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ core-shell phosphors were subsequently annealed at $800^{\circ}C$ at an ambient atmosphere. The crystallographic structure, morphology, and luminescent property of core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and photoluminescence (PL). The spherical, nonagglomerated $SiO_2$ particles prepared by a Stober method exhibited a relatively narrow size distribution in the range of 260-300 nm. The thickness of phosphor shell layer in the core-shell particles can be facilely controlled by varying the coating number of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors. The core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors showed a strong red emission, which was dominated by the $^5D_0-^7F_2$ transition (610 nm) of $Eu^{3+}$ ion under the ultraviolet excitation (263 nm). The PL emission properties of $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were also compared with pure $Y_2O_3:Eu^{3+}$ nanophosphors.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권6호
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• pp.272-279
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• 2015

$Y_2O_3:Eu^{3+}$는 우수한 적색 발광 특성을 가지고 있는 형광체로 최근 고화질 디스플레이에 대한 수요가 증가함에 따라 관련 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 RF 열플라즈마 합성법과 고상법을 이용하여 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체를 합성하였으며, 합성 방법에 따른 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 결정 구조, 미세 구조, 발광 특성의 차이를 XRD, TEM, PL 분석을 통해 비교하였다. 고상법으로 합성된 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 입자는 약 $10{\sim}20{\mu}m$ 크기를 가지는 반면, RF 열플라즈마 합성법을 통해 합성된 적색 형광체는 반응부는 약 100 nm, 필터부는 약 30 nm의 크기를 갖는 나노 형광체로 확인되었다. 합성된 모든 분말들은 PL 측정결과 611 nm($^5D_0{\rightarrow}^7F_2$)에서 발광하는 것을 확인하였으며, 결정 크기와 입도가 증가할수록 PL intensity가 증가하였다. 또한, 추가 열처리 공정이 필요 없는 one-step 공정의 RF 열플라즈마 공정을 통해 합성된 $Y_2O_3:Eu^{3+}$ 적색 나노 형광체는 고상법으로 합성된 적색 형광체와 비슷한 발광 특성을 보이는 것을 확인할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권3호
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• pp.284-288
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• 2006

분무열분해법을 이용하여$(Ca,Sr)_{2-y}MgSi_2O_7:Eu^{2+}{_y}$ 형광체 분말을 제조하고 $Eu^{2+}$의 농도, 후열처리온도 변화 및 Ca/Sr 비에 따른 발광특성을 조사하였다. 또한, Ca/Sr의 비를 변화시켜 발광특성의 변화를 관찰하였다. $Ca_2MgSi_2O_7$나 $Sr_2MgSi_2O_7$ 분말 모두 $1,000^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리를 했을 때 순수한 정방정계 상이 제조되었다. $Ca_2MgSi_2O_7:Eu^{2+}{_y}$ 녹색 형광체는 $Eu^{2+}(y)$의 농도가 5 mol％, 후열처리 온도가 $1,250^{\circ}C$ 일 때 가장 높은 발광 강도는 보였다. ${(Ca_{1-x},Sr_x)}_{1.95}MgSi_2O_7:{Eu^{2+}}_{0.05}$의 발광 파장은 Sr의 농도가 증가함에 따른 결정장 감소로 인해 524nm에서 456nm로 점진적으로 blue shift 되었다. $Sr_2MgSi_2O_7:Eu^{2+}$는 Sr 자리에 약 10 mol％ Ca를 치환시킴으로써 청색 형광체의 발광 강도는 크게 향상되었다. 제조된 분말들은 치밀하지 못하고 다공성 구조를 가져 후열처리 전에는 구형을 유지하였으나 열처리($900{\sim}1,300^{\circ}C$) 후에는 구형의 형상을 잃고 입자들 간의 응집이 발생하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권1호
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• pp.32-37
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• 2006

희토류계 niobates인 $LaNbO_4$(Ln : Y, La, Gd)는 자체 발광형으로 $NbO^{3-}_4$ 이온의 전하 이동에 의한 넓은 띠의 청색 발광 스펙트럼을 410nm에서 나타낸다. 본 연구에서는 새로운 FED용 청색 및 적색 형광체를 개발하기 위하여 $LaNbO_4$ :X (X = Bi, Eu) 형광체를 합성하였으며, $1250^{\circ}C$에서 2시간 소성한 후 $1400^{\circ}C$에서 1시간 소성하였을 때 최대 발광피크를 얻을 수 있었다. 254nm의 여기하에서 $LaNbO_4$ : Bi는 $420\~450nm$ 영역에서 강한 청색 발광 스펙트럼을 나타내며 첨가된 $Bi^{3+}$ 이온 농도가 $1mol\%$일 때 최대 발광세기를 얻었다 $LaNbO_4$ : Eu의 경우는 첨가된 $Eu^{3+}$ 이온 농도가 $10mol\%$일 때 약 610nm에서 최대 적색 발광 스펙트럼을 나타내고 있다. $Eu^{3+}$ 이온 농도가 $10mol\%$ 이하에서는 $415\~460nm$, $530\~560nm$ 및 $570\~620nm$ 영역에서 피크가 관측되고 있다. 이들 형광체의 음극선 발광특성은 빛 발광 특성과 유사한 경향을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.441-443
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• 2005

According as CCFL(Cold Cathode Fluorescent lamp) of light source in Backlight unit for Note PC (Personal computer) is presently needed to low power consumption and long life time, the development focus of CCFL is going on the discharge gas, phosphor and electrode material. First of all, discharge voltage characteristic of CCFL is closely connected with electrode material For low discharge voltage, the characteristic of electrode material is needed to low work function, low sputtering ratio and superior manufacturing property. We developed new CCFL with Nb/Ni Clad electrode superior to conventional CCFL. Because Nb/Ni Clad electrode with Ni material and Nb material, the electrical characteristic is superior to other electrode materials. The electrode of Nb/Ni Clad is composed that Ni of outside material has superior manufacturing property and Nb of inside material has low work function. Nb/Ni Clad of new electrode material is made by process of Rolling mill at high pressure and heat treatment. We compared electrical characteristic of Nb/Ni clad electrode with conventional Mo electrode by measurement. Mo electrode and Nb/Ni Clad electrode of cup type with diameter 1.1 mm and length 3.0mm are used to this experiment. Material content of Mo electrode is Mo 100%. But, Nb/Ni Clad electrode is composed by content of Nb 40% and Ni 60%. The result of comparison measurement between new CCFL with Nb/Ni Clad electrode and conventional CCFL was appeared that CCFL with Nb/Ni Clad electrode had superior characteristic than conventional CCFL. As a result of experiment, we completed Note PC with low power consumption and long life time by application of new CCFL with Nb/Ni Clad electrode.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제29권1호
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• pp.1-8
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• 2015

To produce the white light, there are a single chip method using the blue light and phosphor coating, a multi chip method by mixing R, G, B light.. Multi chip method is proper for the smart lighting system by controling color and color temperature. And color rendering of single chip LED is good by even spectral distribution. To apply application technic like smart light system, this paper analyzed the properties of single chip LED and RGB multi chip LED, and implemented the 2 part subject evaluation for single chip LED and RGB multi chip LED. The first part is comparison of properties for single chip LED and RGB multi chip and second part is color appearance evaluation of 8 colors in each lighting environment.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권11호
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• pp.2297-2304
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• 2002

Two-dimensional and three-dimensional finite element methods have been used to analyze the deformation behavior of a shadow mask due to thermal and tension load. The shadow mask inside the Braun tube of a TV set has numerous slits through which the electron beams are guided to land on the designed phosphor of red, green or blue. Its thermal deformation therefore causes landing shift of the electron beam and results in decolorization of a screen. For the realistic finite element analysis, the effective thermal conductivity and the effective elastic modulus arc calculated, and then the shadow mask is modeled as shell without slits. Next a transient thermal analysis of the shadow mask is performed, wherein thermal radiation is a major heat transfer mechanism. Analysis of the resulting thermal deformation is followed, from which the landing shift of the electron beam is obtained. The present finite element scheme may be efficiently used to reduce thermal deformation of a shadow mask and in developing prototypes of a large screen flat TV.