• 한국식품과학회지
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• 제31권5호
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• pp.1308-1314
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• 1999

버섯의 MAP 효과를 $CaCl_2$ 및 chitosan 코팅과 더불어 행하여 이들이 저장중 미치는 품질 변화 효과에 대하여 관찰하였다. 포장 필름으로서는 PD941, PD961 및 기존의 램을 사용하였으며 대조구로는 물 세척 구를 선정하였다. 포장 내부의 공기조성을 살펴본 결과 모두 $1{\sim}3$일 사이에 최고의 $CO_2$ 농도에 도달하였으며 이후부터는 필름의 투과성에 따라 감소되었으며 랩 포장구를 제외하고 코팅제의 종류에 상관없이 일정한 값을 보였다. $O_2$ 농도 역시 급격하게 감소되었으며 OTR에 의하여 외부에서 내부로 유입되어 다시 증가되는 경향을 보였으며 크게 코팅제에 따른 차이는 보이지 많았다. 호흡률에 있어서 저장하기 전의 무 처리구와 대조구(물 세척구) 및 코팅 처리구는 $155{\sim}175\;mgCO_2/kg/hr$로 유의적인 차이가 없었으며 랩 포장구$(143{\sim}181\;mgCO_2/kg/hr)$와 PD941$(142{\sim}169\;mgCO_2/kg/hr)$ 포장구 역시 6일 저장 후에도 시료구 간의 유의성을 발견할 수 없었다. PD961 포장구의 호흡률은 $CaCl_2(245\;mgCO_2/kg/hr)$, 키토산$(226\;mgCO_2/kg/hr)$, 물 세척구$(192\;mgCO_2/kg/hr)$로 놀게 나타났으며, 이는 PD961 포장용 적내의 낮은 산소 농도로 6일 저장후에도 신선도가 유지되어 호흡이 왕성하기 때문으로 사료된다. 숙도는 코팅과 포장필름의 가스투과도에 의하여 좌우되는 것으로 사료된다. 같은 포장재 처리 시료구 간의 비교를 해봤을 때 랩, PD941은 물 세척구는 모두 3.9, $CaCl_2$ 처리구는 각각 3.6, 4.4로 모두 숙도가 진행되어진 반면 키토산 처리구는 2.9, 2.5 이들보다 낮은 값을 유지하고 있었다. PD961 포장 처리구는 최종 숙도가 1.25로 초기와 큰 차이가 나지 많았다 따라서 버섯에 있어서 외형의 보존효과는 코팅효과도 가능하나 포장재의 선택이 더 중요하다는 것을 알 수 있었다. 키토산 코팅처리구는 포장재 전반적으로 대조구나 $CaCl_2$처리 시료구에 비하여 낮은 L 값을 보였다. 이와 마찬가지로 ${\Delta}E$ 값도 다른 시료구에 비하여 높은 값을 보여 키토산 코팅 처리는 버섯의 색도에 좋지 않은 영향을 미치는 것으로 보인다. 중량 감소는 램 포장구에서 많이 일어났으며 PD961은 10% 이하의 중량감소율을 보인다. 본 실험 결과로 보아 버섯 저장에 가장 중요한 영향을 미치는 요인은 포장 재질과 코팅제의 선택이라고 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.259-259
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• 2008

The LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) technology meets the requirements for high quality microelectronic devices and microsystems application due to a very good electrical and mechanical properties, high reliability and stability as well as possibility of making integrated three dimensional microstructures. The wet process, which has been applied to the etching of the metallic thin film on the ceramic substrate, has multi process steps such as lithography and development and uses very toxic chemicals arising the environmental problems. The other side, Plasma technology like ion beam sputtering is clean process including surface cleaning and treatment, sputtering and etching of semiconductor devices, and environmental cleanup. In this study, metallic multilayer pattern was fabricated by the ion beam etching of Ti/Pd/Cu without the lithography. In the experiment, Alumina and LTCC were used as the substrate and Ti/Pd/Cu metallic multilayer was deposited by the DC-magnetron sputtering system. After the formation of Cu/Ni/Au multilayer pattern made by the photolithography and electroplating process, the Ti/Pd/Cu multilayer was dry-etched by using the low energy-high current ion-beam etching process. Because the electroplated Au layer was the masking barrier of the etching of Ti/Pd/Cu multilayer, the additional lithography was not necessary for the etching process. Xenon ion beam which having the high sputtering yield was irradiated and was used with various ion energy and current. The metallic pattern after the etching was optically examined and analyzed. The rate and phenomenon of the etching on each metallic layer were investigated with the diverse process condition such as ion-beam acceleration energy, current density, and etching time.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제9권2호
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• pp.121-125
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• 2002

방울토마토의 포장에 적합한 필름을 선택하기 위하여 기체 투과도가 다른 여러 가지 필름으로 방울토마토를 포장하고 저장하면서 포장내 기체 농도, 총균수, 효모 및 곰팡이 수, 중량 감소율, 부패율 등을 조사한 결과는 다음과 같았다. CPP와 PD961로 포장한 시험 구는 저장 기간 동안 계속 적으로 산소와 이산화탄소 농도가 계속적으로 변화하였으나 다른 포장재로 포장한 시험구는 저장 10일 경에 대체적으로 평형에 도달하였다. 저장 기간 중 중량 감소율은 PY85로 포장한 시험구가 가장 현저하였으며 다른 포장재로 포장한 시험구는 저장 20일까지도 1% 부근이었다. 포장 직후의 총 균 수는 $10^4$ CFU/g 부근이었으며, 이들은 대부분 곰팡이나 효모인 것으로 나타났다. 또한 저장 기간이 경과함에 따라서 대체적으로 미생물의 수는 증가하였다. CPP로 포장한 시험구는 저장 5일에는 총균수, 효모 및 곰팡이 수가 가장 적었으나 10일 이후에는 가장 많았으며, 저장 20일에는 총균수가 $10^{8}$ CFU/g이었으며, 효모 및 곰팡이 수는 $10^{7.97}$ CFU/g 이었다. 저장 기간 중 pH는 대체적으로 증가하였으며, 총산 및 가용성 고형물은 큰 변화가 없으나 대체적으로 감소하였다. 단지 PY85로 포장한 시험구는 저장 기간동안 지속적으로 총산과 가용성 고형물이 증가하였다. 저장 5일 이후에는MPD와 PY85를 제외한 시험구에서 부패가 발생하기 시작하였으며, CPP와 PD961로 포장한 시험구의 부패율이 대체적으로 높았다. MPD는 저장 20일에도 5.3%의 가장 낮은 부패율을 보였다.다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.873-876
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• 2000

Characteristics of piezoelectric thick films prepared by screen printing method were investigated. The piezoelectric thick films were printed using Pb(Mg,Nb)O$_3$-Pb(Zr,Ti)O$_3$system. The lower electrodes were coated with various thickness of Ag-Pd by screen printing to investigate the effect as a diffusion barrier and deposited with Pt by sputtering on Ag-Pd. The ceramic paste was prepared by mixing powder and binder with various ratios using three roll miller. The fabricated thick films were burned out at 650$^{\circ}C$ and sintered at 950$^{\circ}C$ in the O$_2$condition for each 20, 60min after printing with 350mesh screen. The thickness of piezoelectric thick film was 15∼20 $\mu\textrm{m}$ and the Ag-Pd electrode acted as a diffusion barrier above 3 $\mu\textrm{m}$ thickness. When the lower electrode Ag-Pd was 6 $\mu\textrm{m}$ and the piezoelectric thick films were sintered by 2nd step (650$^{\circ}C$/20min and 950$^{\circ}C$/1h) using paste mixed Pb(Mg,Nb)O$_3$-Pb(Zr,Ti)O$_3$$.$ MnO$_2$+ Bi$_2$O$_3$. V$_2$O$\_$5/ and binder in the ratio of 70:30, the remnant polarization of thick film was 9.1 ${\mu}$C /cm$^2$.

• 센서학회지
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• 제19권1호
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• pp.58-61
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• 2010

This paper describes the fabrication and characteristics of NO sensor using ZnO thin film by RF magnetron sputter system. The sensitivity, working temperature, and response time of sputtered pure ZnO thin film and added catalysts such as Pt, Pd, Al, Ti on those films were measured and analyzed. The sensitivity of pure ZnO thin film at working temperature of $300^{\circ}C$ is 0.875 in NO gas concentration of 0.046 ppm. At same volume of the gas in chamber, measuring sensitivity of 1.87 at $250^{\circ}C$ was the case of Pt/ZnO thin film. The ZnO thin films added with catalyst materials were showed higher sensitivity, lower working temperature and faster adsorption characteristics to NO gas than pure ZnO thin film.

• 한국진공학회지
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• 제3권1호
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• pp.51-58
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• 1994

확산 현상은 박막성장 과정 및 박막의 기계, 전기, 자기적 성질 이해에 중요한 역할을 한다. 열 처리에 의한 상호확산 때문에 생긴 Pd/Cu 다층박막의 조성변화를 AES depth-profiling 방법을 이용해 서 조사하였다. 열처리전 시료에서의 각형의 초기 조성분포가 여러온도에서의 열처리에 의해 정현파 모 양의조성분포로 변화되었다. 조성의존성을 고려하지 않은 상호확산 계수를 정현파 분포의 진폭으로부터 구하였으며, 1.66 eV의 값을 갖는 활성화에너지는 Arrhenius plot으로부터 산출하였다. 또한 Boltzmann-Matano 방법을 사용해서 15$0^{\circ}C$에서의 조성의존 상호확산계수도 구하였다. 열처리에 의해 조 성균일화가 되는 것으로만 알려졌던 본물질계에서도 상분리가 생성됨을 관찰하였고, 그 열처리 조건은 $180^{\circ}C$에서 150분 보다 짧아야함을 밝혔다.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.575-578
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• 1995

X-ray magnetic-circular-dichroism (MCD) spectra, orbital ($$) and spin magnetic moments ($$) for Co(110) monolayers a free standing mode or sandwiched between Pd(Pd/1Co/Pd)and Cu layers (Cu/1Co/Cu) are calculated using the thin film full potential linearized augmented plane wave energy band method. In contrast to the double peak structure predicted for the Co(0001) surface, only a minor side peak is found in the MCD spectra for Cu/Co/Cu, while MCD spectra for the other systems show a single peak structure. The MCD sum rules originally derived from a single ion model are found in the band approach to be valid for the systems investigated. However, for the spin sum rule, the magnetic dipole term ($$) is not negligible and needs to be included.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.2037-2042
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• 2013

기존 DSSC의 상대전극을 TCO-less로 하여 도전성과 촉매기능을 동시에 가지고 있는 Pd의 안정성 확인을 위해 열증착기를 채용하여 유리기판 전면에 Pd를 90nm 두께로 증착하고 전해질과의 반응 안정성을 확인하였다. $0.45cm^2$급 면적을 가진 glass/FTO/blocking layer/$TiO_2$/dye/electrolyte(10 mM LiI + 1 mM $I_2$ + 0.1 M $LiClO_4$ in acetonitrile solution)/Pd/glass 구조의 DSSC 소자를 만들고, 시편제작 1시간, 12시간 후의 변화를 육안분석, 광학현미경과 FESEM을 이용하여 미세구조 분석을 진행하고, 전기적 분석은 각각 C-V(cyclic voltammetry measurements), I-V(current voltage) 분석을 통해 확인하였다. 미세구조 분석을 통하여 시간이 지남에 따라 확연히 Pd과 전해질이 반응하여 부식되는 것을 확인하였고, 전기적으로도 시간이 지남에 따라 촉매활동도와 효율이 감소하는 것을 확인하였다. 최종 효율은 1시간 후에는 0.34%의 광전효율을 보였으나 12시간 후에는 0.15%를 나타내어 약 44%로 감소하였다. 따라서 염료감응태양전지에 Pd촉매를 채용하기 위해 $I^-/I_3{^-}$ 전해질이 아닌 다른 전해질을 사용하거나 Pd 전극이 아닌 다른 촉매재를 사용해야 함을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.113-113
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• 2000

직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.

• 한국광학회지
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• 제19권3호
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• pp.175-181
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• 2008

상용의 전자기 가속도 센서에 비해 신호의 안정성 면에서 우수하고 가격이 저렴하며 제작이 비교적 용이한 필름 격자를 이용한 광세기 방식의 새로운 가속도 센서를 제안하고 이를 제작하였다. 외부의 진동에 반응하는 외팔보(cantilever beam)에 서로 주기가 어긋난 2장의 진폭 변조용 필름 격자가 나란히 부착되어 이 필름격자를 지나가는 출력광이 외부진동에 따라 서로 다른 위상으로 변조된다. 이 두 필름격자에 의한 출력의 위상각을 이용하여 출력광 신호의 위상을 구하고, 위상 연속화 과정을 거쳐 외팔보의 변위를 계산하여 가속도 환산 관계식을 통해 가속도를 측정하였다. 본 논문의 필름 격자를 이용한 광섬유 가속도 센서는 대형 구조물 및 토목 구조물의 모니터링에 알맞은 7 Hz 이하의 저주파 대역에서 사용 가능하도록 설계하였다. 이 광섬유 가속도 센서는 광섬유를 이용하였으므로 전자기적 노이즈가 예상되는 곳에서도 구조물의 진동 측정에 적합하다.