• 원예과학기술지
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• 제16권3호
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• pp.370-373
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• 1998

절화장미 해충(진딧물, 응애, 총채벌레) 살충시 MB와 $PH_3$을 혼용하여 훈증함으로써 단독으로 사용할 때보다 훨씬 높은 살충효과를 얻을 수 있었다. ;$MB/PH_3$농도를 $10/3g{\cdot}m^{-3}$로 $10^{\circ}C$의 훈증상에서 2시간 훈증했을 때, 진딧물과 총채벌레에 대해 각각 91.3%, 100%의 살충율을 나타내었다. 훈증시간을 3시간으로 하고 ;$MB/PH_3$의 농도가 $5/3g{\cdot}m^{-3}$ 또는 $7/3g{\cdot}m^{-3}$일 때, 식물약해가 전혀 없었을 뿐 아니라 응애와 총채벌레에서 96% 이상의 살충효과를 얻을 수 있었다. 훈증상내의 이산화탄소의 농도를 0.03%에서 5% 및 10%로 높여 주거나, 산소를 20%에서 15%으로 감소시켜 훈증처리를 한 결과, 이들 공기조성의 변화가 살충효과에 큰 영향을 미치지는 못하였다.

• Journal of Preventive Medicine and Public Health
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• 제32권4호
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• pp.467-472
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• 1999

본 연구는 반도체 산업에서 반도체소자로서 주목받고 있는 GaAs, InP및 InAs의 세포독성을 평가하기 위해 햄스터의 폐포 대식세포를 사용하여 in vitro 자계 측정, LDH 활성치측정 및 세포의 형태학적 관찰 등을 검토하였다. 세포자계측정 결과 GaAs, InP 및 InAs첨가군 모두 대조군(PBS첨가군)에 비해 완화곡선이 유의하게 지연되었으며, 특히 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 용량의존적으로 완화곡선이 지연되는 경향이었다. 자화 후 2분간의 완화계수는 대조군에 비해 GaAs 첨가군은 농도증가에 따라 유의하게 낮아지는 용량의존성이 높은 경향이었으나, InP 및 InAs 첨가군에서는 모두 유의성이 인정되지 않았다. LDH활성치는 GaAs, InP 및 InAs첨가군 모두 용량 의존적으로 점차 높아지는 경향이었다. 세포의 형태학적 관찰소견은 GaAs첨가군에서는 용량의존적으로 세포막의 현저한 파괴, 핵의 형태적 변화 등 심한 세포장해가 유발된 반면, InP첨가군과 InAs첨가군에서는 세포내의 구조는 유지되었으나 세포질의 변성이 관찰되었다. 결과적으로 GaAs는 InP나 InAs보다 폐포 대식세포의 세포독성이 강한 것으로 보인다.